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报道淀积条件对以非晶态硒化镉(a-CdSe)为光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响. 相似文献
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采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论. 相似文献
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利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心. 相似文献
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本文介绍了一种用微机进行采样与控制的光谱自动测量系统,它测量速度快、精度高、稳定性好、适应性强,对普通的实验室光谱测量是一大技术改进. 相似文献
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激光热处理的工艺与机理探讨 总被引:3,自引:1,他引:2
实验中经激光热处理的缸套表面硬度可达HV800 ̄1000,使用寿命提高2倍以上。文中探讨了工艺条件,初步分析了激光热处理的硬化机理,认为晶粒细化,马氏体高位错密度和固溶含碳量是获得超高硬度的主要原因。 相似文献
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郭亨群 《华侨大学学报(自然科学版)》1989,(1):11-17
本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中心的陷获空穴对自由电子的俘获过程所限制,掺杂改变了定域态分布的形状,因而改变了光电导与光强关系的指数ν.掺杂也改变了费米能(?)的定域态密度,轻度的磷掺杂可以使光电导增大,,当磷掺杂使费米能级与导带扩展态距离小于0.25eV 时光电导反而变小. 相似文献
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硒化镉薄膜结构形貌和光谱特性的测试与探索 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍硒化镉(CdSe)薄膜结构形貌和光谱特性的测试研究结果,以及制备工艺条件对该薄膜的结构形貌和光谱特性可能产生的影响所进行的某些探索。 相似文献
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提高有机发光二极管性能的互掺过渡层 总被引:3,自引:2,他引:1
研究互掺过渡层对有机电致发光器件性能的影响。在有机发光二极管(OLED)的电子传输层(ETL)与空穴传输层(HTL)、空穴传输层与空穴注入缓冲层之间,加入由这两层材料组成的浓度渐变互掺过渡层,它消除有机层间的界面,减少有机层间的缺陷,且与没有过渡层的器件相比,器件性能明显提高。 相似文献
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本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。 相似文献