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341.
罐形磁芯法测量软磁薄膜复数磁导率的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了罐形磁芯法测量软磁薄膜材料磁导率的磁路结构原理,根据磁路磁通分布,给出了计算的等效磁路;推导了复数磁导率的计算表达式;利用罐形磁芯法在阻抗分析仪上测量了几种软磁薄膜样品的复数磁导率,并与冲击法的实验结果做了比较,获得了较为一致的结果。  相似文献   
342.
研究如下形式的Cahn-Hillard方程的大范围力学行为ut-μ△ut-△K(u)=0,Ω*R^+ K(u)=-λ△u+f(u),f(u)=2p-1/∑/j=1aju^j,p∈N,p≥1andp=2ifn=3。利用先验估计等经典方法,在一定条件下证明了大范围吸引子的存在性与唯一性定理,这完全不同于Dlotko和Cholewa等人所做的结果。  相似文献   
343.
采用溶胶 凝胶法制备了掺杂铁的TiO2 粉末 ,并用XRD、SEM、UV Vis漫反射光谱等技术手段考察了掺入铁TiO2 粒子形态的变化 ,以及掺杂与否对氧化降解NO-2 的影响 .研究结果表明 ,铁的掺入可影响TiO2 的结构相变及粒子大小 ,并且发现掺杂后TiO2 对NO-2 的氧化活性显著提高 ,在掺杂量 3 0 %时具有最佳活性 .  相似文献   
344.
多臂抓取工件的受力分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于机械臂与工件的硬点和软指两种接触方式,对工件的受力进行分析,建立臂与工件保持接触应满足的约束条件;通过臂动力学方程和关节广义驱动力约束,给出多臂协调抓持力不等式约束,并对抓持力的分配进行初步讨论。  相似文献   
345.
安淑珍 《山西科技》2000,(2):30-30,32
文章阐述了电子商务的概念及其对国际贸易的影响。  相似文献   
346.
利用人工神经网络建立起载荷级、累积损伤参量及材料性能之间的映射关系·建立了材料疲劳可靠性分析仿真系统,提出了动态失效准则,并利用蒙特卡洛法对随机载荷进行给定分布下的随机抽样处理,将随机离散仿真方法运用于模拟材料性能变化的全过程·通过仿真统计分析出的寿命分布,经部分实验验证,预测精度较高·  相似文献   
347.
Sn-Ag-Cu合金是一种熔点较低、润湿性和耐蚀性优良的可焊性镀层,可从弱酸性的甲磺酸盐-碘化物镀液中通过电沉积的方法获得.循环伏安曲线、极化曲线和交流阻抗谱等电化学测试以及X-射线荧光光谱(XRF)分析表明,在这种镀液中,Sn-Ag-Cu合金的共沉积类型为正则共沉积,随着镀液中Ag+和Cu2+离子浓度的增加,Sn-Ag-Cu合金镀层中Ag和Cu的含量迅速增加,且镀层中Ag和Cu的含量始终高于其在镀液中的含量.Sn-Ag-Cu合金的电沉积过程是不可逆过程,随着电极电势的负移,控制步骤由扩散过程控制向电化学过程控制转化.  相似文献   
348.
多孔钙磷玻璃陶瓷的制备及性能评价   总被引:6,自引:0,他引:6  
分别在500、680℃下烧结4h后制备二种多孔钙磷玻璃陶瓷,并评价了它们的降解性能和生物相容性.X射线衍射证实,500℃下烧结产物呈玻璃态;而680℃下烧结产物有晶体析出,其主晶相为β—Ca(PO3)2.扫描电镜观察了两者的形貌,发现后者比前者结构紧密,并测得两者孔径介于227~450μm,液体(水)静力称重法测定了两种多孔材料的吸水率(Wa)分别为31%和28%,显气孔率(Pa)为40%和37%,密度(ρb)为1.29和1.30g/cm^3.分别将材料0.1000g浸泡于37℃50mL生理盐水中66h,发现浸泡液呈酸性,降解速度前者恒定,后者减少.血液相容性实验和细胞黏附实验表明前者生物相容性不佳,后者良好。  相似文献   
349.
基于差异沉降最小的桩筏基础分布分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
利用桩筏基础分析方法,对层状地基上不同布桩方式的桩筏基础进行计算,给出无量纲化的计算结果,并分析与探讨了布桩方式对桩筏基础的平均的沉降,差异沉降,筏板的负荷承担比和筏板弯矩的影响特征。  相似文献   
350.
在自由声场刺激条件下 ,从 2 0只昆明小鼠 (Kunming Mus Musculus)下丘 (Inferior Col-liculus,IC)记录到 1 93个神经元 .将这些神经元按其最佳频率 (best frequency,BF) (k Hz)分为(5 ,1 0 ],(1 0 ,1 5 ],(1 5 ,2 0 ]和 (2 0 ,3 1 ]4个频率段 ,观察和分析它们的声反应特性 ,并用最小阈值(minimum threshold,MT)和放电率 (firing rate)标准对这些神经元前听空间俯仰方位(Elevation) 0平面的 7个水平方位 (Azimuth)角 (同侧 90°、60°、3 0°,0°,对侧 3 0°、60°、90°)的敏感性进行了研究 .结果表明 :1、IC神经元的放电率和潜伏期基本随刺激强度的增加而增加和缩短 ,其函数表现为三种基本不同的形式 :单调型、非单调型以及放电率函数的不规则型和潜伏期函数的饱和单调型 .非单调函数神经元数目高于单调函数神经元 .三种函数形式的神经元数目分布与 BF之间无明显相关 ;2、BF较高的 IC神经元的潜伏期与 BF较低的神经元的潜伏期之间未发现显著性差异 ;3、用低 MT和最大放电率指标检测 IC神经元的方位特性发现 ,在神经元的最敏感角度展现出低 MT和高放电率 ,虽然最佳敏感角度的分布随频率段而不同 ,但绝大部分神经元的最敏感角度位于对侧 ,其中以对侧 60°所占比例最大 .用低 MT指标所确定的最佳敏感角度  相似文献   
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