快中子辐照抗菌素产生菌诱变育种的研究

快中子辐照在抗菌素产生菌育种上的应用,早已引起人们的重视.1945年,Myers 和Hanson 曾用42英寸迥旋加速器产生的快中子处理青霉素产生菌.1962年,Alikanian 用10—40千拉德剂量的快中子处理红霉素产生菌(Actinomyces erythreus),得到优良     

过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传输特性的实验

介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉积成膜系统，对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究．实验观察到，弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高，过滤管道的传输效率越高．但聚焦磁场高过一定阈值时，会出现起弧不稳现象，此阈值的大小同过滤管道磁场及偏压的大小有关．过滤管道正偏压在40～60V范围内，管道磁场在7～11mT时传输效率较高，偏压越高达到最佳传输效率所需的过滤管道磁场越高．     

用Mo＋C和W＋C双离子注入H13钢制备表面优化复合…

首次给出了Ｍｏ＋Ｃ和Ｗ＋Ｃ双离子注入Ｈ１３钢合成优化表面层机理的研究结果，包括表面薄碳膜和弥散硬化的形成。电镜中观察到这些离子注入时晶粒细化的密集位错的出现，同时在晶间析出相以ＭｏＣ为主，在晶界内折出相则以Ｆｅ２ＭｏＣ和ＭｏＣ为主；这将使晶界强化和位错强化效果增强。Ｘ射线衍射分析表明，注入层中出现了弥散的Ｆｅ２Ｃ，Ｆｅ５Ｃ２，ＦｅＭｏ，Ｆｅ３Ｍｏ２，ＭｏＣ，ＭｏＣｘ，Ｍｏ２Ｃ，Ｆｅ２Ｗ，ＦｅＷ６，     

碳、钨离子共注入H13钢表面改性的研究

将不同单质机械混合,在不增加注入机离子源数目的基础上实现了不同离子的共注入.发现C+W离子共注入使H13钢表面强化,硬度和抗磨损能力提高,且注量的增大加强了这种强化效果.共注入增强了H13钢的抗均匀腐蚀能力,且比双注入效果好.在开始的15个周期致钝电流密度保持为零.C+W离子共注入提高了H13钢点蚀电位,大注量(4×1017 cm-2)注入时,点蚀电位升高了200mV,而双注入则使点蚀电位有所降低.     

金属等离子体浸没Ta+和Ti+离子注入

采用由阴极真空孤等离子体源、负脉冲高压靶台和磁过滤系统组成的金属等离子体浸没注入系统,实现Ｔａ＾＋和Ｔｉ＾＋浸没注入,并对离子注入层予以表征。结果表明,等离子体浸没离子注入钽和钛的ＲＢＳ分析射程,低于按设定加速电压的注入能量计算的ＴＲＩＭ射程。     

金属离子注入聚合物纳米结构形成和导电机理

采用MEVVA离子注入机引出的Ag, Cu, Ti和Si离子注入聚酯薄膜, 注入后的聚酯膜电阻率大大降低了. 用透射电子显微镜观察注入聚酯膜的横截面,TEM照片表明,在注入层中形成了纳米金属颗粒和富集的碳颗粒. 用X射线衍射测量了注入层中结构的变化和新相的形成,进而讨论了金属离子注入聚酯膜的导电机理.     

磁过滤弯管的金属等离子体传输研究

测定了磁过滤管管出口离子电流与阴极弧流的关系,磁过滤管弯内表面中,靠孤大径中心一侧的表面和远离子大径中心一侧的表面与等离子体的相互作用是独立的整个磁过滤弯管偏压较仅仅Ｂｉｌｅｋ板偏压有更高的离子传输效率。     

用Mo＋C和W＋C双离子注入H13钢制备表面优化复合层的研究

首次给出了Ｍｏ＋Ｃ和Ｗ＋Ｃ双离子注入Ｈ１３钢合成优化表面层机理的研究结果，包括表面薄碳膜和弥散硬化层的形成。电镜中观察到这些离子注入时晶粒细化和密集位错的出现，同时在晶界间析出相以ＭｏＣ为主，在晶界内析出相则以Ｆｅ２ＭｏＣ和ＭｏＣ为主；这将使晶界强化和位错强化效果增强。Ｘ射线衍射分析表明，注入层中出现了弥散的ＦＥ２Ｃ，Ｆｅ５Ｃ２，ＦｅＭｏ，Ｆｅ３Ｍ０２，ＭｏＣ，ＭｏＣｘ，Ｍｏ２Ｃ，Ｆｅ２ｗ，Ｆｅ７Ｗ６，ＷＣ和Ｗ２Ｃ相。由于这些弥散相的存在使注入层硬度和抗磨损效果均有明显的提高。首次用俄歇分析观察到表面有一层碳膜存在，这将引起表面的自润滑效果。     

ＭＥＶＶＡ 离子束技术的发展及应用

金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体．通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的 金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是 ＭＥＶＶＡ 离 子 源 技 术．将 载 能 离 子 束 用 于 离 子 注 入,可 以 实 现 材 料 表面改性．经过 ＭＥＶＶＡ 源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此 ＭＥＶＶＡ 离子源在离子注入材料表面改 性技术中得到很好的应用．另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同 时,过 滤 掉 真 空 弧 产 生 的液滴（大颗粒）,当工件加上适当的负 偏 压 时,等 离 子 体 中 的 离 子 在 工 件 表 面 沉 积,可 以 得 到 高 质 量 的、平 整 致 密 的 薄 膜,称为磁过滤等离子体沉积．是一种先进的薄膜制 备 的 新 技 术．此 外,将 ＭＥＶＶＡ 离 子 注 入 与 磁 过 滤 等 离 子 体 沉 积 相 结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的 方 法 制 备 薄 膜,可 以 极 大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜．适用于基材与薄膜性能差别大,结合不 易 的 情 况（例 如 陶 瓷、玻 璃表面制备金属膜）．本文简要介绍了 ＭＥＶＶＡ 离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和 ＭＥＶＶＡ 复合技术的发展和 应用状况