突变无毛昆明小鼠的培育及其生物学特性的研究

本研究的目的：培育无毛昆明小鼠并对其生物学特性进行初步研究;方法：按照封闭群小鼠的培育方法,扩大小鼠种群数量。通过观察小鼠的生长繁殖特性、脏器系数测定和病理检查等,研究无毛小鼠的生物学特性;结果：无毛小鼠的生长繁殖特点与昆明小鼠无明显区别,脾脏和胸腺指数显著低于昆明小鼠。与正常小鼠相比,无毛小鼠皮肤变薄,皮肤附属器明显减少,真皮内毛囊数目明显减少,间质胶原纤维变性;结论：培育的无毛小鼠种群稳定,其皮肤和免疫器官有明显异常．     

用类氟原子波函数对H2-7团簇的结构与能量的研究

在单中心球模型近似下,选用类氟原子解析波函数,用变分法计算了H2-7团簇正八面中心结构与能量.结果表明,当中心氢原子核到顶角氢原子核之间的距离R=3.16 a0时,体系能量有一极小值E= -4.153h0（a0=0.529177×10-10 m, h0=27.2 eV）,这表明H2-7团簇正八面中心体结构是稳定的结构,H2-7团簇是可能存在的.     

毫米波单片低噪声放大器的研制

采用OMMIC0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用串联负反馈结合并联负反馈的结构,可以获得比较平坦的增益;三级低噪声放大器采用三级相似的串联负反馈结构级联,可以紧凑结构、在相同的芯片尺寸下获得较高的增益,2种低噪声放大器芯片的尺寸均为1.5mm×1.0mm.测试结果表明,在28~40GHz频段内,两级低噪声放大器增益最大为15.4dB、噪声系数最小为3.2dB;三级低噪声放大器增益最大为24.8dB、噪声系数最小为2.73dB,达到预期目标.     

共和盆地干热岩特征及利用前景

 2011 年以来,国家及青海省政府在青海省海南藏族自治州共和县恰卜恰镇地区相继开展了一批地热资源勘察工作,发现共和盆地基底由印支期花岗岩组成,岩体地温梯度异常明显,最高可达11.5℃/100 m,2200 m 左右温度达到150℃,3000 m 岩体温度接近200℃,预计4000 m 时温度可达260℃以上,表明盆地具有分布广泛、埋深相对浅的干热岩资源。利用此干热岩资源,不仅填补中国新能源利用的一项空白,而且对当地人居条件改善、工农业发展具有现实意义。     

清代玉米的引进与推广对贵州石漠化的影响

玉米的生物属性最适合贵州山地种植。玉米在明末传入贵州后,乾隆年间普遍推广,道光时期玉米己是贵州主要粮食作物。玉米种植带来贵州山地垦殖高峰,从而引起了水土流失,贵州石漠化问题在清代已显现出来,而道光前后是贵州生态灾变的重要时期。玉米种植普遍的地区也是石漠化较明显的地区。     

基于可拓学的轨道交通与常规公交换乘收益分配

为解决轨道交通与常规公交换乘收益分配冲突问题,维持企业运营协调的稳定性,应用可拓学方法为企业提供换乘收益分配方案.从贡献和风险2个方面分析了换乘收益分配影响因素,在此基础上,提出了换乘收益分配比例公式,并建立了问题的形式化物元模型和可拓关系模型以衡量换乘收益分配冲突程度.在构建公共交通企业简单成本蕴含系的基础上,分析了生成收益分配协调可行性方案的条件转换桥方法和对可行性方案进行筛选的可拓优度评价方法.算例分析结果表明,可拓方法能够较好地解决换乘收益分配问题.     

ICP -AES测定魔芋粉中微量元素的方法研究

提出魔芋粉中多种微量元素的等离子体原子发射光谱 (ICP -AES)测定的方法 ,采取四种不同的样品消化方法 ,测试了不同样品消化方法下的精密度和回收率等。结果发现采用方法D消化样品具有灵敏 ,准确及多元素同时测定 ,操作简单 ,快速等优点     

建构主义及其对当今幼儿教育的贡献

建构主义(Constructivism)在当今是理论界、学术界的“热点”,建构主义者提出的各种关于学习、教学的观点对当今的教学改革很有启发。作为基础教育的基础,学前教育从中得到许多启示：     

分离型热管充液率运行边界探讨

首先基于质量守恒原理推出充液率方程,综合考虑分离型热管的尺寸、工质蒸发温度及热输入量对充液率的影响,同时结合两相流换热流动特性,引入工质液膜速度沿膜厚度方向上的分布关系,建立一维、稳态数学模型,计算了分离型热管充液率的上、下边界,并分析了蒸发段长度、工质蒸发温度及热输入量对充液率运行边界的影响．结果表明蒸发段长度对充液率上边界值几乎无影响,但是对下边界的影响很大;工质蒸发温度升高,容易达到下边界值．对于不同的工质,热管可运行的充液率范围不同,本文列举了经常使用的水和甲醇,结果表明甲醇的充液率范围较大,通过实验对模型结果进行验证,表明模型与实验能够较好的吻合。     

低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析

针对低阻硅TSV热力学研究的空白做出了相应的仿真分析.首先介绍了低阻硅TSV转接层的加工工艺,接着基于实验尺寸,在350℃工艺温度下,模拟了低阻硅TSV的涨出高度及应力分布.不同于铜基TSV,低阻硅TSV的涨出区域主要集中在聚合物绝缘层的上方.为了减小低阻硅TSV的涨出高度及热应力,分别对工艺温度、表面SiO₂厚度、低阻硅TSV的直径、高度、间距和BCB绝缘层厚度进行了变参分析.结果表明,减小BCB绝缘层的厚度及高度以及增加表面SiO₂厚度是抑制低阻硅TSV膨胀高度及减小热应力的有效方法.