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本文研究了不同结构工艺参数的电力半导体器件正向衰减电压与器件在大注入、中注入、小注入条件下,体内载流子有效寿命的关系。为在各种不同注入水平下载流子寿命的测试与分析提供了理论和实验依据。 相似文献
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本文探讨了包括大注入效应,元件结构参数影响在内的大功率晶闸、管、整流管在不同注入水平下载流子有效寿命的变化规律。同时用开路电压衰减法探讨了不同注入水平下载流子有效寿命的测试方法。通过理论分析和实验提出了几点建议。 相似文献
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本文主要研究不同结构工艺参数的电力半导体器件,其体内扩散电流、空间电荷区复合电流、势垒电容、扩散电容、渡越电容诸物理量对正向电压衰减曲线尾部的影响及其变化规律。为进一步研究衰减曲线的变化规律和测试电力半导体器件在不同注入水平下的载流子寿命值,提供了理论依据。 相似文献
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本文利用场限环理论和消除寄生晶体管效应等措施,提出了保证在原胞区击穿电压不降低的前提下,VDMOS导通电阻R_(on)及其结构参数的最佳设计方法。与以往的方法相比,具有使BV_(DS)容量和R_(on)值之间获得统筹考虑的优点。 相似文献
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