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521.
计算机网络技术的发展使信息安全面临新的挑战,就突出的信息安全问题而言,其产生的根源主要是技术缺陷和管理疏漏。为此,在构建网络信息安全防范策略时应强调技术手段与管理制度相配合,即通过入侵检测系统、信息加密技术以及防火墙和杀毒软件完备技术措施,并强化信息安全管理,形成体系化的保障机制。 相似文献
522.
花状Co5(O9.48H8.52)NO3的简易制备及其超级电容性能 总被引:3,自引:3,他引:0
采用简单沉淀方法制备出花状结构的Co5(O9.48H8.52)NO3,运用XRD、SEM、TEM、BET等方法对反应产物进行表征.结果表明,Co5(O9.48H8.52)NO3具有低结晶度的花状结构,孔径主要分布在4~40 nm,比表面积为77.22 m2/g.循环伏安、恒流充放电、交流阻抗和循环寿命测试均表明该材料具有良好的超级电容特性,单电极比容量可达368 F/g. 相似文献
523.
对冲击式水轮机的内部流动进行了探讨,着重研究了喷嘴以后的自由二相流,发现冲击式水轮机存在着与反击式水轮机水同的流动机理及其对应的不同比尺效应;并指出非定常自由流随工况变化的比尺效应对性能预测的影响;同时大流量区水斗切口出流的增加会引起负比尺效应明显增加。 相似文献
524.
从裂纹技术的需要出发,对几何不对称试件进行了启裂前应力状态变化的光弹性实验力学研究,观察有切口试件的应力场变化情况,结果表明,试件在受力后启裂前的应力状态基本上是对称的 相似文献
525.
给出了一种应用于低温光敏探测器读出电路的可编程电流源,工作在液氮环境(77 K),无外加单元,与一般电流源设计不同,本设计将部分MOS管设计在亚阈值区工作来提高电路工作稳定性。此电流源设计采用0.5 μm标准CMOS工艺。工作电压为5 V。室温测试当工作电压从2.3 V到6.4 V变化时,输出电流从199 nA变化到212 nA,精度为1.4%/V。在液氮环境测试当工作电压从3V到6.8 V变化时,输出电流从355 nA变化到372 nA,精度为1.3%/V。由于电路工作温度稳定,所以不要求电流源有良好的对温度稳定性。 相似文献
526.
低功耗异或同或电路的设计研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了2种传输管实现的新型低功耗异或门结构,UPPL(Unsymmetrical Push Pull Pass Transistor Logic)结构和CPPL(Complementary Push Pull Pass Transistor Logic)结构,两者均为非互补输入,互补输出,都能够同时产生异或和同或信号,且输出为全摆幅电压。对新结构在0.18μm工艺1.8V电压下进行了hspice仿真,与已有同类电路在速度、功耗和功耗延迟乘积方面进行了比较。UPPL结构和CPPL结构与2003年Mohamed Elgamel提出的最新设计相比,空负载时,功耗延迟乘积项分别有61.0%和58.4%的降低;扇出为3时,分别有25.3%和45.3%的降低。 相似文献
527.
ZnO纳米棒的CBD法制备及表征 总被引:1,自引:1,他引:0
在低温条件下,采用化学溶液沉积法(CBD)生长出ZnO纳米棒.探讨了反应的最佳温度,并在最佳实验条件下成功在光滑的玻璃衬底上制备了近一维ZnO纳米棒阵列.利用差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对产物进行结构、形貌和光学性能表征.结果表明:反应的最佳温度为92 ℃,产物为结晶良好的六角结构晶体.PL测试显示紫外发射峰较强,这说明产物的结晶状况很好,另外通过计算紫外峰和缺陷峰的比值,可知其比值可以达到2.21,这说明产物有较好的光致发光性能. 相似文献
528.
冲击式水轮机性能换算的新理论提案(Ⅰ) 总被引:9,自引:1,他引:8
对冲击工水轮机喷嘴内部单相流的壁面摩擦损失及喷嘴后气液二相自由射流,提出了新的性能换算相似准则。除了考虑模型至真机的比能性能偏移影响外,还考虑了水轮机流量及动力换算的性能偏移。指出了发生于多喷嘴冲击式水轮机射流干涉的强比尺效应,并说明了为实现对其进行预测,必须用CFD定量地把握自由射流的衰减及水斗缺口的出流状况。 相似文献
529.
采用在经典离子晶体作用势中附加莫尔斯势,并进行必要量子化修正,对TiO2的金红石、锐钛矿和板钛矿型晶体结构随温度、压力的变化特性进行分子动力学模拟计算,获得了比以往更为精确的模拟结果,并对高温高压下的结构特性做出了预测性计算模拟. 相似文献
530.
采用在经典离子晶体作用势中附加莫尔斯势,并进行必要量子化修正,对TiO2的金红石、锐钛矿和板钛矿型晶体结构随温度、压力的变化特性进行分子动力学模拟计算,获得了比以往更为精确的模拟结果,并对高温高压下的结构特性做出了预测性计算模拟. 相似文献