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用Sol-Gel法自制了KTN陶瓷,以之为靶材,首次在单晶硅上用PLD技术沉积了KTN薄膜,并对所制备的薄膜进行了XRD和SEM分析及P-E电滞回线观察.观察分析结果表明:薄膜的主晶相为钙钛矿相(约98%),且沿(100)方向取向生长;薄膜表面光滑、无裂纹、致密性好;薄膜具有良好的铁电性质.同时还分析了Si(100)单晶衬底上钙钛矿相的形成机理;并讨论了衬底温度Ts和氧气氛等因素对成膜的影响. 相似文献