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在外加电场条件下,利用化学气相沉积法制备出了长径比为400:1的四角状ZnO纳米线.利用多功能场发射测试仪对ZnO纳米线进行了场发射特性测试,研究了外加电场对ZnO纳米线生长的影响,讨论了ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象产生的原因.结果表明:外加电场大大促进了四角状ZnO纳米线在一维方向上的生长,外加电场下制备的ZnO纳米线在电流密度为0.1 mA/cm2的开启场强仅为2.25V/μm,ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象归因于强场下电子输运速度的饱和. 相似文献
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在普通物理“振动和波”的知识中,如何准确而又迅速地绘制简谐振动和平面简谐波的图像、反射波的波形以及根据图形判断相应的物理问题。本文给出了几个简易的方法。 相似文献
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在普通物理“振动和波”的知识中，如何准确而又迅速地绘制简谐振动和平面简谐波的图像、反射波的波形以及根据图形判断相应的物理问题。本给出了几个简易的方法。 相似文献
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随着云计算技术的飞速发展,云计算数据中心的规模越来越大,随之而来的资源管理、运维调度、能耗开销等问题也开始日益严峻。本文对云计算数据中心的设计思路与设计结构进行了详细的介绍,先从云计算数据中心的总体结构进行分析,随后引入虚拟资源自适应供给模型概述,通过综合分析三种不同的虚拟资源供给模型优劣,提出利用多层次网络队列方法搭建虚拟资源自适应供给模型,通过综合考量模型的平均响应时间、服务器利用率、使用成本等因素,对虚拟资源进行合理的规划与调度,最终帮助云计算数据中心配置合适数量的虚拟机,做出合理的资源调度策略,力求优化数据中心的运维调度,降低能耗开销,提高能源利用效率,推动能源发展。 相似文献
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对大气熔炼条件下,铜在高铝质陶瓷坩埚中被熔融玻璃净化后的过冷度进行了实验和理论研究．结果发现：采用先加玻璃净化剂、等其熔化后再加金属的净化工艺,使铜在高铝质陶瓷坩埚中获得了221K的过冷度;铜在高铝质陶瓷坩埚中深过冷的获得,与所采用的净化工艺可使高铝质陶瓷坩埚表面上形成一熔融玻璃层有关;要使铜在高铝质陶瓷坩埚中获得深过冷,所用的净化玻璃必须具有一定的碱度;熔体体积对过冷度的影响比较小,从理论上预测出冷却速度为1K·s-1时,重量为1t的铜液被钠钙硅酸盐玻璃净化后,仍可获得181K的过冷度． 相似文献
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物竞天择,适者生存。这句话同样适用于市场竞争愈演愈烈这一态势下的企业。在适当的时机采用相应的策略求得发展,才有可能经受住大浪淘沙的洗礼。综观我国信息产业企业,在创业初期资金短缺的情况下,代理他人 相似文献
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质心参考系是一种重要的参照系，在这个参考系中处理力学问题时体现了一定的优越性。从质心参考系的特点入手，通过几个物理量、基本定律和实例，分析质心参考系的优越性。 相似文献
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单晶铜线材在冷拉拔变形过程中的组织演化 总被引：1，自引：0，他引：1
采用光学金相、电子背散射衍射和透射电子显微镜对单晶铜线材拉拔变形的组织演化进行了分析. 发现单晶铜线材除了有少量的晶界之外, 还有枝晶和少量生长孪晶, 但凝固过程中所产生的枝晶在变形组织中却很难观察到. 在室温下拉拔变形过程中, 单晶铜线材的组织演化可分为 3 个阶段, 当真应变小于0.94时, 宏观尺度上晶粒没有发生明显的分裂, 从微观尺度上讲, 组织的演化为位错胞形成以及沿拉丝方向拉长的变形阶段; 真应变为0.94~1.96时, 宏观上出现晶粒分裂, 微观上胞块和沿{111}的MBs开始增多; 真应变大于1.96时, 宏观上晶粒分裂加剧, 形成纤维状组织, 微观上出现剪切变形的S带. 随变形量的增加, 由晶粒竞争生长形成的á100ñ丝织构转变为á100ñ, á111ñ以及比较弱的á112ñ丝织构, 剪切变形是织构组分转变的原因. 变形形成的界面, 其角度随变形量增加而增大. 真应变为0.94时, 界面属于小角度界面; 真应变为1.96时, 界面角度超过50°, 并在25°~30°高角度范围出现了由织构演化所形成的第2个峰. 相似文献
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利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末，Si衬底表面发生了选择性刻蚀，并由此制备出CdS／SiO2纳米线阵列和CdS纳米带．研究了CdS／SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程，结果表明：CdS枝晶的生长对CdS／SiO2纳米线阵列的形成起到了非常重要的作用；CdS／SiO2纳米线阵列的形成符合“纳米电化学自组织机制”；CdS纳米带的生长过程为气一目过程． 相似文献