非平衡磁控溅射掺Cr类石墨镀层的结构分析

采用非平衡磁控溅射离子镀技术,通过调节Cr靶的溅射功率,在单晶硅基片上沉积制备了一系列不同Cr含量的类石墨(Cr-GLC)镀层样品.利用Raman光谱仪、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子电镜(TEM)、显微硬度计分析了Cr-GLC的微观结构和显微硬度.结果表明,利用非平衡磁控溅射得到的Cr-GLC镀层,随Cr含量的增高,硬度逐渐降低并趋于稳定.当Cr含量小于4%时,Cr只以单质非晶态分布于非晶GLC中,Cr的掺杂降低了内应力;当Cr含量超过4%后,还有CrCx纳米晶存在于非晶态的GLC中;镀层由C、Cr和CrCx纳米晶粒组成非晶结构.     

集成化Drop-in微带环行器

Drop- in微带环行器 (或落入式 )是适应于毫米波集成电路要求的一种新型微波器件。在对此类器件的结构和特性进行介绍的同时 ,对环行器设计中遇到的几个问题进行了讨论     

基于第一性原理计算OsB_2的点阵动力学

利用基于密度泛函理论平面波赝势法的第一性原理计算,研究过渡金属化合物OsB2的点阵动力学.结果表明所有的带心光学声子模对应的原子都沿c轴方向振动,低频拉曼活性模式由重原子Os运动产生,重原子Os对电声耦合作用的贡献最大,而总的电声耦合作用较弱,说明OsB2是弱的电声耦合超导体.     

磁控溅射类石墨镀层结构的Raman光谱和XPS分析

利用非平衡磁控溅射离子镀技术在单晶硅片上沉积了类石墨碳镀层,采用X射线衍射(XRD)、激光Raman光谱和X 射线光电子能谱 (XPS)等分析方法对镀层的微观结构进行了研究.结果表明:不同成份类石墨碳镀层的Raman光谱与宽化的多晶石墨Raman光谱相似,类石墨碳镀层是以sp2键结构为主,且含有多种纳米团簇颗粒的非晶镀层,sp3键含量在12～15%范围;根据高斯解谱计算,镀层中碳团簇线度为1.2 nm以下,并随铬含量增高而减小;镀层主要由单质碳、铬及其铬氧化物组成,并随铬含量增高,逐步有碳铬化合物形成.     

ReB2电子结构性质的第一性原理计算

利用全势线性缀加平面波方法计算ReB2的体模量、价电荷态密度、电子能带结构和电子态密度.计算发现当取B’0=4时,局域密度近似（LDA）考虑自旋轨道耦合（SOC）得到的体模量为360 GPa,与实验值吻合的很好.电子能带结构表明ReB2具有特殊的金属特性,LDA＋ SOC计算结果发现几乎所有能带沿L-H-A方向发生分裂.价电荷态密度和电子态密度结果表明Re-d和B-p态之间存在强的杂化,形成Re-B共价键,这类共价键是ReB2具有高硬度的主要原因.