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本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测定.该方法在研究Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3、ZnO及BaTiO_3半导体瓷应用中得到有意义的结果. 相似文献
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考虑到铁电畴层波色散方程的复杂性,通过分析其色散曲线的特点,在大量数值计算的基础上,讨论了传播介质的材料常数对铁电畴层波色散特性的影响,找出了传播介质的材料常数对铁电畴层波相速度极小值vmin及与之相对应的频率因子kh的影响规律,为铁电畴层波的实际应用提供了理论基础. 相似文献
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本文报导了用不加正交磁场的低温反应射频溅射生长C轴择优取向AIN多晶膜的方法,用该法在多种基片(特别是在镀铝玻璃片)上制得了择优取向的AIN多晶膜.文中还报导了用XRD与电镜测试AIN多晶膜的结果.初步分析了取向度和粒度大小与工艺条件的关系. 相似文献
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本文用普遍的压电耦合波动方程,详细研究了6mm类晶体半空间中的表面波问题。当弧矢面与c轴垂直时,获得了一对新的准声表面波的解析解,并证明其中之一是Bleustein—Gyulaev波的精确解。 相似文献
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本文从一般的压电方程出发,给出了在双层压电板的180°畴中传播的SH型电声表面波波解,着重讨论了两层的厚度相等时的情况,并给出了其色散关系及波场的空间分布.理论分析和实验测试均表明等厚双层压电板与铁电畴层波波导具有相似的传输特性,且更有利于低频信号的传输. 相似文献
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在镀Pt的Si基底上用射频溅射方式制备了Pb(Zr0.55Ti0.45)O3铁电薄膜,成膜温度为250℃。X射线衍射分析表明几乎没有焦绿石相产生。另一方面,氧化钛-氧化锆固溶体则作为反应产物出现,由此提出了PZT固溶体的一种可能的形成机理。 相似文献
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本文用光谱分析的方法研究低温反应射频溅射生长的A1N薄膜。结果表明,薄膜的红外吸收谱在700cm~(-1)处有一吸收带,与块状晶体相同,因此有较宽的红外透过区。热处理后红外谱无明显变化。薄膜的紫外吸收谱表明:禁带宽度为5.9~6.0eV,在N_2中热处理后,吸收过不发生平移,禁带宽度也不发生变化。在O_2中处理两小时后,禁带宽度减小到5.7eV。所有热处理都使非指数尾部变化。 相似文献
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锆钛酸铅镧陶瓷(PLZT)应力偏压铁电光导器件已经报导过。他们所用结构为透射式,(在读出操作中,光通个整个器件)。透射式器件具有几个缺点:(a)对于读出光的波长,光导膜必须具有低的损耗。(b)在一个透射式的器件中,不能同时进行写入与读出,除非光导膜对读出光的波长没有反应。(c)假设希望低介入损耗,陶瓷片必须厚到足够产生一个完全半波长的延迟(一般需要片厚为150微米左右)。在应力偏压器件中,分辨率受到与片厚有关的边纹区域所限制(最小分辨元约为1/3片厚)。因此,陶瓷片尺寸必须足以适应所予期的信息元的数目,并且假设使用一个厚片,则器件的分辨率有明显的各向异性,(平行于张力的线条的分辨率小于垂直于张力的线条的分辨率)。在使用薄陶瓷片时,这个效应减少了。 相似文献