海南汉族学生10年间形态指标发育状况分析

对1985年与1995年海南汉族学生的三项指标10年来生长发育状况和形态指数进行分析。结果表明:我省汉族学生生长发育水平有一定的提高。除胸围发育曲线第二次交叉年龄,1995年与1985年没有明显差异外,其余各指标发育曲线交叉年龄均比1985年提前约1—2年,最大增长年龄也提前1—2年,表明我省汉族学生生长发育仍处于平稳增长状态,形态指数分析显示:学生身体充实度提高,但胸廓发育滞后。     

深井水源热泵技术经济分析

为了研究深井水源热泵空调系统在我国北方地区的应用可行性和正确性，采用实验的方法，实测了深井水源热泵空调系统的年运行费用和全年能耗，并据此分析其初投资和运行费用、能源效率以及环境效益．最后，应用费用年值法，比较分析了数种供暖空调方案的费用年值，得到了不同情况下冷热源方案的最佳选择．在当地政府对地下水不收费用的情况下，深井水源热泵系统仅次于热网（热电联产）＋冷水机组方案，优于热网（燃煤锅炉）＋冷水机组系统．     

高效液相色谱中的金属螯合体系

本文将金属螯合物高效液相色谱研究中的螯合体系分成十类。综述了金属螯合物在高效液相色谱研究中的应用,侧重讨论了金属螯合物高效液相色谱研究中的分离方式,检测方式及其检测样品类型等发展状况,并提出展望。主要参考文献50篇。     

挑战物理学的暗宇宙--现代宇宙学世纪回眸

继“宇宙加速膨胀”当选为美国《科学》周刊1998年最大爆炸性新闻之后，“暗宇宙”又摘取了该刊2003年十大科学成就的桂冠。为什么说宇宙是“黑暗的”?什么是暗物质和暗能量?它与人们熟知的灿烂星河有何关系?人们是怎么知道它们的存在的?要弄清这些问题，需回顾20世纪初以来近百年的现代宇宙学史。     

硅衬底上制备4H-SiC择优取向膜的一种新方法

碳化硅（SiC）作为一种化学性能稳定的宽带隙半导体,是高温、抗辐射电子器件和短波长光电子器件的优选材料,倍受各国重视。在SiC常见多型中,4H-SiC比其它多型（6H或3C-SiC）有更宽的带隙,更高的电子迁移率和低的电子迁移率各向异性,所以更受青睐。 外延生长SiC薄膜,通常采用化学气相沉积,激光溅射法或分子束外延等方法。4H-SiC单晶薄膜一般在1500℃以上的温度下同质外延生长在4H-SiC单晶衬底上,所用设备复杂,产品成本很高。故探索在较低温度下生长优质4H-SiC薄膜的新途径具有重要意义。 我们曾利用短程结构与4H-SiC相似的非晶纳米氮化硅粒子的有机复合膜,经高温热解在单晶硅衬底上生长了4H-SiC多晶薄膜。在本文的工作中,我们利用LB膜技术,在单晶Si（111）衬底上对非晶氮化硅纳米微粒进行有序组装,形成氮化硅纳米微粒与聚酰亚胺复合的LB膜,经950℃真空热解,制得了以单晶硅为衬底,具有择优取向的4H-SiC晶态膜。用这种     

行星古今谈--太阳系有多少颗行星?

本文从行星名称的传统含义,全面评述和回顾了历史上对X行星的搜索、小行星的发现和地位的变迁、海外天体的发现,以及对冥王星的行星资格的质疑,表明行星的名称是人类文明的遗产,第十行星的命名是一个综合历史和文化的科学问题.     

氧化锌及银掺杂的氧化锌薄膜的紫外发光研究

采用超声喷雾热解工艺,在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,研究了衬底温度、喷雾速率、银掺杂对ZnO薄膜发光性质的影响.结果表明,选择合适的沉积温度和喷雾速率能制备出具有良好结晶质量、强紫外发射、高紫外/可见发光强度比的ZnO薄膜.未掺杂样品中,在沉积温度为500 ℃、喷雾速率为0 15 mL/min条件制备的ZnO薄膜的近带边紫外发光性能最好,其紫外/可见发光强度比能够达到470.低浓度的银掺杂可以进一步提高ZnO的紫外发光性能,掺杂3%浓度的Ag可以使ZnO的紫外/可见发光强度比达到700.但过高浓度的掺杂反而会降低紫外发光强度.     

实施技术转移战略 促进国家技术创新

党的十六大提出全面建设小康社会的宏伟设想,十六届四中全会进一步提出要用科学发展观作指导,构建社会主义和谐社会。为了实行这一宏伟目标,政府必须加强技术创新,提供公共科技产品,为全面建设小康社会和构建社会主义和谐社会提供引领和支撑。政府的职责不仅在于提供公共科技产品,而且还必须确保公共科技产品可用、用好。