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Bi_2Te_3及以它为基的固溶体具有较高的温差电性能,是近十年来研究最多、运用最广的温差电致冷材料。Bi_2Te_3晶体显示很強的各向异性,具有多重极值的复杂能带结构。因此研究它的输运性质有助于加深电子在各向异性很显著的晶体中运动规律的了解。近年来,曾发表不少研究Bi_2Te_3输运性质的工作,但不同作者所得结果,例如迁移率、晶格热导率及载流子的有效质量等输运参量都有差异,且所有已发表的工作也均未研究晶体的金相结构对这些参量的影响。我们用纯度99.999％的材料用Bridgman法生长Bi_2Te_3,单晶和取向晶体,金相观察发现在P型和N型晶体中都存在杂质(或组 相似文献
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对 MBE-GaAs/Si 进行离子注入和退火.GaAs 外延层的厚度为0.9-2.0μm.Si离子的注入能量及剂量分别为1.2-2.8MeV,l×10~(14)-7×10~(15).cm~(-2).退火采用红外瞬态退火(850℃,15s)及白光退火(1050℃,8s).背散射沟道分析采用4.2MeV~7Li.实验表明,注入结合退火是改善 GaAs 外延层晶体质量的一种有效方法.注入剂量过大,由于正化学配比遭到破坏,外延生长终止. 相似文献
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