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提高硅铜片磁性能的最佳途径是提高钢片的硅含量。本研究采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法，在(0．1～0．3)mm厚的普通硅钢片表面上涂硅，然后进行短时间高温扩散处理。结果表明：硅钢片的Si含量可达到6．5％，磁性能有很大改善。在(460-600)℃范围内渗硅，其它条件不变，渗硅速度随着温度的升高而降低，这是由等离子体反应的特殊动力学和热力学性质所决定。 相似文献
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