强耦合一维激子的基态有效哈密顿量

本文讨论一维晶体中强耦合激子通过形变势和光学声子的相互作用,导出了激子基态的有效哈密顿量。     

周期调制磁场中二维电子气的电学特性

讨论了一般形式的弱周期调制磁场中二维电子气的电学特性．调制磁场消除了朗道能级的简并性，使之成为朗道子能带，从而导致磁致电阻的Ｗｅｉｓｓ振荡．结果表明：在纵向电阻ρｘｘ（及△ρｘｘ）和横向电阻ρｙｙ（及△ρｙｙ）中的Ｗｅｉｓｓ振荡位相是相反的，而霍尔电阻△ρｘｙ与△ρｘｘ的位相相同．△ρｘｘ的振幅远大于△ρｙｙ及△ρｘｙ的振幅．在较强磁场下，调制磁场的高阶Ｆｏｕｒｉｅｒ分量的贡献很明显；而弱磁场中，高阶Ｆｏｕｒｉｅｒ分量的贡献可以忽略．     

强耦合极性晶体中激子的基态能量

本文采用线性组合算符的方法讨论强耦合极性晶体中激子的内部运动,对Wannier激子导出了激子内部运动的有效哈密顿量。激子的自能表示为耦合参数α的降幂级数,其首项为一次项。激子内部有效作用势与耦合参数α等有关。     

极性晶体中激子的结合能

作者曾对卤化铊中激子的结合能作过计算,其结果比Haken和Barentzen的好。本文将[1]中的计算用于电子一声子耦合弱的晶体,所算得的激子的结合能也比较好。并且还发现,关于极化子有效质量与带质量的公式,LLP的比H aga的好。     

Wannier激子的稳定性与声子色散的关系

作者曾计及纵光学声子的色散,导出了极性晶体中激子的有效哈密顿量,本文据此计算了激子的基态能量,从而得到结论:Wannier激子的稳定性条件与声子的色散有关,色散愈强,临界质量比的范围愈窄。     

激子与声子色散

通常研究激子时,将光学声子的频率视为常数,本文计及光学声子的能量随波矢的变化,导出了激子的有效哈密顿。发现激子的有效质量、自陷能以及电子—空穴有效作用势都与声子的色散有关、随着色散的增强,激子的有效质量增大,自陷的临界质量比范围变小,电子—空穴有效作用势的屏蔽半径变短。     

一种计算非晶态振动谱的改进方法逆矩阵－运动方程法

在运动方程法的基础上，提出了一种计算非晶态振动谱的新方法：逆矩阵－运动方程法．这种方法有计算准确，收敛速度快等优点．     

磁性Fe3O4微球的溶剂热法合成及其Fenton降解二甲酚橙研究

采用溶剂热法在200℃制备出形貌均一、分散性较好、平均粒径约200nm的磁性Fe₃O₄微球。该方法合成的Fe₃O₄微球在Fenton降解二甲酚橙方面效果显著,降解率达到90%以上。由于Fe₃O₄微球具有强磁性,故反应后催化剂可直接通过磁铁吸引的方式回收,且回收率可达90%以上。回收后的催化剂只需简单超声清洗便可再生并循环利用,催化剂再生后的降解效果与其一次催化的效果相近。     

离子晶体中Frenkel激子的自陷能

考虑到离子晶格的原子结构,用紧束缚方法计算了Frenkel激子的自陷能。     

量子线中强耦合磁极化子的性质

采用变分法研究了量子阱线中强耦合磁极化子的旋共振频率．对于不同的限制强度计算了磁极化子在基态和激发态的结合能，最后得到旋共振频率随磁场增强而增大的结果．