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选用n-,p-和p+三种半导体硅材料作为衬底,通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜;在PS/S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线,形成了M-PS-S二极管结构;在外加直流偏置电压下分别测量它们的V-I特性,得出了不同的V-I特性曲线;V-I特性都具有整流效应.根据对所得特性的理论分析.论述了材料、工艺和结构等因素对M-PS-S特性的影响.并提出了优化设计的方法,以改善M-PS-S结构的特性,实现其在发光、敏感等方面的应用。 相似文献
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采用SOL-GEL方法分别在Si和含有SiO2的衬底上制备出PZT铁电薄膜,并获得了MFS和MFOS结构.利用MOS结构常用的C-V特性分析方法,对MFS和MFOS结构进行了高频C-V特性测试分析,研究了F/(O)S的界面特性,结果表明,金属/PZT/SiO2/Si的MFOS结构具有较低的界面态,可实现极化存储,并可望制成铁电场效应晶体管. 相似文献
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论述了铁电场效应晶体管(FFET)的基本工作原理,给出了其设计方案.采用SOL-GEL法制备了基本的MFS-FET和MFOS-FET,对其电性能进行了测试分析.测试结果表明:MFOS结构的FFET具有极化存储特性. 相似文献
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阐述了新近研制成功的HUST-YZ40EB型电子镇流器的电路设计,用无冗余单机随机服务系统描述了电子镇流器电路网络的工作状态。在此基础上,对电子镇流器的有效度进行了计算及分析,并首次给出了电子镇流器的一般失效模式,探讨了独立式电子镇流器的马尔可夫失效模型。 相似文献
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本文阐述空间用高效率PESC硅太阳电池的理论设计和工艺实验研究.将电池设计为浅结密栅,在前表面热生长一超薄SiO_2钝化层,并制作了双层减反射膜,使电池的开路电压、短路电流和填充因子都得到较大改进.在AM1.5光照条件下,短路电流密度高达37.4 mA/cm~2,光电转换效率达到18.03%. 相似文献
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比较了SolGel工艺制备PZT薄膜的两种热处理过程成膜情况和对PZT/Si结构的影响,其中,低温烘烤、快速升温、高温退火的热处理方式有利于钙钛矿相成相.但是PZT薄膜完成全过程退火后难以进行图形加工.对含有SiO2的Si衬底上的情况分析表明SiO2有改善界面特性的作用 相似文献
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讨论了电子镇流器可靠性设计的有亲原理和方法,并从电路网的固有可靠性设计、降额设计、电磁兼容设计与耐环境设计等方面论述了HUST-YZ40EB型电子镇流器可靠性设计与制造的技术方案。 相似文献
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对电子镇流器的工作原理作了较全面的分析,并从理论上系统地论述了电子镇流器的软激励特性、频率稳定度、输入电流波形的低畸变形、光输出稳定性和预热启动特性。 相似文献
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利用阳极氧化技术制备了多种多孔硅(PS)样品,测出其结构参数,并摄得相应的SEM微观形貌图片.针对多孔硅的结构特点,确立相应的离散分形布朗随机增量(DFBIR)场模型,应用图像处理方法,求出不同PS微观图像的分形参数.发现了PS结构参数和分形参数的内在联系与规律性,为PS的定量化研究提出了新的方法 相似文献