开孔泡沫金属动态力学性能及能量特性

泡沫金属材料在防护吸能领域有着重要的应用前景,深入研究泡沫金属及其相关结构的冲击力学性能十分必要。通过Φ50 mm的分离式霍普金森杆(split Hopkinson pressure bar, SHPB)装置对开孔泡沫金属Fe、Ni、Fe-Ni合金(50 mm×10 mm)进行动态冲击试验。试验分析了应变和应变率对其力学性能及吸能特性的影响,通过对其峰值应力、波动应力、理想吸能效率等参数的对比分析多种冲击速度下不同泡沫金属材料的抗压强度与吸能性,为建筑、航天等工程的使用提供理论基础。研究结果表明：高冲击速度下峰值应力增大且Fe-Ni合金抗压强度最高,不同材料泡沫金属均存在波动应力且压密阶段时间各不相同。应变率介于600～1 150时泡沫金属Ni吸能性最优,该区间外Fe-Ni合金更优。当应变率大于1 000时,Fe-Ni合金理想吸能效率增幅较大,相较于700时提高了48%、为最优理想吸能材料。     

风险投资机会选择的方法研究

在不同的行业里,企业获利的难易程度是不同的。而且,在同一个行业内部不同的子行业之间,也存在这样的问题。那么,应该用什么方法来研究企业获利的难易程度呢?拟就该问题进行分析,研究应用于投资机会选择的方法工具。     

组织决策支持系统：面向并行工程管理决策的新工具

本文旨在研究ＣＩＭＳ管理决策的组织支持问题。文中分析了并行工程环境中的企业管理决策的特点，论述了组织决策支持系统在ＣＩＭＳ中的重要作用，讨论了面向并行工程的组织决策支持系统的需求定义和技术环境，并提出了一个概念框架模型。     

综合集成研讨厅的理论框架、设计与实现

开放的复杂巨系统及其方法论——综合集成研讨厅体系的提出，使得我们对复杂性的研究方向有了一个清晰的把握。同时，该方法论又是思维科学的一项应用技术，其目的是构建一个人机结合的巨型智能系统，作用于复杂问题的研究。因此，真正实现该系统，使之能应用于复杂性研究的实践，成为一项重要的任务和研究方向。本文阐述了作者在综合集成研讨厅的理论框架、设计与实现方面的工作。     

基于文献计量分析的公司创业投资研究现状、主题与展望

公司创业投资是公司创业、创业投资、战略管理和创新等多个领域的关键话题.文章在概括1980—2020年Web of Science数据库收录的公司创业投资文献特征的基础上,追溯公司创业投资内涵与定义的发展,梳理和提炼该领域研究的主题内容.文章将公司创业投资研究划分为初始萌芽、平稳发展和深化发展三个阶段,系统归纳分析了公司...     

聚硅烷与聚乙炔比较性理论研究

用密度泛函理论(DFT),在B31YP/6-31G(d)水平下对主链含有30个原子的聚乙炔和聚硅烷在未掺杂和电荷掺杂及掺杂后在电场作用下进行几何全优化,再对它们的几何结构和自旋密度进行比较研究.结果表明,在聚乙炔中,电荷掺杂后在链中间区域形成了极子,加电场后,极子偏离中间位置向链的一端移动,电场越大,极子偏移也越大:在聚硅烷中,电荷掺杂后形成的极子几乎遍及整个分子链,加电场后极子移到了链端.表明在同样的电场下极子在聚硅烷中的移动程度比在聚乙炔中大.     

电荷掺杂和C1掺杂聚吡咯、聚呋喃、聚噻吩的导电性理论研究

利用Gaussian 03程序包中的密度泛函理论在B3LYP/6-31G(d)水平下,对未掺杂、电荷掺杂和C1掺杂的聚吡咯、聚呋喃、聚噻吩进行几何全优化,并对它们的几何结构、自旋密度、自然键轨道(NBO)、前线轨道能进行了理论分析.结果表明,电荷掺杂能使聚合物键长趋于平均化,其极子分布几乎遍及了整个分子链而C1原子掺杂对聚合物的影响主要集中在与C1原子相邻的C原子上,极子分布局域在C1原子附近的大约7个碳原子上,掺杂能够明显增强仃电子共轭性,降低能隙,从而增强导电性.     

用例及其制品的追踪性研究

需求的可跟踪性已经被反复证明是软件工程管理和软件系统质量的关键因素,其研究已成为需求工程的一个重要领域.20世纪90年代后期,在需求工程中大量应用了用例的方法,用例驱动已成为许多软件开发方法的特征.首先提出了用例应增量迭代开发的观点,给出了用例、用例的不同版本及用例开发和实现过程中产生的各种制品的追踪关系模型和应用追踪表和追踪矩阵表示和实现该追踪关系的方法,最后给出了可追踪性策略的实现步骤.     

基于LOG算子的自适应图像边缘检测方法

鉴于传统的高斯-拉普拉斯(LOG)算子具有各向同性的特点,在很多有方向性差异的场合中并不适用,提出了基于LOG算子的各向异性算子,该算子具有方向敏感性,能够对与其长轴方向重合的边缘起到加强的作用,同时,利用该算子设计了自适应算法来模拟人眼注视机制的工作过程,并将算法实验结果与LOG算法的结果进行了比较.该算子和方法较好地解决了方向性模板对视觉解释的不完善问题.     

一种新的单端输入迟滞比较电路

设计了一种结构特殊的迟滞比较器.电路为单端输入,翻转电压以及迟滞电压均由电路内部产生,通过对电路内部的参数调节即可改变翻转电压和迟滞电压的具体值.电路自身具有一个结构简单的电流源产生电路,不需要从外界获取偏置电压、仅由电源供电,因此有很强的独立性.通过0.6 μm CMOS工艺来实现,HSpice仿真结果表明:在3 V的工作电压下翻转电平可设置在100～240 mV之间,迟滞电压能精确到5 mV,瞬态响应时间小于1 μs.