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241.
磷酸铁的结晶与反应体系的酸度、温度及过饱和度相关.本文研究了不同介质中生成的磷酸铁结晶产物性能,探讨了磷酸铁纯度与反应体系相互影响关系,并制备出热稳定性好、磷铁元素摩尔比接近1的电子级磷酸铁. 相似文献
242.
马尾松二代育种群体生长和开花结实性状 总被引:1,自引:1,他引:0
对马尾松二代核心育种群体内亲本无性系的树高、胸径等生长性状及开花量、结实量等生殖性状进行了全面调查和分析。51个马尾松二代亲本无性系7年生时平均树高、胸径和材积分别为5.53 m、9.05 cm和0.021 m3,各生长性状在无性系之间的差异显著,各性状的无性系重复力较高。对进入开花结实盛期的39个无性系调查发现,开花量、结实量等生殖性状在不同亲本无性系之间的变异程度比生长性状的高。基于主要生长性状、生殖性状,将39个亲本无性系聚在4个类群内,不同类群存在显著性状差异:类群1生长性状总体较优,雌球花、球果量也较多;类群2生长性状总体较差,开花、球果量也较少;类群3生长性状较优、雄球花数量较多,但雌球花、球果数量较少;类群4生长性状总体较差,但雌球花、球果数多。无性系的雌球花、球果数与生长量呈弱度负相关,因而在选择杂交亲本或种子园建园亲本时,有必要在开展亲本配合力测评的同时,开展亲本的多性状选择,选出28个生长、生殖性状较为均衡(生长量、开花结实量均在中等或中等以上)的无性系,其单株雄球花数、球果数和单株材积分别比参试群体均值高18.2%,8.0%和9.6%。可将这些无性系作为候选优良亲本,结合亲本配合力的测评,从中选择优良的杂交亲本及二代种子园的建园材料。 相似文献
243.
基于马尾松测交系子代的生长、干形和木材密度的配合力分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用设置在浙江省淳安县姥山林场的14年生测交系交配设计(测交系未经过一般配合力测定)的遗传测定林,研究马尾松生长、干形和木材基本密度的一般配合力(GCA)和特殊配合力(SCA)及所受的遗传控制。结果表明:马尾松胸径、树高、木材基本密度和干物质积累量皆存在显著的GCA和SCA效应,其全同胞家系遗传力在0.746~0.908间,受较强的遗传控制,其中胸径、木材基本密度和干物质积累量受加性基因效应控制为主、显性基因效应次之,树高受基因的显性效应控制略高于加性效应,而树干通直度完全由加性基因效应影响。统计分析表明,来自中南部的1134、1127和5906测交系其胸径、树高和木材干物质积累量的GCA为正值且较高,而来自北部安徽的3203测交系木材基本密度的GCA最高。在9个待测系中,5476、5158、3205的胸径、树高、木材干物质积累量和树干通直度的GCA均较高,但5476和5158的木材基本密度的GCA则较低,与木材基本密度GCA较高的5910和3205差异显著。马尾松SCA的大小则独立于GCA,因性状和组合而异。依据单株干物质积累量大于总体平均值的20%及树干通直度得分不小于4的选择标准,筛选出7个优良杂交组合,其单株干物质积累量的现实增益和遗传增益分别为22.68%~67.34%和20.25%~60.13%。 相似文献
244.
针对目前工程项目成本管理现状,文章介绍了成本管理的概念,分析了目前工程项目成本管理中存在的问题,提出了改善施工企业成本管理的措施。 相似文献
245.
246.
竞争作为一种经济关系,既具有斗争性,又具有联系性和依赖性。市场经济的一个重要特征就是竞争,通过公平的市场竞争达到优胜劣汰的目的。电力施工企业在市场竞争中既有竞争所具有的共性,又有其特殊性。 相似文献
247.
投标作为施工企业经营活动的起点,对企业效益起着决定性的影响。在激烈的市场竞争环境下,投标的风险越来越大,对投标风险的认识显得更加重要,对投标过程风险的防范和控制尤为重要。施工企业只有在投标过程中加强风险管理,才能有效规避风险,降低风险损失,提高企业效益。 相似文献
248.
给出了改进的Morlet小波变换像空间的再生核函数的具体表达式及等距恒等式,并利用再生核函数的结构对改进的Morlet小波变换的像空间作出了具体的描述,并将对小波与再生核的关系得出一个新的发现,为一般小波变换像空间的讨论提供了基础. 相似文献
249.
250.
Owing to its high carrier mobility and saturation velocity, graphene has attracted enormous attention in recent years. In particular, high-performance graphene transistors for radio-frequency (r.f.) applications are of great interest. Synthesis of large-scale graphene sheets of high quality and at low cost has been demonstrated using chemical vapour deposition (CVD) methods. However, very few studies have been performed on the scaling behaviour of transistors made from CVD graphene for r.f. applications, which hold great potential for commercialization. Here we report the systematic study of top-gated CVD-graphene r.f. transistors with gate lengths scaled down to 40 nm, the shortest gate length demonstrated on graphene r.f. devices. The CVD graphene was grown on copper film and transferred to a wafer of diamond-like carbon. Cut-off frequencies as high as 155 GHz have been obtained for the 40-nm transistors, and the cut-off frequency was found to scale as 1/(gate length). Furthermore, we studied graphene r.f. transistors at cryogenic temperatures. Unlike conventional semiconductor devices where low-temperature performance is hampered by carrier freeze-out effects, the r.f. performance of our graphene devices exhibits little temperature dependence down to 4.3 K, providing a much larger operation window than is available for conventional devices. 相似文献