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11.
Cu的表面偏聚对NiFe/FeMn交换耦合场的影响   总被引：1，自引：0，他引：1  
于广华  朱逢吾  姜宏伟  赖武彦 《科学通报》2001,46(15):1258-1260
采有磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的两种NiFe/FeMn双层膜。实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Ta/Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大。测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分。结果表明以Ta/Cu为缓冲层时,Cu在NiFe层的表面偏聚是造成的NiFe/FeMn双层膜交换耦合场降低的重要原因。  相似文献   
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