杂种鹅掌楸体胚苗根尖染色体核型分析

分别采用冰水混合物、0.7 mmol/L环己酰胺和0.2%秋水仙素3种试剂,在多个时间梯度对生长旺盛的杂种鹅掌楸体胚苗根尖进行预处理,并采用压片法进行制片观察。结果表明:采用冰水混合物处理6 h,0.7 mmol/L环己酰胺处理2 h,0.2%秋水仙素处理4 h,均可获得较多的根尖细胞中期分裂相。相比较而言,采用环己酰胺和秋水仙素作为预处理试剂获得的染色体形态较好。利用0.7 mmol/L环己酰胺对鹅掌楸根尖染色体进行2 h的预处理后,采用卡宝品红压片法制片进行染色体核型分析的结果显示,杂种鹅掌楸染色体为38条,核型公式为2n=38=26m+8sm+2st+2t,核型属于2B型。     

浅论农村人畜饮水供水安全与饮水工程管理

为适应农村人畜饮水的需要,配合农村人畜饮水安全与饮水工程管理建设,在改善农村饮用水条件,实现饮水安全目标,提高农村饮用水质量,在农村人畜饮水工程管理上实行规范化管理,加强工程建后管理。     

饲用玉米新品种引进种植试验初报

为筛选适合临夏州大部分地区种植的高产优质饲用玉米品种,2009年-2011年,共引进7个饲用玉米新品种进行双垄沟播种植试验。结果：富农1号：豫玉22号、酒688三个品种适合在干旱山区种植;豫玉22号、富农1号、酒688三个品种适合在二阴半干旱山区种植。豫玉22号、富农1号二个品种适合在川原灌区种植。     

φ-半压缩映象带误差的Ishikawa迭代的稳定性

目的在任意实Banach空间中，研究非线性映象不动点迭代程序的稳定性。方法φ-半压缩映象带误差Ishikawa序列的逼近法。结果给出了φ-半压缩映象带误差的Ishikawa迭代序列的收敛及稳定性定理。结论改进和发展了献[2，4—6]的相关结果。     

铁熔体快速冷却过程的分子动力学模拟

利用LAMMPS建立8×8×8原子箱,采取EAM模拟大量铁原子体系。先对体系升温,让体系充分均匀,然后对体系进行不同冷却速度下的降温。经过分子动力学模拟得到能量温度曲线、径向分布函数(RDF)和体系结构。结果表明:冷却速度低于1.8×1010K/s时,结晶相变点和熔点基本重合;冷却速度超过1012K/s时,生成物为非晶;铁熔体的过冷度可达到700 K;冷却速度在1011K/s附近时,能够生成体心立方的Fe单晶。     

SRAP分子标记分析芫花遗传多样性

采用SRAP分子标记对芫花的遗传多样性进行了分析.结果每对引物组合产生8～20条比较清晰的扩增带.10对引物组合共产生473条扩增带.平均每对引物组合产生47.3条.10对引物组合共产生多态性带92条,每对引物组合产生7～14条,平均为9.2条.每对引物组合产生的多态性带的比例为10.9%～29.1%,平均为19.44%.结果表明,SRAP标记多态性还是较高的,可以用于分析芫花的遗传多样性.     

干旱胁迫对大蒜生长及生理特性的影响

为探讨大蒜植株对干旱胁迫的生理响应特征,本研究以"乐都紫皮大蒜"为试验材料,采用人工控水的方法,研究干旱胁迫对其植株生长特性、根解剖结构及生理指标的影响。结果表明:干旱胁迫影响了大蒜植株的形态,使其叶片皱缩发黄,根长变短;胁迫处理下,大蒜的株高、假茎粗、最大叶长及地上部鲜重均显著低于对照,胁迫7~35 d各生长指标变化幅度不大,干旱胁迫抑制了植株的生长;对根系解剖结构的观察发现,胁迫使根部皮层薄壁细胞扭曲变形,部分细胞破裂,内皮层细胞及韧皮部体积减小;胁迫对叶片生理特性也存在显著影响。干旱处理降低了叶片含水量和总叶绿素含量,同时,胁迫通过"先促进合成后抑制累积"的方式调控可溶性蛋白及可溶性总糖的代谢,从而响应干旱逆境。     

基于CFD的置换通风空调房间数值模拟

以下送风置换通风空调房间为例,采用计算流体力学CFD软件,运用两方程湍流模型模拟置换通风房间的温度场和污染物浓度场,揭示了置换通风在提高人体的热舒适性、改善室内空气品质、节能等方面的作用.模拟结果对改善室内空气品质具有指导意义.     

CuZnAl形状记忆合金的拉伸曲线模型

采用电子万能拉伸试验机对CuZnAl形状记忆合金进行了拉伸试验．试验结果表明。拉伸曲线的骨架曲线与滞回曲线因为残余马氏体量不同而形状不同．由于马氏体开始转变温度的不同．CuZnAl形状记忆合金的骨架曲线模型与滞回曲线模型的参数稍有区别,因此,不同相变温度的CuZnAl形状记忆合金的模型需要作修正．另外,马氏体状态记忆合金的力学曲线模型为双线性模型．     

基片氧化层对纳米FeCo/SiO2复合薄膜结构和磁性的影响

采用溶胶-凝胶旋涂法结合氢气还原工艺,在Si基片上制备了纳米FeCo/SiO2复合薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对样品进行了测试分析,研究了基片氧化层对薄膜样品微观结构和磁性能的影响.结果表明,基片表面的氧化层起到较好的隔离作用,防止了Si与Fe发生反应,提高了FeCo的晶化程度,增大了薄膜饱和磁化强度,降低了薄膜矫顽力,有利于复合薄膜软磁性能的提高.