层状结构材料Mn2P2S6的室温固相合成与表征

ＸＲＤ和Ｒａｍａｎ光谱表征结果显示室温固相反应成功地合成得到了Ｍｎ２Ｐ２Ｓ６层状结构材料．与传统的高温固相反应合成法相比较,具有以下优点：反应速度快、能耗低,可以得到均相产物,而且可以批量制备．关键词室温固相反应,Ｍｎ２Ｐ２Ｓ６,层状结构     

新物相Eu2P2Se6的合成与表征

用高温固相反应合成新物相Ｅｕ２Ｐ２Ｓｅ６．Ｅｕ２Ｐ２Ｓｅ６的晶体结构由ＸＲＤ经Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法修正得到,其空间群为Ｐ２１／ｎ,晶胞参数：ａ＝０．９７９０（１７）ｎｍ,ｂ＝０．７７７５（４）ｎｍ,ｃ＝０．６９２７（１２）ｎｍ,β＝９１．４５（３）°,Ｚ＝２．阴离子基团Ｐ２Ｓｅ６４－由Ｒａｍａｎ光谱确证;磁性研究结果表明标题化合物的顺磁离子为Ｅｕ２＋．     

替代化合物Y（Ni,Si）2的合成及结构

替代化合物Ｙ（Ｎｉ，Ｓｉ）２的合成及结构赵景泰毛少瑜（厦门大学化学系厦门３６１００５）对于具有过渡成键特性的金属间化物，电子因素和原子尺寸效应在化合物形成及微观结构中都起着很重要的作用，不但表现在各种原子有其特殊的形成及原子配位环境规律［１，２］，而...     

SmAlGe结构中的Al—Ge共价成键网络

用电弧熔炼法合成ＳｍＡｌＧｅ，以单晶Ｘ射线衍射法测定晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式ＳｍＡｌＧｅ，Ｍｒ＝２５０．０，正交晶系，ＬａＰｔＳｉ类型，（１０９）Ｉ４１ｍｄ，ａ＝０．４１９５７（３）ｎｍ，ｃ＝１．４５８８（２）ｎｍ，Ｖ＝０．２５６７９（４）ｎｍ３，Ｚ＝４，Ｄｘ＝６．４６４ｇ／ｃｍ３，μ＝３５．２７ｍｍ－１（λＭｏＫ＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝４２８，Ｔ＝２９６Ｋ，对于１２个最小二乘修正参数和１２０个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０３０，ｗＲ＝０．０２５．此化合物中主要是Ａｌ－Ｇｅ的共价结合并形成三维网络，经典极限情况下结构式可写成Ｓｍ３＋Ａｌ２－Ｇｅ１－，可称为“ｍｅｔａｌｉｃＺｉｎｔｌｐｈａｓｅ＂．而ＹＡｌＧｅ中Ａｌ－Ｇｅ准二维网络为共价到金属结合过渡，几何堆积因素占了很重要地位．     

中子探测用闪烁材料研究进展

中国散裂中子源的建成,填补了中国脉冲中子源及应用领域的空白,标志着中国在中子技术方面达到国际先进水平。基于此,文章概述了中子技术在多学科领域的应用,并将闪烁材料分为有机闪烁材料和无机闪烁材料进行总结,重点梳理了国内外常用及新型闪烁材料在中子探测方面的研究现状及应用情况,特别是对比总结了不同中子探测用闪烁材料的性能差异。最后,文章对中子探测闪烁材料及其改进方案进行归纳分析,并对其发展趋势进行展望,以期为中国中子探测技术及闪烁材料的发展提供参考。     

中子探测用闪烁材料研究进展

中国散裂中子源的建成，填补了中国脉冲中子源及应用领域的空白，标志着中国在中子技术方面达到国际先进水平。基于此，文章概述了中子技术在多学科领域的应用，并将闪烁材料分为有机闪烁材料和无机闪烁材料进行总结，重点梳理了国内外常用及新型闪烁材料在中子探测方面的研究现状及应用情况，特别是对比总结了不同中子探测用闪烁材料的性能差异。最后，文章对中子探测闪烁材料及其改进方案进行归纳分析，并对其发展趋势进行展望，以期为中国中子探测技术及闪烁材料的发展提供参考。     

HfReSi的合成,晶体结构及成键特性

电弧熔炼方法合成了ＨｆＲｅＳｉ，单晶Ｘ射线衍射方法测定了晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式ＨｆＲｅＳｉ，Ｍｒ＝３９４．８９，六方晶系，ＺｒＡｌＮｉ类型，（１８９）Ｐ－６２ｍ，ａ＝０．６９３４３（７）ｎｍ，ｃ＝０．３３９５０（６）ｎｍ，Ｖ＝０．１４１３７（３）ｎｍ３，Ｚ＝３，Ｄｘ＝１４．０２４ｇ／ｃｍ３，μ＝９４．２９ｍｍ－１（λＭｏＫα＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝４８５，Ｔ＝２９６Ｋ，对于９个修正参数和３５８个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０６４，ｗＲ＝０．０６３．此结构中，Ｒｅ－Ｓｉ形成紧密结合的准一维三方棱柱，柱之间通过Ｓｉ原子的过渡成键桥联形成柱的密堆积．原子尺寸效应是我们理解此结构和其它Ｆｅ２Ｐ多元替代结构的形成的关键．     

HfReSi2的合成,晶体结构及成键特性

电弧熔炼方法合成了ＨｆＲｅＳｉ２,单晶Ｘ射线衍射方法测定了晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式,ＨｆＲｅＳｉ２,Ｍｒ＝４２０．８７,正交晶系,ＴｉＭｎＳｉ２类型,（５５）Ｐｂａｍ,ａ＝０．９１４０（１）ｎｍ,ｂ＝１．００５１（２）ｎｍ,ｃ＝０．８０８１（１）ｎｍ,Ｖ＝０．７４２４（３）ｎｍ３,Ｚ＝１２,Ｄｘ＝１１．２９７ｇ／ｃｍ３,μ＝９９．２５ｍｍ－１（λＭｏＫα＝０．０７１０７ｎｍ）,Ｆ（０００）＝２１００,Ｔ＝２９６Ｋ,对于３１个修正参数和２５５个独立可观察衍射点ｗＲ＝０．０６９．此结构中,Ｒｅ原子处于Ｓｉ原子所形成的配位畸变八面体中心,这些ＲｅＳｉ６通过共面和共棱形成之字形无限柱,柱之间通过共顶和Ｓｉ原子的共价成键桥联形成三维网络结构．从此结构和其它相同１∶１∶２配比硅化合物结构的比较可以得出结论,低族过渡金属Ｍｎ、Ｒｅ等倾向于硅的八面体配位,而高族过渡金属Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等则倾向于硅的四方锥体配位     

金属间化物中原子尺寸和电负性对配位环境的影响

统计分析了３００多种结构类型的金属间化物中原子的配位数规律，发现各种原子具有不同的配位数选择倾向性，分析了典型的原子配位环境，导致上述原子配位环境选择性的原困，找出其与原子内在性质如原子尺寸和电负性等的关系，总结出规律并利用这些规律帮助理解金属间化物的形成和结构特性．