慕士塔格峰冰川变化遥感研究

以位于新疆维吾尔族自治区西南部的慕士塔格峰冰川为例,利用研究区1965年经航片校对的地形图和2001年5月的ASTER遥感影像为信息源,通过遥感图像处理技术和专家指导下的人工解译得到1965,2001年两期冰川边界图,用GIS统计该地区冰川面积,并分析冰川变化总趋势.结果表明,近36年来,慕士塔格峰冰川整体呈现退缩趋势,冰川面积减少了1.11%,而山峰西侧和南侧的部分冰川有前进的现象.     

纳米固体超强酸S2O8^2-/ZrO2-Fe2O3-SiO2 催化合成乙酸环己酯

采用纳米化学制备技术合成了新型的纳米固体超强酸催化剂S2O82-/ZrO2-Fe2O3-SiO2,将该催化剂用于合成乙酸环己酯.确定了实验最佳反应条件:n(酸)/n(醇)=1.0/1.2,催化剂用量为1.4 g,反应时间为90 min,酯化率达96.5%.并与其他催化剂进行了比较,结果表明,以S2O82-/ZrO2-Fe2O3-SiO2为催化剂,催化剂用量少、可重复使用、不腐蚀设备、不污染环境、酯化率高.     

模/ 数混合集成电路中的数字开关噪声分析

本文分析了静态CMOS逻辑开关在模 数混合集成电路中的开关特性、噪声特性、功耗及功耗延迟积等对其性能的影响 ,并提出用电流控制逻辑结构代替静态CMOS逻辑 ,实现低电压工作性能和峰值噪声电流下降     

高分子聚合物负载氯化钕配合物催化4-乙烯吡啶极性单体聚合反应的研究

本文用高分子聚合物负载氯化钕配合物催化剂催化 4-乙烯吡啶极性单体聚合反应进行了研究。观察了 A1/ Nd摩尔比、催化剂浓度、反应时间和温度对聚合的影响。结果表明 ,聚合物负载氯化钕配合物催化性能高于同类小分子体系和稀土氯化物。聚合物负载氯化钕配合物催活性与载体中功能基团 (CONH2 )含量的不同及所形成的稀土钕配合物中钕含量的不同有关。当 PSAM· Nd Cl3 中的钕含量为 2 .7× 10 -4 mol/ g,钕含量与功能团含量摩尔比在 0 . 2 5左右时 ,配合物催化活性达到最佳值     

克隆人类胚胎:制造天使还是放出魔鬼?

人类胚胎首次克隆潘多拉盒终于打开2 0 0 1年 11月 2 5日 ,位于马萨诸塞州的美国先进细胞技术公司 (ＡＣＴ)宣布已成功克隆出人类胚胎。就像当年第一只克隆羊诞生所带来的巨大冲击一样 ,人类克隆胚胎的出现 ,国际医学界为之震动 ,围绕该研究的伦理道德问题再次摆在世人面前。美国先进细胞技术公司的首席执行官米歇尔·韦斯特 (ＭｉｃｈａｅｌＷｅｓｔ,见图 )在宣布这一成果时说 :“这次实验采用了 8个卵细胞样本 ,其中的两个形成了 4个细胞的胚胎 ,在分裂到 6个细胞时停止了分裂。”韦斯特还说 ,首次克隆出的人类胚胎“很初级” ,数目还不足…     

阴极微弧电沉积钇稳定氧化锆涂层

提出了一种新颖的阴极微弧电沉积技术（CMED）。利用该技术在FeCrAl 合金上制备出厚的钇稳定氧化锆（YSZ）涂层。研究结果表明,在试样上预先沉积YSZ薄膜，施加高压电脉冲时可以导致微弧放电；在微弧的作用下可以获得厚度达300μm具有晶态结构的YSZ涂层；高压电脉冲的电压值和频率决定了沉积涂层的厚度；电解液中添加硝酸钇时，发生ZrO2和Y2O3的共沉积，可使涂层中的t-ZrO2,t‘-ZrO2和c-ZrO2稳定到室温；提高电解液中Y（NO3）3的含量可以降低涂层中m-ZrO2的相对含量，研究了阴极微孤电沉积YSZ涂层的微观结构，分析了阴极微弧电沉积的基本过程及机理。     

LF炉冶炼超低硫钢的工艺条件

提出了采用热力学计算分析确定LF炉冶炼超低硫钢工艺条件的方法·分析表明,可通过提高炉渣碱度、强化渣钢脱氧、控制渣钢原始硫质量分数和渣质量,来实现超低硫钢的冶炼·150tLF炉生产实践表明,在原始钢水硫平均为00146%条件下,通过控制规定的工艺条件,经LF处理后的钢水硫质量分数平均可达00044%·再经VD处理后,可实现成品硫质量分数为00027%的超低硫钢生产·在上述条件基础上,将原始硫质量分数控制在00058%以下或保证渣金硫的分配比在250以上或采用双渣操作,LF炉可精炼0002%以下极低硫钢     

CH_2Cl_2对PC和PE液晶结构的影响机理

采用小角 x 射线散射法(SAXS)研究了 CH_2Cl_2分别对磷脂酰胆碱(PC)和磷脂酰乙醇胺(PE)液晶结构影响的机理。通过比较得知,CH_2Cl_2对PC 和 PE 液晶结构影响不同之处,主要是 PC 和 PE 结构不同所致。在 CH_2Cl_2的作用下,PC 液晶态从 L_β相经过 L_α相最后变成 LH。而 PE 液晶态却从 L_β相经过 L_α相最后变成 H_Ⅱ相。说明电偶极矩 M≠0的物质有使“棒状”的 PC 液晶态形成片层六角形的机理,对“锥状”的 PE 液晶态却有诱发其形成 H_Ⅱ相的机理。