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271.
本研究探讨经桡动脉入路(Transradial Approach,TRA)右侧大脑中动脉支架成形术的可行性、安全性和手术技巧。实验按照随机数表法将符合大脑中动脉支架成形术纳入标准的急性脑梗死患者分为观察组和对照组。观察组给予经TRA右侧大脑中动脉支架成形术,对照组给予经股动脉入路(Transfemoral Approach,TFA)右侧大脑中动脉支架成形术,对比分析2组患者导引导管到位情况、支架置入成功率、路径差异相关并发症、手术操作时间、射线投射时间、术后住院时间和手术费用。结果显示,观察组导引导管到位成功率为93.10%(27/29),对照组导引导管到位成功率100%,2组患者支架置入成功率均较高,路径差异相关并发症较低,手术操作时间、射线投射时间和手术费用相似,差异无统计学意义。基于主动脉弓型的亚组分析,观察组Ⅲ型主动脉弓患者手术操作时间(min)、射线投射时间(min)均短于对照组(73.8±15.3 vs 89.5±14.4;22.1±5.5 vs 28.4±8.3),差异有统计学意义(t=0.192,P=0.000;t=0.117,P=0.000)。与对照组相比,观察组患者术后住院天数明显减少(2.8±0.6 vs 4.2±0.8),差异有统计学意义(t=0.230,P=0.002)。因此,经TRA右侧大脑中动脉支架成形术成功率高,对于Ⅲ型主动脉弓患者采用该项方案能减少手术时间和射线投射时间,且术后住院天数少,可行性好。  相似文献   
272.
2006年,我国终于构建起既与中国国情相适应又充分与国际财务报告准则趋同的会计准则体系,本文从新会计准则国际趋同的表现及其具有的中国特色等方面对其进行分析探讨。  相似文献   
273.
倪浩如 《科技信息》2008,(32):176-176
讨论节点电压法分析电路原理及列节点电压方程的过程,强调熟练运用节点电压法分析典型电路,归纳对非典型电路中常见情况的处理方法。提出注重典型电路,突出重点,分散难点,化繁为简,循序渐进的教学方法,使学生迅速理解并充分掌握节点电压法分析电路。  相似文献   
274.
介绍了数字图书馆的技术性与人文化融合研究课题的研究内容、目的,以及研究成果和特点,提出了数字图书馆研究后续工作的设想和建议。  相似文献   
275.
介绍UHVDC输电线路可听噪声产生的原因及特性,不同的气候条件、分裂导线数、分裂间距、导线截面积、海拔等对可听噪声的影响,可听噪声的计算方法.对投运后的±800 kV复奉UHVDC输电线路现场可听噪声进行分析,提出相应的防范建议,为今后UHVDC输电线路设计、运维提供现场运行资料.  相似文献   
276.
研究煤岩显微组分的性质有助于了解煤的起源和分子结构,对研究和预测煤的热加工反应性,实现煤的高效洁净和高附加值转化具有重要的意义.综述了近年来国内外对煤的岩相显微组分性质的研究,着重介绍了显微组分的化学组成及分离分析技术,显微组分的热解、气化、燃烧和加氢液化特性及显微组分对煤溶剂萃取的影响,并指出了煤岩显微组分研究的重要意义.  相似文献   
277.
为了研究HSP70(heat shock protein 70)是否可作为淞江鲈(Trachidermus fasciatus Heckel)养殖中的应激监测分子指标,根据鲤鱼热应激蛋白70基因序列(AYl20894)设计并合成引物,以淞江鲈肝脏组织总RNA为模板,获得淞江鲈HSP70基因cDNA部分序列,长度为480bp,GenBank登陆号为KC342053.序列分析结果显示此序列与红笛鲷(Lutjanus sanguineus)等有较高的同源性.同时,应用所获淞江鲈HSP70基因部分序列,以淞江鲈β-actin基因的序列(HM449124)为内参,利用荧光定量PCR技术,检测淞江鲈肌肉、肠、脑、皮肤、性腺、肝脏、心脏、鳃、鳍9个组织的表达差异.结果表明,HSP70在淞江鲈9个组织中普遍表达,其中在鳍中表达量最高,在性腺、鳃、脑、肌肉、肝脏、皮肤、肠中的表达量依次递减,在心脏中表达量最低.在鳍中HSP70的表达量可能成为衡量淞江鲈应激程度的指标.  相似文献   
278.
阐述了非工程防洪措施的概念及主要措施和特点,并提出了非工程措施与工程措施结合,从两方面降低洪灾损失的观点。  相似文献   
279.
为研究数字谱仪的噪声性能,提出并分析了数字滤波器的噪声指数.采用解析推导和数值仿真的方法,研究噪声指数与模拟前端成形特性、模数转换器采样频率以及数字滤波器参数的关系,计算了数字梯形滤波的噪声指数.研究表明,高采样频率和高阶反混叠滤波器有助于提高系统信噪比;阶跃噪声对采样频率不敏感,而δ噪声则需要较高的采样频率才能获得较好的指标.该研究为数字滤波器的噪声性能分析提供了理论依据.  相似文献   
280.
介绍了一种基于CSMC0.5-μm2P3Mn-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压VBE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5 V电源电压下,温度变化范围为-20 ~100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6 ppm/℃。当电源电压变化范围为4 ~6 V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4 mV。  相似文献   
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