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研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的事件相关潜在性失效.从CB管脚对微波低噪声NPN晶体管2SC3356施加低电压人体模型(HBM)的ESD应力,发现,随着ESD应力次数的增加,器件的放大特性hFE逐渐退化,并且当电压达到一定水平,多次的ESD可以使器件失效.研究表明,低电压的ESD对器件造成的损伤具有潜在性和积累性. 相似文献
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为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将注入和未注入过ESD的器件同时进行加速寿命实验.通过比较各组器件损伤率的大小来反映器件使用寿命的变化.经统计分析与计算发现:开始时,随放电次数的增加,器件出现潜在性失效的概率增大,当概率达到一定极限值后,又会随放电次数的增大而减小,说明ESD的注入不仅可能在部分硅器件内部造成潜在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性. 相似文献
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本文立足于人文地理学及地名学的基本理论,以临汾市为研究对象,采用GIS技术、数理统计和综合分析方法,按照地名的语源类型,对临汾市3 807个自然村名做了统计分析.结果表明:临汾市受人文因素影响命名的村名所占比重最大,其他依次为地形、方位和水文三大类村名,不同语源类型的村名在空间分布上表现出较强的规律性,并与地形和高程之间关系密切. 相似文献
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静电放电电磁脉冲对微电子器件的双重作用 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效,采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加不同电压的ESD应力.结果表明:高电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤主要是不可恢复的损伤,而低电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤是可恢复的损伤;ESD的注入对器件有双重作用:一方面ESD在器件中可引入潜在性损伤,另一方面ESD对器件有加固作用,并且注入ESD电压越高,这些作用越明显. 相似文献
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透析管理学的发展史,研究者关切的主题一度集中于“领导者”的角度。这种现象显示出在管理训练与发展领域,许多人热衷于发掘一些保持“有效领导秘诀”的项目。 相似文献
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刘红兵 《重庆工商大学学报(自然科学版)》1997,(2)
研究了利用加热管进行加热的压机设备加热系统,该加热系统与目前正在使用的高频介质加热系统相比,具有低成本、高效率、安全可靠等优点 相似文献
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用伏安法测量二极管的伏安特性曲线时,无论采用外接法,还是内接法,都必须加以修正,才能得出正确的结果。本文给出了修正公式,分析了要修正的原因。 相似文献