受限条件下玻璃基质中LaF3微晶生长机理的光谱学探究简

利用高温熔融法制备了Eu³⁺掺杂的45SiO₂-25Al₂O₃-18Na₂O-9.5LaF₃玻璃,并将基础玻璃在可控条件下进行晶化热处理后获得了性能良好的玻璃陶瓷. 通过XRD,TEM和光谱学手段对玻璃陶瓷进行了表征,结果表明晶化热处理后,LaF₃纳米晶体从原有单一的玻璃相中析出,晶粒大小约为25 nm. Eu³⁺掺杂玻璃陶瓷、纳米晶体和玻璃3种基质的光谱分析及XRD结果证明稀土离子进入到LaF₃纳米晶体中并计算出在其中富集的比例. 进一步利用源自于Eu³⁺离子的发射谱和激发谱研究了退火温度和前驱物中重金属离子对玻璃网络结构中LaF₃纳米晶体生长影响的机理,为玻璃陶瓷的人工设计合成提供了理论支持.     

氯离子对水杨酸表面增强喇曼散射的作用

在水杨酸与氯化钾具有不同克分子数比的条件下，通过对发生在铜表面上水杨酸分子ＳＥＲＳ效应的观测，对影响铜表面上水杨酸分子ＳＥＲＳ效应的因素进行了实验研究，结果表明，在水杨酸水溶液中，铜表面上ＳＥＲＳ效应的产生与溶液中氯化钾的加入密切相关，溶液中所含氯化钾的多少强烈影响着ＳＥＲＳ效应的强弱及分子的吸附性质。     

多孔氧化铝膜调制的银纳米颗粒的表面增强荧光效应

采用氧化还原方法,在多孔氧化铝膜（Anodic Aluminum Oxide,AAO）模板中直接反应生成银纳米颗粒（SNPs）,制备出一种新型的AAO/SNPs纳米复合结构衬底.在532nm连续激光的激发下,研究了位于该纳米复合衬底上Rh6G分子的荧光增强效应.结果表明,AAO/SNPs纳米复合衬底对Rh6G的荧光发射强度与未经SNPs修饰的AAO对Rh6G的荧光发射强度相比,增强倍数可达6倍左右,而且荧光增强因子与AAO的孔径大小有关.此外本文还运用局域场增强理论对纳米复合体系中的荧光增强效应进行了分析讨论,并探讨了空间周期调制的金属纳米复合衬底对表面增强荧光效应的独特优点.     

论内部审计风险及防范对策

就内部审计而言,如同社会审计和国家审计一样蕴藏着审计风险,其影响范围和程度同样不容忽视。本文拟从内部审计风险涵义、构成要素及相互关系、特征、原因、防范等方面内容予以探讨。     

受限条件下玻璃基质中LaF_3微晶生长机理的光谱学探究

利用高温熔融法制备了Eu3+掺杂的45SiO2-25Al2O3-18Na2O-9.5LaF3玻璃,并将基础玻璃在可控条件下进行晶化热处理后获得了性能良好的玻璃陶瓷.通过XRD,TEM和光谱学手段对玻璃陶瓷进行了表征,结果表明晶化热处理后,LaF3纳米晶体从原有单一的玻璃相中析出,晶粒大小约为25 nm.Eu3+掺杂玻璃陶瓷、纳米晶体和玻璃3种基质的光谱分析及XRD结果证明稀土离子进入到LaF3纳米晶体中并计算出在其中富集的比例.进一步利用源自于Eu3+离子的发射谱和激发谱研究了退火温度和前驱物中重金属离子对玻璃网络结构中LaF3纳米晶体生长影响的机理,为玻璃陶瓷的人工设计合成提供了理论支持.     

四方相LaOF:Eu3+红色纳米荧光粉的水热-烧结法制备及其荧光属性

介绍了一种用水热法合成并通过控制烧结条件获得四方相LaOF:Eu³⁺纳米颗粒的制备方法. 光致激发条件下的荧光光谱研究发现, 与所制备样品的最强红色荧光发射相对应的Eu³⁺最佳掺杂浓度为9.0 mol%, 室温条件下, 绿光或紫光激发下的样品红色荧光强度高于其他晶相的LaOF:Eu³⁺纳米颗粒及商用红色荧光粉. 时域和频域光谱的分析结果表明, 具有四方相结构的LaOF:Eu³⁺中, 较低的局域对称性使掺杂Eu³⁺具有大的辐射跃迁几率, 从而增强了掺杂离子的红色荧光发射. 关于荧光寿命和反对称比的研究结果支持了上述判断.     

氯离子对水杨酸表面增强喇曼散射的作用

在水杨酸与氯化钾具有不同克分子数比的条件下，通过对发生在铜表面上水杨酸分子ＳＥＲＳ效应的观测，对影响铜表面上水杨酸分子ＳＥＲＳ效应的因素进行了实验研究．结果表明，在水杨酸水溶液中，铜表面上ＳＥＲＳ效应的产生与溶液中氯化钾的加入密切相关．溶液中所含氯化钾的多少强烈影响着ＳＥＲＳ效应的强弱及分子的吸附性质．     

基于二维压缩扩展和光流法的组织应变估计方法

在超声弹性成像中,为了得到大压缩量下的精确应变估计,要考虑组织横向膨胀带来的横向位移的信号去相关影响,为此提出了结合二维压缩扩展和光流法的组织应变估计方法.首先采用二维希尔伯特变换法将原始超声RF信号通过包络检测的方法转换为解析信号,再利用块匹配算法得到16个子区域的位移矢量,然后利用线性回归方法从位移矢量估计出二维压缩扩展的参数.在完成二维压缩扩展之后,再利用光流法对微小位移进行精确估计.实验结果表明,二维压缩扩展方法和光流法的结合增加了总体应变估计的精度与鲁棒性.所得纵向位移和纵向应变与有限元仿真结果基本一致,证明了所提算法的正确性.     

单晶β-Ga2O3纳米线的原位生长及其光致发光性能

通过在N2气氛中将金属镓加热到900℃,在镓颗粒表面大面积生长出-βGa2O3纳米线.采用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物的结构和形貌进行了表征.结果表明,所得产物为单斜相单晶结构Ga2O3纳米线,其直径为50-100 nm,长度为30-100μm.提出了Ga2O3纳米线可能的生长机理.室温下研究了所得Ga2O3纳米线的光致发光特性,观察到起源于氧空位的电子与镓-氧空位对上的空穴复合产生的发光峰在457 nm的蓝光发光.     

我国高端医学影像技术与装备及其产业化成果与思考

当前,高端医学影像技术,如磁共振(MRI)、计算机断层扫描(CT)、超声和正电子发射型计算机断层显像(PET)等已经成为生物医疗产业的支柱领域。中国科学院深圳先进技术研究院高端医学影像团队,开展了专门针对高端医学影像技术的前沿研究工作,在MRI、CT、超声和PET等成像技术上取得了一系列创新研究成果,并在较短时间内实现了产业化,助力推动了我国高端医学影像技术的发展。