钨含量对铜基摩擦材料性能的影响

为了探究钨含量对制动用铜基摩擦材料性能的影响,采用热压烧结工艺制备了不同钨含量的铜基摩擦材料,对其物理性能、力学性能和摩擦磨损性能进行了测试。研究表明,铜基摩擦材料的密度随着钨含量的增加而增大,而剪切强度和硬度先增大后减小。钨提高了材料磨损表面微凸体接触的结点强度,从而提高了材料的摩擦因数。适量的钨可以有效地减少磨损表面剥离,有助于在磨损表面形成连续完整的摩擦膜,从而稳定摩擦因数,减小磨损质量。当钨含量过高时,在高温摩擦过程中会产生严重的犁沟或微裂纹,导致摩擦因数剧烈波动和磨损质量增大。钨的质量分数为3%时,铜基摩擦材料在不同温度和压力下具有较为稳定的摩擦因数和较小的磨损质量。     

植物体应激反应中生物光子发射的实验观测

用高灵敏度的ＩＣＣＤ图象探测系统,对萌发期大豆受到外界刺激后的生物光子发射进行探测。实验发现,大豆子叶受到创伤后,创伤部位的生物光子发射明显增强,另外,大豆干旱复水过程中,在根尖也测到了很强的发光。     

BP网络泛化能力改进研究

详细阐述了防止BP网络过度训练的方法,总结了常用的增强网络泛化能力的方法。并在此基础上,提出了基于主要影响因素和基于修正误差函数来增强网络泛化能力的方法,取得了良好的效果,提高了BP神经网络的适应性。     

东太平洋表层沉积物蒙皂石的矿物学特征及其指示意义

应用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱(EDS)分析技术, 对东太平洋表层黏土组分沉积物中的蒙皂石族矿物进行了全面的测试分析. XRD结果显示, 多数蒙皂石结晶不好, 约占黏土矿物总量的20%. 将研究区的蒙皂石族矿物划分为3种类型: 富铁蒙皂石(类型1)、富铁镁蒙皂石(类型2)和钠钙蒙皂石(类型3). 其中, 类型1在沉积物中分布最广, SEM下表现为蜂窝状, TEM下为呈聚集或分散趋势的毛发状, 或边缘微卷的云雾状集合体, 可以作为东太平洋“自生”蒙皂石的标型矿物种; 类型2在TEM下的形态与类型1相似, 呈现由极薄的片状向毛发状体过渡; 钠钙蒙皂石在TEM下则为边界模糊的板状体. 类型1是洋底火山物质蚀变的产物, 并在一定程度上受到了区内热液活动的改造, 其中的一部分矿物也可能本身就是低温热液活动的产物. 类型2也是一种“自生”成因的蒙皂石. 类型3为外源的蒙皂石, 推断来自遥远且干旱的母岩区. 研究表明, 蒙皂石族矿物的化学成分和微形貌特征对沉积物来源、矿物成因及大洋沉积作用有重要指示意义.     

计算重构光谱分析仪研究进展

光谱测量广泛应用于科学研究及工业生产中,而传统光谱仪因体积庞大难以满足众多应用需求.近年来,快速发展的计算重构光谱分析仪因其具有紧凑小巧、高分辨率和大测量带宽等优势而成为研究热点.光波经过计算重构光谱分析仪后所产生的光斑图案与波长存在一一对应关系,因此采取合适的解调算法可以从生成的光斑图案中重构入射光谱信息.目前计算重...     

耗能连梁采用新型复合阻尼器后对剪力墙结构性能的影响

研究一种震后可替换的新型复合阻尼器置于连梁跨中以实现保护连梁并提高连梁耗能能力的目标.在ABAQUS有限元软件平台上根据复合阻尼器的特点提出一种可以有效反映其特征的等效简化模型,并与仿真模型进行对比验证;将等效简化模型应用于高层剪力墙结构的连梁中,进行罕遇地震下的剪力墙结构动力时程分析;以混凝土连梁为参照,研究安装了复...     

低多普勒敏感的抗间歇采样转发干扰波形设计方法

针对间歇采样转发干扰，研究了脉内正交的工作波形和保护波形设计方法抑制干扰，考虑到设计波形的多普勒敏感性，以低多普勒敏感约束和互相关函数加权和最小为目标函数、波形恒模为约束条件建立优化问题。由于该问题包含非凸四阶目标函数和非凸约束，难以得到闭式解，因此设计了一种基于循环算法的方法进行求解。最后，通过仿真实验和已有波形进行对比，验证了所设计波形具有较低多普勒敏感性，同时能够有效对抗间歇采样转发干扰。     

蜡式温控阀控温机理及内部流动分析

为了研究新型蜡式温控阀控温机理及内部流动特性,对其感温包感温原理进行了理论分析及实验研究,并对其内流场采用N-S方程和标准κ-ε湍流模型进行数值计算.结果表明:在相变过程中,流体温度与导杆行程的关系曲线呈"S"型,此阀感温蜡的理想工作区间为35~55℃.随着入口速度的增大,入口处的压力也呈逐渐增大的趋势;小速度与大速度总温度总体分布趋势基本相同,不同的入口速度情况下,阀出口温度基本不变化或者变化趋势不明显,即温控阀入口速度并不是影响其控温的关键因素.     

完全四部图Kn,n,n,n（n为偶数）的竞赛数

本文利用ECC来给出关于完全四部图Kn,n,n,n（n为偶数）的竞赛数的一些结果：k（Kn,n,n,n）{=2,当n=2;≤n2-7n/2＋7,当n=2m＋2（m=1,2,…）.