半导体ZnO薄层和金属Ni构成界面时的界面能

本文利用格林函数(GF)方法计算了ZnO半导体薄层和金属Ni构成界面时的界面能△E。讨论了界面能△E随NnO和Ni之间的相互作用势γ的变化.以及△E随半导体ZnO薄层的层数N(或厚度)的变化。     

具有三代SU(3)×SU(2)×U(1)~n模型的orbifold紧致化

本文从Z-orbifold出发,利用Wilson线可以减小夸克-轻子代数及破坏规范群对称性这一机制,通过选取三根独立的Wilson线,构造出具有三代夸克—轻子的,规范群为SU(3)×SU(2)×U(1)~n的四维弦模型。     

用FTIR测定羧酰化壳聚糖和氰乙基壳聚糖的取代度

从壳聚糖（脱乙酰度分别为84％和70％）合成不同取代度的羧酰化壳聚糖和氰乙基壳糖作为标样，标样的取代度（DS）由NMR或元素分析确定，研究以FTIR作为工具测定这两个系列衍生物的取代度的方法，吸光度用基线法得到，对所有不同探针谱带，参比谱带和基线作图法的组合进行比较，并通过（A探针／A参比）／DS的平均相对偏差评价每种组合的优劣。结果表明，羧酰化过聚糖，最合适的A探针／A参比是A1740／A1527；对氰乙基壳聚糖，最合适的A探针／A参比是A2249／A1590。前者不仅适用于不同取代度的同一种O－羧酰化壳聚糖（如丙酰化过聚糖）而且适用于不同取代度且不同碳数的4个O－脂肪酸羧酰基取代的壳聚糖样品，这两种组合的工作曲线的斜率分别为2．1（对A1740BL1／A1527BL1），0．59（对A2249／A1590BL1）和0．66（对A2249／A1590BL）。实验还表明，不同的基线作法对结果影响甚小。     

掺杂晶体表面顶位、桥位和心位化学吸附的研究

本文用Green函数方法研究了不同类型的杂质对简立方晶体(SCC)(100)面顶位、桥位和心位化学吸附的影响。并讨论了分裂态的产生与吸附位置。杂质(△ε)以及吸附原子和衬底之间的相互作用势(v)之间的关系。     

体心立方晶体和掺杂简立方晶体的化学吸附能

本文讨论了体心立方的(100)表面的格林函数在能量零点(能带中心)的渐近行为。并计算了(100)纯净表面吸附单个原子的化学吸附能。还用格林函数方法计算讨论了晶体表面杂质对化学吸附能的影响。     

计算机绘制圆柱,圆锥相贯体正轴测图消隐的研究

0 前言本文研究了圆柱、圆锥正交和偏交时的计算机绘制正轴测图,着重解决了此情况下的消隐问题.对单个圆柱、圆锥的画法是利用投影几何原理讨论的,而相贯线是利用数学中参数方程和隐式方程联立求解而得到的.     

开关磁阻电机多种控制策略的仿真比较研究

针对开关磁阻电机非线性严重、变量耦合强烈、电磁关系难以分析的特点,采用了直接转矩控制方法。利用PI调节器分别对电机转矩和磁链进行控制,并且分别与滞环直接转矩控制和电流斩波控制进行了实验仿真的分析和对比,证明PI直接转矩控制系统准确的控制了磁链,减小了电流噪声,提高了响应速度,有效的抑制了转矩的脉动。