下部钻具组合的大变形分析——有限元动坐标迭代法的应用

把动坐标迭代法应用于下部钻具组合(BHA)的非线性有限元分析。为BHA的非线性分析提供了一种简便而又有效的数值计算方法.给出了动坐标迭代法三维分析时有关变量的计算公式,编制了相应的计算程序,研究了不同井斜曲率和方位曲率对钻头侧向力的影响以及线性分析和非线性分析结果对比.     

油田注水站工控机监控系统

全面介绍了所开发的油田注水站计算机检测优化控制系统的功能，配置和软件开发，并提出了注水站优化控制数学模型及其求解方法。     

基于CPLD的高速采集系统设计

采用高速A/D转换器和CPLD设计出了高速数据采集系统，利用多字节写入、单字节读出的方法降低数据写入的相对速度，实现了高速、大容量连续采样数据的存储．该系统既降低了生产成本及设计的复杂程度，又不失灵活性和实时性，是一种比较合理的高速数据采集方案．     

工程师必须掌握好语文工具

语言,是做任何工作的人必须掌握的工具,也是工程师必须掌握的工具。目前,工程技术人员对外语的重要性已有较充分的认以,学习掌握的积极性很高;但对语义的重要性认识还有所不足,表观为部分工程师和技术人员的语文能力偏低,不能用规范化的书面语言和准确的用语来编写质量合格的技术文件。例如有的文件词不达意,使工人无     

青杆林和山杨林下植物叶结构特征及其与叶干重的关系

阴暗针叶林下日平均光强为明亮阔叶林下日平均光强的五分之一;青杆林内光强为林窗下的四分之一,约20种林下植物的叶结构参量表明,随光辐射增加,叶片加厚,叶肉细胞相对体积增大,单位叶面积干重(D)在种内比较,其与叶厚度成正相关;而在种间比较,其与单位叶面积的栅栏细胞表面积的关系符合方程:D=0.274/(1 e~(3.702-0.369)(P-2) 0.14),(R=0.865,P<0.05)。而D与单位叶干重的叶绿素总量(CW)则呈显著负相关:D=0.582-0.0389Cw,(r=-0.8851,P<0.001)。     

明代伟大的地理学家徐霞客

徐霞客,名弘祖,字振之,生于明万历十四年(1586年),卒于崇祯十四年(1641年)。他平生眷恋山水间,不畏艰险、不避寒暑、不求名利、行误不悔、途穷不忧、百折不回地跋涉数万里,前后以三十余年     

代数算子方程的指数公式

在文献[1]中,我们讨论了代数算子方程的正则可解性问题。本文将研究它们的指数。如所周知,对于某些奇异积分方程,人们已很好地建立了它们的指数公式,但对一般的抽象算子方程,这一问题还远未解决。本文的目的在于给出代数算子方程的一个一般指数公式,它概括了奇异积分方程的已知结果,从而使我们较好地解决了代数算子方程理论中的另一个基本问题——指数计算问题。文中所用符号如未说明,均取自文献[1]。     

Peyer''s结淋巴细胞对结肠上皮细胞屏障功能的影响

为探讨粘膜上皮细胞与淋巴细胞相互作用的机制,利用Caco-2上皮细胞(系)与新鲜分离的小鼠Peyer's结淋巴细胞共培养模型,采用短路电流检测单层上皮细胞跨上皮电阻(TER)的变化,半定量RT-PCR方法检测上皮细胞间的紧密连接相关蛋白ZO-1和ZO-2 mRNA的表达以及ELISA方法测定相关细胞因子mIL-6和hIL-8的变化.结果表明,Peyer's结淋巴细胞可以较好地维持上皮的屏障功能,但当痢疾杆菌F2a-12脂多糖(LPS)作用后,却使跨上皮电阻明显降低.细胞因子mIL-6和hIL-8在不同共培养情况下的差异表达,揭示淋巴细胞与上皮细胞间的"对话"包括细胞间的直接接触作用.     

台湾保健食品考察报告

台湾的健康食品与祖国大陆的保健食品概念相同,年销售额已逾300亿新台币,1999年颁发了《健康食品管理法》等一系列法规。台湾受美国和日本的保健食品的引导,同时又受到中医药养生保健理论的影响,因而融汇了中西保健食品的特点,台湾凭借其先进的食品加工技术,良好的学术研究环境,结合祖国优秀的中医食疗理论,计划建立世界上独特的食物预防医学体系,使保健食品业在国际市场上占有一席之地。     

LaNiO3底电极上Bi4Zr0.5Ti2.5O12薄膜的制备及性能

利用Sol-gel法在p-Si(111)衬底上制备了LaNiO₃底电极, 再利用Sol-gel法在LaNiO₃底电极上制备出Bi₄Zr_0.5Ti_2.5O₁₂(BZT)铁电薄膜, 对其微观结构和电学性能进行了研究. 利用X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电镜观测其微观结构, 发现制备的BZT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构, 并且薄膜表面晶粒尺寸均匀, 结晶情况良好. 对Pt/BZT/LaNiO₃电容结构进行了铁电性能研究, 在测试电压为25 V时, 2Pr和2Vc分别达到28.2 μC/cm²和14.7 V; 经过1×10¹⁰次极化反转后, 剩余极化值下降了大约13%; 室温下, 在测试频率1 kHz时, 薄膜的介电常数为204, 介电损耗为0.029; 漏电流测试显示制备的BZT薄膜具有良好的绝缘性能; C-V曲线为顺时针方向回滞, 存储窗口大约为3.0 V, C-V特性测试显示这种Pt/BZT/LaNiO₃结构有望实现极化型存储.