新时期高校德育建设初探

社会发展对传统的德育提出了新的挑战。加强高校德育工作必须改革体制、完善机制，不断增强德育建设的活力；回归生活、感召心灵，不断增加德育建设的效益；整合教育、优化环境。不断赋予德育建设以崭新的内容。     

基于CS8900A的嵌入式网络传输问题研究

为解决ADI BF533 DSP(Distal Signal Processor)系统处理平台上还没有相应的驱动程序问题,对CS8900A在各种状态下工作状态进行了研究,并实现了网卡驱动程序代码的开发.给出了中断处理机制的设计和完善方法、CS8900A寄存器读写机制,以及对CS8900A错误处理机制的开发和利用.实现了嵌入式系统网络传输,解决了嵌入式操作系统底层驱动和传输问题.     

铝电解用SiC-Si_3N_4绝缘侧壁材料耐腐蚀性能测试方法

研究了氮化硅结合碳化硅材料耐腐蚀性能的测试方法.这种方法是在冰晶石-氧化铝熔盐体系中通入二氧化碳气体来模拟实际电解过程中电解槽内部的工作状态.试样置于盛有高温熔盐的石墨坩埚中,二氧化碳气体的通入造成试样的动态腐蚀,测定电解质和二氧化碳气体共侵蚀作用下的试样体积变化率.与静态电解质腐蚀方法所得实验数据比较,试样腐蚀程度高很多,说明二氧化碳气体对试样的耐腐蚀性能影响很大.应用该方法对三个不同厂家所生产的氮化硅结合碳化硅材料进行动态腐蚀测试,并采用该方法制定的测试标准对试样的耐腐蚀性能进行评价.结果表明,该测试方法简单,易操作,且能够真实模拟电解槽内衬材料在铝电解槽中的腐蚀状态,并且对于试样的性能有...     

关于新核的Hilbert型积分不等式的一个推广

通过引入权函数的方法,得到了一个带最佳值c(λ)的Hilbert型积分不等式∫0∫∞0∞xλ+ayrλct+anm(axxy{)xαλ,yλ}f(x)g(y)dxdyc(λ){∫0∞x-1+p(22-λ)fp(x)dx}1/p∫{0∞x-1+q(22-λ)gq(x)dx}1/q及其等价形式.     

钢筋混凝土延性桥墩震后快速修复技术研究

采用3种不同修复方案对3个发生严重破坏的钢筋混凝土延性桥墩进行震后快速修复技术研究.试件首先在固定的轴力和侧向反复荷载下进行拟静力试验使之发生弯曲延性破坏,然后分别利用植筋、浇筑套箍、缠绕CFRP等方法对其进行快速修复并重新进行加载试验.试验结果表明,采用不同方案修复的桥墩承载力和延性指标均能得到较好恢复甚至提高,由于内部损伤的存在,修复后桥墩的初始刚度较低;缠绕CFRP修复的试件,由于施工简单,修复效果较好且造价较低,可在工程实际中推广.     

考虑电磁铁线圈构型的高速开关阀动态特性分析

为改善高速开关阀的响应特性,以电磁铁线圈构型为切入点,对比研究了线圈构型对高速开关阀动态特性的影响规律。在建立高速开关阀数学模型以及理论分析线圈构型变化对响应时间影响的基础上,采用电磁仿真软件ANSYS Electronics,构建了高速开关阀二维瞬态仿真模型,分析了单一、叠加式、嵌套式3种线圈构型对电磁铁吸合以及高速开关阀启、闭两个动态过程的影响。仿真结果表明：在不改变其他结构参数与电气参数的情况下,与单一线圈构型相比,叠加与嵌套两种并联线圈构型能够有效缩短电磁铁空载吸合时间,减幅分别为35.1%、34.7%;叠加式线圈构型下高速开关阀的开启延迟时间缩减了4.79 ms,减幅达55.4%;嵌套式线圈构型下高速开关阀的开启延迟时间缩减了4.77 ms,减幅达55.2%。综合响应特性与能耗特性参数来看,采用叠加式线圈构型的高速开关阀具有相对更优的动态特性。该研究可为高速开关阀电磁铁的设计提供参考。     

连铸结晶器内三维流动过程的数值计算方法

应用数学物理模拟方法，对板坯连铸结晶器内的钢流流动现象进行了俩面说细的研究，同时，还研究了不同工艺参数对结晶器内流场的影响，在此基础上，开发了应用微机计算三维两相流动的模拟软件，计算机结果与激光测速结果对比分析，证明该软件是可靠的，能用于预测结晶器流场和设计水口的工艺参数，数学模型中对壁面函数方法，压力降阶法等的处理提出了新见解，在此基础上研制了一种新型改进型水口，并作了初步工业实验，效果良好。．     

SiCp／ZA-27复合材料SiC颗粒预处理工艺研究

对ＳｉＣ粒子进行子多种预处理工艺试验,得出ＳｉＣ粒了在９２０℃高温焙烧氧化,再在ＨＦ酸（１．５ｖｏｌ．）％）与丙酮混合液、丙酮中清洗球磨工艺是较优的预处理工艺。应用搅熔铸造工艺,处理后的ＳｉＣ颗粒能较易分散到含镁的ＺＡ－２７合金流中,用ＳＥＭ、ＥＤＳ、ＸＲＤ和ＴＥＭ测定和分析了预处理前后ＳｉＣ表面状态,得出ＳｉＣ颗粒表面物理,化学吸附的气体是阻止其分散进入ＺＡ－２７合金流的主要原因,ＳｉＣ表面的微     

p—GaP／Au—Sb／Au—Zn体系的接触界面

采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r~ 溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn内扩散使界面形成一个较高掺杂浓度的再生长层,可改善M-S欧姆接触性质,此外,界面上还有碳、氧杂质的沾污,有效地清除半导体表面氧化层对于制好欧姆电极是重要的。     

基于CS8900A的嵌人式网络传输问题研究

为解决ADIBF533DSP（Digital Signal Processor）系统处理平台上还没有相应的驱动程序问题,对CS8900A在各种状态下工作状态进行了研究,并实现了网卡驱动程序代码的开发。给出了中断处理机制的设计和完善方法、CS8900A寄存器读写机制,以及对CS8900A错误处理机制的开发和利用。实现了嵌入式系统网络传输,解决了嵌入式操作系统底层驱动和传输问题。