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碳化硅(SiC)作为一种化学性能稳定的宽带隙半导体,是高温、抗辐射电子器件和短波长光电子器件的优选材料,倍受各国重视。在SiC常见多型中,4H-SiC比其它多型(6H或3C-SiC)有更宽的带隙,更高的电子迁移率和低的电子迁移率各向异性,所以更受青睐。 外延生长SiC薄膜,通常采用化学气相沉积,激光溅射法或分子束外延等方法。4H-SiC单晶薄膜一般在1500℃以上的温度下同质外延生长在4H-SiC单晶衬底上,所用设备复杂,产品成本很高。故探索在较低温度下生长优质4H-SiC薄膜的新途径具有重要意义。 我们曾利用短程结构与4H-SiC相似的非晶纳米氮化硅粒子的有机复合膜,经高温热解在单晶硅衬底上生长了4H-SiC多晶薄膜。在本文的工作中,我们利用LB膜技术,在单晶Si(111)衬底上对非晶氮化硅纳米微粒进行有序组装,形成氮化硅纳米微粒与聚酰亚胺复合的LB膜,经950℃真空热解,制得了以单晶硅为衬底,具有择优取向的4H-SiC晶态膜。用这种 相似文献
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针对消费者关心的转基因食品的安全问题,以转基因果蔬产品为例,通过介绍转基因食品的相关概念,法律法规和国内现状,希望消费者借此对转基因食品有客观公正的认识,减少争论,回归理性. 相似文献
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有关亲核取代反应和β—消去反应的教学思考 总被引:1,自引:0,他引:1
卤代烃化学性质的教学是该章节的重点和难点.从基本概念入手,通过对两类反应机理和影响因素的讲解,可以让学生较为轻松地突破难点,将α—C设计在一个假想平面上讲解亲核取代和消去反应机理,方便学生对亲核取代和消去反应机理和有关立体化学的理解和掌握. 相似文献
134.
主要利用变分Lyapunov函数方法,通过建立一个变分比较原理,得到了关于脉冲控制系统两个测度实际稳定的比较结果. 相似文献
135.
本文对Rosenau-RLW方程的初边值问题进行了数值研究,提出了一个隐式拟紧致C-N差分格式,该格式很好地模拟了问题的守恒性质.通过Brouwer不动点定理,本文得到了差分解的存在性,给出了解的先验估计和误差估计,并通过离散能量法分析了该格式的稳定性、二阶收敛性和解的唯一性.数值算例表明,该格式是可行的,且相对于一般的二层格式具有更好的计算精度. 相似文献
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利用向量Lyapunov函数方法和比较方法研究了非线性脉冲控制系统的实际稳定性质,并给出了若干新结果。 相似文献