在心脏组织表达的一个人类新基因

KRAB／C2H2型锌指蛋白是一类具有重要功能的转录调节因子，初步克隆了一个新的人类KRAB／C2H2型锌指蛋白基因，经国际基因命名委员会批准命名为ZNF382，此基因长2824bp，含5个外显子，4个内含子，在基因组DNA上长约23kb，它编码548个氨基酸，在氮末端含一个KRAB框，碳末端含一个未成形的锌指(VZF)和9个锌指(ZF)，Northern杂交结果表明，ZNF382mRNA在早期胚胎时期(至少在妊娠34d之前)就开始表达，在不同时期人类胚胎组织中广泛表达，包括小脑、肾、大脑、肺、心脏、骨骼肌、舌和肾上腺，在成人组织其表达限制在心脏，其结构和表达特征预示着ZNF382在心脏发育和功能的发挥起着潜在的作用。     

蒸馏水润滑下Si3N4—白口铸铁摩擦面上表面膜的分析

在环－块磨损试验机上考察了蒸馏水润滑下Ｓｉ３Ｎ４分别与白口铸铁和碳钢（作对比用）配副的摩擦磨损特性．在ＳＥＭ下观察了白口铸铁磨面表面膜的形成过程，用ＸＰＳ、ＦＴＩＲ和ＸＲＤ分析了表面膜的成分、组成与结构，并对其形成机理进行了探讨．结果表明，Ｓｉ３Ｎ４在水润滑下摩擦时磨面上发生了氧化和水解反应：当Ｓｉ３Ｎ４与白口铸铁配副时，由于铸铁中碳化物的剥落而形成剥落坑，Ｓｉ３Ｎ４磨屑嵌入剥落坑并氧化和水解，其反应产物富集于剥落坑中，脱水聚合后形成硅胶，从而在磨面形成具有一定厚度和面积的含硅胶的表面膜，表面膜的形成保护了陶瓷和铸铁磨面，使其变得很光滑，从而使摩擦系数降至０．０２，并使系统磨损率几乎接近于零；当Ｓｉ３Ｎ４与碳纲配副时，由于碳钢没有能力富集Ｓｉ３Ｎ４的氧化和水解产物，故磨面不能形成有效的表面膜，所以其摩擦系数仍然较高，且系统磨损率亦较大     

硫酸盐光亮镀铜组合光亮剂的研究

本文对硫酸盐光亮镀铜组合光亮剂进行了探索，将研制得到的三种组合光亮剂与进口光亮剂进行性能测试并比较。结果表明：研制的三种组合光亮剂性能虽然比进口光亮剂稍逊，但综合考虑，在生产上仍是可用的。     

土地规划图编绘方法与应用实践

介绍了土地规划图的概念，种类，特点，重点对土地规划图的编绘原则，程序，方法和土地规划的应用实践进行了阐述。     

高校图书馆科技信息资源与中小企业共享模式

高校图书馆拥有较丰富的科技文献信息资源及人才和技术优势，应当突破传统的管理模式和服务方式，顺应时代的发展要求。根据社会需要，深入开发科技文献信息资源，在为校内教学、科研服务的同时，应积极面向经济建设的主战场，为中小企业服务，开展各种形式的科技文献信息服务。     

兰州市健康人血清蛋白电泳参考值及2种电泳介质的结果评价

采用琼脂糖凝胶法和醋纤膜法分别对216例健康成人血清进行蛋白电泳,其中琼脂糖凝胶法兰州市正常成人血清蛋白电泳参考值为ALB(62.9±5.3)%、α1(2.5±1.0)%、α2(8.4±2.8)%、β(10.3±3.3)%、γ(15.9±5.1)%,与醋纤膜法电泳结果比较,各组分均相差显著(P<0.01).其结果老年组与中青年组相比较,各蛋白组分值均相差显著(P<0.05).成年男女ALB、γ带相差显著(P<0.05),α1、α2、β带相差均不显著;电泳介质性质的不同使得2种电泳结果各组分差异显著.     

纳米粉Ba1-xSrxTiO3的合成

根据液相反应胶粒析出机理及实验原理，制备了Ba1-xSrxTiO3的前驱体(Ti(OH)4、SrCO3,BaCO3),然后经过焙烧，在较低温度(450℃)时是碳酸钡锶和二氧化钛分子状态的混合纳米晶，继续焙烧(900℃)成为发育完整的Ba1-xSrxTiO3纳米粉体，经TEM和XRD表征，平均粒径为100m，粒径分布较窄，分散性良好，XRD表明此纳米粉体为钛酸钡锶Ba1-xSrxTiO3。     

噻吩甲酰三氟丙酮铕配位聚合物纳米粒子及其薄膜的制备与光学性能研究

采用简单的混合溶剂热、无模板剂的方法,以Eu(NO_3)_3·6H_2O为金属离子源、噻吩甲酰三氟丙酮(HTTA)为有机配体,成功制备了噻吩甲酰三氟丙酮铕配位聚合物(Eu-CP)纳米粒子.用不同手段对合成的产物进行了表征,并对其发光性能进行了研究.通过与聚甲基丙烯酸甲酯混合,以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,采用旋涂法制备了系列不同原料配比的Eu-CP纳米粒子旋涂膜,并对比了它们的荧光强度.探讨了所得旋涂膜的光稳定性以及热稳定性.     

一种提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法

源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数.本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的方法.本方法通过测量固定偏压条件下一个器件的两条线性区I_d-V_(gs)曲线之比,推导出纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻,操作简单,精确度高,避免了推导过程中由沟道迁移率退化引入与器件栅长相关的误差.我们详细研究并选取合适外加偏压条件,保持推导过程中沟道迁移率恒定,确保源/漏寄生电阻值的稳定性.在固定外加偏压条件下,我们提取了45 nm CMOS工艺节点下不同栅长器件的源/漏寄生电阻值,结果表明源/漏寄生电阻值与栅长不存在直接的依赖关系.最后,我们研究了工艺过程和计算过程引入的波动并进行了必要的误差分析.     

大兴安岭中段哈达陶勒盖组火山岩U-Pb定年及成因

为了研究大兴安岭中段哈达陶勒盖组火山岩的形成时代和岩石成因,进行了锆石U-Pb同位素年龄测试和地球化学研究.LA-ICP-MS锆石U-Pb定年结果显示,哈达陶勒盖组火山岩形成于234~244Ma的中三叠世.岩石地球化学研究表明,哈达陶勒盖组火山岩具有低硅富碱、富钙镁的特征;稀土丰度总量w(∑RE)= 122.32×10^-6~140.66×10^-6,轻、重稀土分馏较明显,m(La)/m (Yb)_N=11.99~18.68, 无明显Eu负异常(δ_○Eu=0.84~0.98),微量元素以富集Rb,K,Ba,Th,亏损Nb,P,Ti为特征.哈达陶勒盖组火山岩岩浆源区为富集的岩石圈地幔, 并遭受了地壳物质的混染.