TC4合金静动态断裂韧性KIC、KId相关性研究

对TCA钛合金经不同热处理后,平面应变断裂韧性KIC、动态断裂韧性KId及拉伸性能σP0.2的相关性进行了研究,给出了三者间的经验关系式。     

高炉回旋区影响因素的冷态模型研究

以重钢5号高炉实际尺寸和操作参数为基础,假设回旋区内的流动为气固两相流动,且气湘流动为粘性不可压缩流动,根据相似理论建立了高炉回旋区三维冷态实验模型,分析了回旋区形成机理的影响因素.结果表明:鼓风量、料层属性、料层高度以及风口直径对回旋区大小和形状均有影响.随着鼓风量的增大,回旋区深度和高度均不同程度的增加,当风量过大时,回旋区炉料上浮,椭球形的回旋区形状不再存在.回旋区高度随料层高度的逐渐增加而减小.风口直径对回旋区穿透深度的影响较其对高度的影响明显.     

KD306型耐硫甲烷化催化剂本征动力学

采用等温积分反应器,测试了ＫＤ３０６型耐硫甲烷化催化剂的本征动力学,建立了幂函数动力学模型。检验表明：模型拟合良好,残差分布合理,参数回归显著,模型能真实反映ＫＤ３０６型耐硫甲烷化催化剂的反应特性。     

KD306耐硫甲烷化催化剂宏观动力学测试

以工业应用为目的，采用内循环无梯度反应器，测试了ＫＤ３０６耐硫甲烷化催化剂的宏观动力学，得到了幂函数动力学模型。该模型的统计检验表明结果是合理的，其残差亦符合均匀分布。出口关键组分的模型计算值与实验值相当吻合。该模型用于反应器模拟设计是可靠的。     

彩色多普勒超声在下肢动脉粥样硬化诊断中的应用

观察分析下肢动脉粥样硬化实施彩色多普勒超声诊断的临床价值。于2020年02月—2021年02月对医院接收的51例糖尿病患者作为课题对象并纳入研究组,同期另抽选51例健康志愿者作为常规组。对比分析各组彩色多普勒超声诊断结果。研究组不光滑无斑块、不光滑有斑块、管腔内膜光滑检查结果与常规组差异显著（P<0.05）;研究组腘动脉、股总动静脉、胫后动脉管径、IMT、RI以及Vmax与常规组差异显著（P<0.05）;研究组下肢动脉粥样硬化发生率以及狭窄程度与常规组差异显著（P<0.05）。彩色多普勒超声具有无创、操作简单、高效安全等优势,有助于临床准确判断患者下肢动脉粥样硬化实际病变状况,为临床针对性治疗提供参考,值得临床大范围借鉴。     

基于系统药理学分析沙生蜡菊治疗Ⅱ型糖尿病的活性成分预测及机制研究

目的 寻找沙生蜡菊抗Ⅱ型糖尿病(T2DM)的活性成分及潜在作用机制.方法 采用超高效液相色谱-四极杆串联飞行时间质谱(UPLC-Q-TOF-MS)表征沙生蜡菊中的化学成分,并构建沙生蜡菊化合物数据库.以口服生物利用度(Oral bioavailability,OB)≥30％、类药性(Druglikeness,DL)≥0...     

基于零知识证明的匿名投票方案

针对现有电子投票与问卷调查系统中公正性与匿名性这两项最根本需求,提出了运行于以太坊上的智能合约投票方案。方案满足可信、透明的要求,剥离了对可信第三方的依赖。随后进一步结合零知识证明与数字签名技术,实现了方案的匿名性。通过合理设计算术电路及智能合约,该方案可满足一人一票或一人多票的应用场景。通过安全性分析,本方案完全满足业界对电子投票方案公认的各种要求,加之相关代码已完整开源,为后续移植及具体应用提供了借鉴与参考。     

单元类型和节点数量对拱坝坝体应力的影响

以某100 m拱坝为例,从定量的角度出发,研究了有限单元类型和节点数量对坝体应力的影响。通过分析多种网格剖分方案下的坝体应力结果可得出:①单元阶次和形状与坝体应力有着密切的关系。在进行拱坝有限元应力分析时应尽可能采用形状良好的高阶单元;②随着节点数量的增加,拱坝坝体应力不断增加。当节点数量增加到15 000左右时,采用高阶单元求得的坝体应力已基本趋于稳定。     

基于可变精度的协同过滤推荐算法研究

基于可变精度方法设计了新的协同过滤算法。首先,选取了电影评价数据集,利用可变精度方法得到新的数据集合,经过协同推荐给出了推荐结果;其次,通过平均绝对误差(MAE)和F-mean两种指标对推荐结果精度进行了评价,发现随着可变精度的提高,推荐性能得到提升,但精度需要控制在一定阈值范围内,否则超过阈值推荐性能反而下降。最后,还利用社交网络上糖尿病微博数据收集对此方法进行了实证研究,从而验证了所提方法的有效性和良好扩展性。     

嵌入SiO2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究

作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成．分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明：300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc-GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc-Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光．