Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储-二极管的可靠性

采用脉冲激光沉积（PLD）工艺制备了Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管. 对该二极管的I-V特性、电容保持特性、疲劳(fatigue)特性和印迹（imprint）特性进行了研究. 结果表明:该铁电二极管的I-V特性表现出明显的单向导电性,表现出类似于Schottky二极管的特性,电流密度在+4 V电压下为6.7×10-8 A/cm²,而在-4 V电压下仅-5.3×10^-10 A/cm²,50℃以下该特性得以良好保持;撤除所施加的5 V偏压后,经10 h观察,电容仅变化5％,二极管具有较好的电容保持特性;在100 kHz, 5 V双极方波加速疲劳下,10⁷次开关极化以后铁电薄膜系统几乎没有显示任何疲劳,经10⁹次极化循环,剩余极化Pr仅下降10％,矫顽电场Ec增加12％;200 W紫外灯光辐照20 min后,尽管剩余极化和矫顽电场均有所变化,并产生了电压漂移(voltage shift),但印迹优值因子FOM约0.2,二极管未出现印迹失效.     

电子镇流器的失效模型研究

阐述了新近研制成功的ＨＵＳＴ－ＹＺ４０ＥＢ型电子镇流器的电路设计，用无冗余单机随机服务系统描述了电子镇流器电路网络的工作状态。在此基础上，对电子镇流器的有效度进行了计算及分析，并首次给出了电子镇流器的一般失效模式，探讨了独立式电子镇流器的马尔可夫失效模型。     

氧化物酸碱性的模糊模式识别

通过对氧化物建立模糊集，按照其隶属函数，确定氧化物酸碱性判别参数，根据贴近度确定氧化物的酸碱性。     

基于整体传递矩阵法的直齿啮合耦合单元传递矩阵研究

对齿轮传动系统各转子间齿轮啮合效应进行了动力学分析,根据拉格朗日方程和达朗伯原理建立了系统的动力学方程,推导出平行轴直齿圆柱齿轮啮合耦合单元传递矩阵,进而建立了系统的整体传递矩阵,并编程代入整体边界条件求出了多转子轴系的临界转速.     

铁离子在Tl系1223超导相中的分布研究

对不同掺铁量的T1系1223相样品,测量了室温和77K的穆斯堡尔谱。根据铁可能具有的不同局域环境,按四套四极劈裂双峰进行拟合。发现室温下四套亚谱的同质异能移位均为0.25mm/s左右,表明铁在1223超导相中以高自旋Fe^3 形式存在。其四极劈裂分别为1.40mm/s,1.12mm/s,0.55mm/s和1.90mm/s左右。按照点电荷-有效价键模型,计算了铁处于不同局域位置时的核四极劈裂的大小。对铁所占晶位进行指认。     

N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进

通过与热生长氧化物进行比较 ,对LPCVD氧化物及N2 O氮化LPCVD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究 .发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的界面态密度Ditm 及小的应力感应Ditm 的增加 ,但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能 ,从而使击穿特性退化 .在N2 O氮化后 ,LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高 ,其机理在于N2 O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2 副产物的有效排除 .     

MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析

分析了金属－绝缘体－SiC(MISiC)结构肖特基二极管（SBD）气体传感器敏感机理，通过将热电子发射理论与隧道理论结构，建立了器件物理模型。模拟结果表明，响应特性与金属电极类型，绝缘层厚度，气体吸收效率和温度有关。模型结果与实验符合较好。通过模拟，得到MISiC结构最佳绝缘层（SiO2)厚度应为１nm左右。     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

偶数缸直列四行程发动机气门间隙可调性的简单判断法

通过分析发动机气门间隙寸调性的一般规律,总结出一种无需寻找第一缸活塞压缩行程上止点即可精确调整气门间隙的方法,具有很强的实用性和可操作性.     

中关村创新发展——自主创新铸造海淀新优势 内生增长实现园区新跨越

中关村是我国第一个高新技术科技园区，经过20年的迅速发展，不仅逐步形成了具有中关村自身特色的自主创新体系。同时，也为首都和国家的经济与科技建设，做出了突出的贡献，成为我国自主创新的前沿阵地，具有突出的示范和引领作用。金秋时节。中关村发展论坛召开。科技产业界人士会集一堂。探讨中关村科技园发展之路，为中关村的创新之路建言献策。本期“科技园”栏目从中采撷精彩篇章以飨读者。