Preparation of InSb nanocrystals embedded in SiO2 thin films

InSb nanocrystals embedded in SiO₂ thin films were prepared by rf magnetron cosputtering technique. THe observation by transmission electron microscope showed that InSb nanocrystals dispersed uniformly in SiO₂ matrices. InSb nanocrystals with different sizes can be obtained by changing the annealing condition. The average size of InSb nanocrystals depended on annealing temperature and time, but not on the t_1/3 rules. X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction were also applied to the analyses of the composite thin films.     

基于神经网络的无监督自学习控制系统

所论系统的控制由两个神经网络完成,即对象放识器和系统控制器。并且提出了一种 新的学习算法,它能利用存贮于辨识网络的信息改进控制策略。该控制系统可以对非线性系统,不确定系统等进行无监督的学习控制。     

神经网络多参数诊断法

讨论了机械故障诊断中采用多参数诊断法的必要性,阐述了神经网络理论用于多参数诊断的理论依据,归纳了神经网络多参数诊断法的实施步骤,并以滚动轴承故障诊断为例,对该方法进行了实验验证,证明了该方法的实用性。     

APT 理论的非参数解释

本文用非参数回归方法中的核函数法和最近邻法来解释ＡＰＴ理论．通过不同核函数的选择和最近邻估计中参数的变化以及鲁棒性回归的辅助解释,来寻找ＡＰＴ理论较好的非参数解释．     

等离子喷涂涂层的冲击响应频谱分析

介绍了一种具有摆杆结构的材料表面冲击试验机,对等离子喷涂Ａｌ２Ｏ３－１３％ＴｉＯ２,Ｃｒ２Ｏ３,ＷＣ－１７％Ｃｏ涂层进行了冲击试验研究,测试了在不同冲击能量下涂层－基体系的冲击响应频谱,借助扫描电镜对涂层冲击后的表面进行了观察,结合表面形貌观察结果对涂层冲击过程中的频域和时域信号进行了对比分析。结果表明,涂层在冲击过程中所表现出的频谱特征和涂层受冲击载荷作用后的形态存在相互对应关系。对于所研究的涂层,存在一个临界转变能量值范围,以小于和大于此能量值范围进行冲击试验时其频谱特征会表现出明显的不同。根据对涂层冲击痕表面形貌的扫描电镜观察,此转变值实际上也对应着涂层开始出现破坏的冲击能量。初步的试验结果表明,将频谱分析用于等离子喷涂涂层冲击性能研究是可行的。     

光谱添加剂在粉末样品分析中的作用

通过模拟实验,研究了具有不同作用的４种光谱添加剂对铁矿粉末样品分析的影响。实验结果表明,最佳载体效应和最佳缓冲效应所对应的添加剂质量分数一般不同。     

坝面粘贴苯板保护层的拱坝温度荷载研究

寒冷地区拱坝的温度应力比南方大得多,温度荷载的可能大大超过水荷载的影响,为了降低温度荷载,减小拱坝厚度。本文求出了两种不同介质在外界气温作用下的解析解,并针对在拱坝下游面用苯板作为永久保护层,提出了确定温度荷载的设计计算新方法,给出的温度荷载计算图表可供工程设计直接使用。     

基于分维计算的颗粒粒度分析方法

提出了一种基于分形检测超细颗粒粒度的新方法及实现算法,超细颗粒在一定条件下产生布朗运动,通过光电系统记录的图象可看成是群体颗粒无规则漫游的结果,从而可用分数布朗运动模型去描述,对所获取的超强微粒布朗运动图象进行处理,然后按以上分形模型进行逐点的分维计算,再用统计的方法转换为粒度信息,从而实现粒度测量,文中给出了具体的算法及算例。     

一级反应网络法求单底物酶促反应的米氏常数

以可溶性淀粉为底物,研究了糖化酶（ＥＣ３．２．１．３）的动力学规律。淀粉水解反应具有单底物酶促反应的特征,且当［ｓ］Ｋｍ时,服从拟一级反应规律。根据一级反应网络理论,采用单纯形加速法拟合酶促淀粉水解反应的过程曲线求各速率常数和米氏常数。     

nSi／pSi1—xGex／nSi晶体管直流特性数值分析

采用一维有限差分方法,对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、Ｇｕｍ－ｍｅｌ图和平衡能带图;与Ｓｉ双极同质结晶体管（ＢＪＴ）的直流特性作了对比,结果表明基区中Ｇｅ的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ｇｅ分布与ｐ型杂质在基区－集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果．