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Thomas-Tow(T-T)电路是有源RC滤波器设计中常用的一种基本二次块,全集成MOSFET-C T-T电路往往采用平衡结构来实现,在高频下工作时,由于MOSFET的分布电容及运算放大器的有限增益带宽乘积(GB)的影响,集成T-T电路的主极点频率ω_0及品质因数Q_0值均会发生明显变化,本文用极点分析方法详细探讨了这些影响,所得出的结论对这类高频集成滤波器的设计有应用意义。 相似文献
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MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管跨导结构是全集成 MOSFET-C连续时间滤波器的基本电阻结构.本文根据导出的 MOSFET 伏安特性的傅里叶公式,提出了失配情况下 MOSFET 跨导结构非线性的谐波分析法,并给出了详细表格以供应用时参考. 相似文献
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