工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计

本文旨在设计一种无三极管无大电阻无运放的纯MOS电压基准源,采用的方法是利用工作在亚阈值区的NMOS和自偏置的共源共栅NMOS组合。采用CSMC(华润上华)0.5 umBiCMOS工艺,在MOS工艺角sf、27℃,得到输出基准电压为1.520 V,电路功耗仅200 nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.33 ppm/℃.     

工作在亚阈区之纯MOS管电压基准的设计

采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的,工作在亚阈区的纯MOS电压基准源.利用CSMC(华润上华)0.5μm BiCMOS工艺,采用Cadence spice软件仿真.测试结果显示,输出基准电压为1.520V,电路功耗仅200nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.30ppm/℃.     

甲醇废催化剂综合利用的研究

利用阴离子交换树脂膜的选择透性，自制了原电池电解槽，用离子交换树脂膜电渗析法回收甲醇废催化剂中的有用物质。结果表明从１００ｇ废催化剂中，可回收电解铜３０．５９ｇ（纯度达９９％以上）、结晶硫酸锌７７．９４ｇ、重铬酸钾结晶２８．６９ｇ、硫酸亚铁晶体８６．８８ｇ。该法既不消耗电能，又能利用工厂的废旧铁皮作电极。