与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计

描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0μm 2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell;通过将高压注入与栅极多晶保持0.2μm的间距解决了增加结深、提高速度与降低穿通击穿电压的矛盾;通过一次离子注入实现了高压nMOSFET阈值电压的调整.测试结果表明:高压nMOSFET的击穿电压达到21～23 V,远大于ONO反熔丝13.5 V的编程电压;饱和电流为4.32 mA,与工艺改进前相比饱和电流明显增大,工作速度得到提升,满足反熔丝FPGA工作频率的要求;阈值电压为0.78 V,与常压器件兼容.     

面向空间辐照环境的星载高速数字接口芯片设计方法

针对空间应用的高速串行接口芯片易受单粒子辐照而出现误码的问题,提出了一种面向空间辐照环境的星载高速数字接口芯片设计方法。首先,针对空间辐照诱发单比特错误导致高速串行接口传输出错问题,计算辐照时的高速串行接口误码率最劣值;然后,通过误码率最劣值计算出辐照环境下高速串行接口无误码传输所需的增益;最后,采用叠加编码增益及辐照干扰的高速串行接口链路评价模型,计算出高速串行接口物理编码子层(PCS)中不同编码方式的编码增益,并评估编码增益对辐照降低高速串行接口误码率的补偿效果,根据补偿效果选择RS-8B/10B级联编码作为PCS编码。采用该高速数字接口芯片设计方法设计了一款速率为3.125Gb/s的抗辐照高速串行接口芯片,其面积为4.84mm²,典型功耗为207mW。单粒子辐照试验结果表明,对比传统设计方法,新的设计方法将芯片的单比特错误阈值提升了9MeV·cm²/mg。     

EBA-LRU-SEQ Data Cache Policy in DSP to Optimize the Power Consumption

The power consumption by the data cache is important in DSP designs.This study presents an enhanced branch access LRU-SEQ(EBA-LRU-SEQ) policy for data caches in DSP designs to reduce the power consumption.The design is based on the LRU policy with embedded prefetch table to provide branch access.Tests show that the EBA-LRU-SEQ policy reduces the data cache power consumption to 54% of a system with no power control.     

一种增加了对称破缺的改进子集可满足性算法

为了消除子集可满足性算法在布线过程中带来运行时间增加的负面影响,提出了一种新的布线流程.针对子集可满足性算法在求解同时增加额外的变量和字句,而使得对称数量按指数级增长的问题,选用增加静态对称破缺的方法对合取范式(CNF)进行预处理,侦测并破缺其中的对称,从而达到减少搜索路径的目的.用简化图自同构的方法侦测所有对称,在增加合适的对称破缺判定(SBPs)后,限制搜索在空间的非对称领域进行,从而减少了搜索空间,而不影响CNF公式的可满足性.然后把预处理过的CNF送入布尔可满足性(SAT)解法器进行求解.试验结果表明,这种方法可以显著减少运行时间,加速求解过程.     

一种改良汽车电子导航算法

介绍一种基于全球定位系统(GPS)和电子地图(GIS)的车辆路径诱导系统改良禁忌搜寻法,实验结果显示,相比常用的禁忌搜寻法,改良禁忌搜寻法在布线时间上减少了45%。