MOS场效应四极管

一 MOS场效应四极管的特性图1是一个在P型Si衬底上制造的Al栅n沟道MOS场效应四极管的截面图。两个n~+扩散区分别作为源、漏接触电极。中间n~-扩散区用来连接两个沟道,相当于一沟道的漏极,二沟道的源极。在一般电路中,源极接地,漏极接电源,信号由一栅输入,二栅作为自动增益控制电极。这样,随漏压V和两个栅压V_(G1)、V_(G2)的不同,MOS场效应管有四种不同的工作状态。如果用“S”和“L”分别表示沟道工作在饱和区及线性区,用“1”和“2”分别表示一沟和二沟道,那么,四种工作状态可表示为     

有机分子的低温成膜及厚度控制

近年来,随着表面研究的发展,对吸附于金属表面的各种有机分子薄膜性质的研究受到了广泛重视。在这些研究中,首先涉及到有机分子在金属靶(即衬底)上的成膜及膜厚度的控制问题。有机分子在金属靶上的吸附成膜一般可分为物理和化学吸附两种。化学吸附作用比物理吸附作用强得多,它可导致被吸附分子及靶表面分子结构上的变化。在一般条件下,物理     

数据库技术在滚齿机挂轮选择中的应用

利用数据库技术选择滚齿机上的差动挂轮,只需在计算机上输入待加工齿轮的螺旋角β、模数m_n和滚刀的头数K,即可自动检索到既满足精度要求,又是机床所具备的若干组差动挂轮的齿数。文中介绍了建库的方法及程序。     

芳香二胺的四缩水甘油醚化合物的合成研究

我们利用反相高效液相色谱(RHPLC)和富里哀转换红外(FT-IR)技术,研究了溶剂、反应温度及时间、催化剂、碱的量对于合成高环氧值树脂的影响.根据研究结果,合成了较高环氧值的4,4′-二氨基二苯砜四缩水甘油醚化合物(TGDDS,环氧值:0.70～0.75环氧当量/100g),4′,4-二氨基二苯醚四缩水甘油醚化合物(TGDDE。环氧值:0.80～0.85环氧当量/100g).     

B位元素掺杂对Y-Ba-Cu-O系ABO_3化合物超导电性影响的研究

自高T_c氧化物超导陶瓷出现以来,已提出了许多可能与超导电性相关的因素。为探讨这些因素对超导性的影响,对元素掺杂的研究有着重要的意义。按照容许因子公式的要求,我们选择了满足ABO_3化合物中B位要求条件下的过渡族元素,将它们掺入(YBa)CuO_3中时,能部分取代Cu的位置而处于B位上。这样利用B位元素的少量掺杂,可以作为“结构探针”引出与周围O的2P电子、氧缺位及Cu、稀土离子等相互作用信息的变化,有助于对超导微观机理的了解;又因为ABO_3化合物     

可伐合金与铜复合材料热膨胀特性

研究和分析了可伐合金与无氧铜复合材料的热膨胀曲线和在热循环中(室温至400℃)复合材料的热膨胀特性。测定了复合材料中不同复合比(体积%)对热膨胀性能的影响。结果表明,虽然可伐合金和无氧铜的膨胀系数差异很大,但芯材无氧铜占复合线总体积比小于22％时,铜芯对复合线的总体积热膨胀曲线的特征不变。     

DSZ-2型测角仪光强自动补偿系统实验研究

DSZ—2型动态双座标自动测角仪[1]是最新研制成功的动态自准直光管.为了消除因测距增大视场照度变暗造成的测量误差,本文提出一种简单的恒照明自动补偿系统,保证视场照度不因测距变化而改变,提高测量精度.实验表明,该系统在900mm 测距内,补偿能力可达91.56%.     

环氧基硅烷化硅胶的制备及评价方法比较

详述了环氧基硅烷化试剂键合硅胶的３种方法：ｐＨ＝３．５水介质中的键合；非水介质中的键合；先开环后键合。比较了评价键合效果的３种鉴定方法：红外光谱法；化学滴定法，重量法，确定采用重量法评价键合效果，得出在非水介质中进行的键合可获最佳的结果。     

带有讨厌参数的经验似然比置信区间

在许多情况下，形如θ０＝ＥＨ（Ｘ，μ）是人们所感兴趣的参数，这里Ｈ（·，·）是一已知在Ｒｄ×Ｒｋ上的连续实函数，其中，μ∈Ｒｋ是一讨厌参数，利用经验似然比泛函给出了θ０的经验似然比置信区间，属非参数方法，但其结果却类同于参数下的Ｗｉｌｋｓ定理和Ｏｗｅｎ的工作，同时给出了一些有用实例．