苯酚的非线性回归酸碱电位返滴定

在苯酚样品中加入一定量过量ＮａＯＨ标准溶液,再返滴入ＨＣｌ标准溶液若干次,依次测定ｐＨ玻璃电极在样品溶液中的电极电位．根据有关酸碱平衡和物料平衡及非线性回归原理对实验数据进行处理,用牛顿法对非线性回归进行简化计算．测定了试剂苯酚和工业苯酚,结果表明,即使是极弱酸的苯酚也能用非线性回归酸碱电位返滴定进行准确测定．     

基于微机的边界扫描测试主控系统的设计

分析了边界扫描测试技术的工作机制对测试主控系统的功能需求，提出了一种基于微机PCI总线的低成本边界扫描测试主控系统的硬件设计方案，该系统以PC机为平台，以用CPLD器件实现的JTAG主控器生成满足IEEE1149．1协议的边界扫描测试信号，并用普通的SRAM实现存存器共享，仿真表明，该系统产生的测试信号完全满足IEEE1149．1协议的时序要求，可用于IC和PCB的边界扫描测试，以及改进边界扫描测试的研究和实验。     

电动车用镍氢电池模块的充放电模型研究

在电动汽车镍氢电池改进等效电路模型的基础上，基于模糊化电池的荷电状态（SOC），利用模糊推理的方法来估计电路模型的时变参数，并以SOC为模糊输入量，电池模型参数为模糊输出量．由于模糊推理所确定的模型参数根据模糊SOC是动态变化的，因此不仅提高了电池模型的精度，而且降低了对SOC估计精度的要求．仿真试验表明，在不考虑温度影响的情况下，利用该方法所得到的电池模块端电压仿真数值与实测值的最大绝对误差为0．04V，相对误差为0．28％，说明这种变参数不变结构的自适应模型具有很高的可靠性和精确性．     

一种改进的雾化图像快速复原算法

基于暗通道理论,提出一种改进的单幅图像去雾算法,对雾化图像快速去雾.改进算法采用自适应中值滤波与双边滤波相结合的方法,计算边缘细致清晰的暗通道,根据雾天成像的物理模型估算透射图.与传统算法相比,估算出的透射图细致清晰,无需优化,克服了传统算法用大量时间优化透射图的缺点,大幅降低了算法的复杂度.试验结果表明,该算法可以实现对单幅图像的高质量快速去雾.     

低界面张力黏弹流体驱油效果评价及微观驱油机理

特低渗油藏储层物性差、层间非均质性强,注水开发过程中普遍存在含水率上升快,产量递减严重等问题,为进一步改善特低渗透油藏水驱开发效果,开展了低界面张力黏弹流体驱油研究。采用岩心驱油实验评价低界面张力黏弹流体驱油效果,并利用微观可视模拟技术研究低界面张力黏弹流体微观驱油机理。结果表明,岩心单管和双管驱油实验水驱结束,转注低界面张力黏弹流体后,采收率分别提高了7.47%、23.14%;低界面张力黏弹流体的注入可对驱油剖面进行有效调整,增加原油动用程度;水驱后剩余油主要以簇状、孤岛状、膜状、盲端状以及柱状5种形式存在,簇状剩余油所在比例最大;低界面张力黏弹流体可通过增黏、屏蔽暂堵、乳化以及岩石表面润湿性改变等多种作用机制协同,将水驱后剩余油以“塞流式”或乳化分散形成小油滴被夹带渗流运移产出,具有较好的流度控制和洗油能力,在特低渗油藏开发中具有优异的潜在应用前景。     

台湾海峡南部二测站1997年8月温、盐垂直分布的时间变化

根据台湾海峡南部 ２ 个定点多周日观测站 １９９７ 年 ８ 月的 Ｃ Ｔ Ｄ 资料,进行温、盐垂直分布时间变化的分析,结果表明：二测站调查期间基本上都存在温、盐跃层,跃层的强度和深度随时间变化较大,显示出较为复杂的温、盐垂直分布,与多种水系在此交汇有关．但二测站的下层稳定地存在低温高盐的海水,有向上涌升的趋势,并受潮流的影响,可见其所在的海域应为上升流区     

排球跳起发球技术动作结构与性能分析

讨论了排球跳起发球技术理论,提出了在学习、训练跳发球过程中应当抓好的几个主要环节,分析了跳发球技术性能.     

CPA—2系统与多道记录仪测定左室收缩时间间期的对照分析

采用多道生理记录仪直接描记法测定的 STI 作为对照,用 CPA-2系统对31例病人(自身对照)进行 STI 值的测定,以评价 CPA-2系统这一新的无创性心功能检测方法.结果显示两者所测得的 HR、Q-S_2、LVET、PEP 及 PEP/LVET均具有显著性正相关(P<0.01).说明 CPA-2系统可以替代多道生理记录仪测定 STI.     

Movemaster-EX机器人零力跟踪控制

用六维腕力传感器(HUST-FS6)检测力信号,并通过将力信号转变成机械手的位置调整量的方法,在五关节机器手Movemaster-EX上实现了顺应性跟踪控制(零力跟踪).实验结果表明,所采用的控制算法简单实用,控制效果良好,且无需测量机械手的开环刚度.对控制参数稍加改变,便可以完成插轴入孔的装配作业.本控制系统用一台386微型机作为控制主机,并采用C语言编制控制程序.     

SOI双槽隔离结构的耐压特性

理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.