微电流条件下的开关电流镜失配补偿及其在CAB中的应用

提出了一个高精确、可工作在非常微弱电流的开关电流镜电路,采用一种可以自动调整镜像MOS管栅源电压的方法进行失配补偿,可实现因物理参数失配造成输出误差的补偿.根据可重构模拟单元CAB的设计需要,提出了双相位多输出电流镜及其失配补偿电路,讨论了工作时序与可编程开关的一体化设计.所提出的设计对于20%的失配只产生小于1%的误差,电流范围1nA~1μA.该电路可以使用CMOS单晶工艺实现.给出的仿真结果验证了理论设计.     

川滇地区地壳结构的虚拟地表震源 反射测深法研究

基于中国地震局地质研究所在中国四川西部布设的流动地震观测台阵数据,用近年发展起来的虚拟地表震源反射测深方法研究川滇地区的地壳结构。结果表明,川滇地块、松潘-甘孜地块和杨子地块3个地块虚拟地表震源反射测深的莫霍面深度存在明显差异:1)四川盆地为40 km左右;2)川滇地块为45~50 km;3)松潘-甘孜地块为30~40 km。四川盆地虚拟地表震源反射测深的莫霍面深度与艾里重力均衡模型所预测的结果基本上一致,而川滇地块和松潘-甘孜地块虚拟地表震源反射测深的莫霍面深度明显小于前人得到的接收函数莫霍面深度和艾里重力均衡模型预测的结果。可能与四川盆地地壳结构简单,而川滇地块及松潘-甘孜地块地壳结构复杂有关。同时,结果显示,在鲜水河断裂和安宁河断裂处虚拟地表震源反射测深的莫霍面深度明显变浅,可能与这些深大断裂处地幔物质的上涌有关。研究结果可为认识青藏高原东南缘的构造变形模式提供新的约束。     

中国科技资源配置改革路线图

 当今全球各大经济体范围内国与国之间的竞争已经逐渐从一般资源配置竞争上升到了科技资源配置的竞争.分析了中国科技财力资源要素市场、科技人力资源要素市场的特征、作用及其目前存在的问题,认为市场力量始终是科技成果产生和转化为现实生产力的原发驱动力,中国需要通过培育公平竞争的科技市场环境来实现国家科技力量在全社会科技创新的主体地位和作用,从体制上打破条块分割、各自为阵、部门所有的传统工作局面,形成部门、地方、高校、院所、企业上下联动,横向互动的科学技术创新机制,并确立企业在研发和技术创新中的主体地位.指出盘活现有各类科技资源、全面提升科技资源的全要素生产率,是当下科技资源配置改革的核心任务.     

#br# 基于降维CKF和平滑的SINS/OD动基座对准

为了提高捷联惯导(strapdown inertial navigation system, SINS)/里程计(odometer, OD)动基座对准精度,使对准过程中具备一定精度的位置导航能力,提出了一种动基座非线性对准方法。首先对非线性系统进行简化并应用降维容积卡尔曼滤波(reduced dimension cubature Kalman filter,RD-CKF)进行非线性对准,保证非线性对准过程中能够进行位置导航,对准结束时保证失准角为小角度。然后非线性R-T-S平滑至初始时刻进行校正,利用卡尔曼滤波再次对准,获得对准结束时刻高精度的姿态和位置导航。进行了实车实验,实验结果表明了方案的有效性。     

东昆仑下三叠统洪水川组古流向分析

古流向分析是盆地分析的重要内容,是反映古地貌及物源特征的重要标志之一。通过对东昆仑造山带南缘洪水川组下部地层中发育的板状交错层理、斜层理等沉积构造的产状进行测量,得到有效数据30组。古流向校正之后的结果显示,平均古流向199.4°,优势方向为SSW。因此,洪水川组古流向为SSW,表明早三叠世东昆仑南缘显示北高南低的古地貌,洪水川组早期物源主要来自北侧的昆仑山地区。     

闽清县土地利用/覆被变化与生态环境效应研究

基于GIS空间分析与数理统计方法、生态环境质量指数和生态贡献率方法对2005—2010年闽清县土地利用/覆被变化动态特征和土地利用变化引起的生态环境效应进行了定量分析.结果表明,(1)2005—2010年,闽清县土地利用/覆被变化主要表现为林地、水域的减少,耕地、草地、建设用地、未利用地增加的趋势.(2)2005—2010年闽清县的区域生态环境质量指数从0.718 8下降至0.715 7,局部呈现出一种下降的趋势.(3)局部地区生态环境呈负向发展,其中林地锐减对区域土地利用/覆被变化产生的影响最为深刻.     

纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究

提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路, 能够减小MOS电容栅极?衬底之间电压差, 降低电路的泄漏电流, 抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明, 在电路正常上电时, 泄漏电流只有24.13 nA, 比传统ESD电源钳位电路的5.42 μA降低两个数量级。     

单器件时钟负载限制竞争RAM锁存器设计

提出一种新型RAM锁存器, 通过引入并行充电支路, 可避免开关电流和充电速度之间的矛盾。与传统结构相比, 新结构不仅能提高充电速度, 而且能降低短路功耗。 此外, 新结构中时钟负载只有一个MOS管, 能有效降低时钟功耗。 Hspice仿真结果表明, 新的RAM n-锁存器和p-锁存器速度分别提高12.8%和25.5%, 功耗延迟积分别降低19.8%和26.9%。     

适用于低功耗SRAM的高速电流模式灵敏放大器

提出一种新型电流模式SRAM灵敏放大器结构。该灵敏放大器采用两级结构, 通过增加一级基于锁存器结构的高速放大电路, 能够快速感应位线的电流变化并放大为全摆幅信号, 不仅能加快求值速度, 而且电流传送器还起到隔离直流通路、减少电路直通功耗的作用。 基于1.0 V/65 nm工艺的HSPICE仿真结果显示, 与WTA灵敏放大器相比, 该灵敏放大器速度提高17%, 功耗减少86%。     

天然气管输减阻剂减阻技术的研究与应用

 通过电镜微观试验研究,揭示了天然气减阻剂的减阻机制。通过对减阻剂加剂装置关键结构仿真优化表明：旋流雾化喷嘴的旋流室内锥角为100°时雾化效果最佳;喷孔直径的变化可改变减阻剂喷射的轴向速度,有利于增大喷射距离,但雾化角减小,喷孔直径为1.4 mm时,喷嘴的雾化效果最佳;旋流室切向孔角度对旋流室内部速度流场的影响较大,切向角为14°时喷嘴雾化效果最佳;通过实验室及现场试验,得出了合理加剂量的计算公式。本研究对天然气管输减阻剂减阻技术的推广与应用具有指导意义。