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C_(60)是异于石墨和金刚石的碳的第三种同素异形体,具有由20个六边形环和12个五边形环组成的足球式结构.自从1990年Kr(?)tschmer在实验室成功地常量制备并纯化C_(60)原子团簇以来,其奇异的结构和潜在的应用价值引起了人们的极大兴趣.C_(60)晶体在室温下为面心立方(fcc)结构,即一个足球状的C_(60)分子占据fcc的一个晶格位置,其晶格常数a=1.417nm.但是,目前人们对C_(60)晶体结构的稳定性还知之甚少.本文主要研究C_(60)晶体在电子辐照下的结构变化. 相似文献
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Ti50Al存在两类氢脆,即氢化物引起的脆性以及原子氢引起的滞后断裂。室温时TiAl中的氢全部变为氢化物,当氢浓度较低时为(TiAl)Hx;当氢浓度很高时将生成多种氢化物。随氢化物含量升高,KIC下降,即显示氧化物脆。表面镀Ni-P避免阴极腐蚀后预充氢使氢化物饱和,然后加载充氢,进入的原子氢通过扩散,富集后能导致滞后断裂。 相似文献
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采用分子动力学方法模拟了金刚石压头压入Fe基体的纳米压痕全过程.研究了加载和卸载时基体的原子组态、载荷一位移曲线以及位错的发射和变化.分析了基体的塑性形变机理.发现压人深度为0.69nm时出现位错.随压入深度的增加位错长大成环,基体塑性形变加剧.卸载过程中位错环不断减小,当压头恢复到起始位置后,基体中心残留有位错环,产生了永久塑性形变,位错环的存在是基体产生永久塑性形变的关键因素. 相似文献
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MnS夹杂对钢中氢扩散行为的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过实验和有限元计算研究了MnS夹杂对钢中氢扩散行为的影响. 结果表明:当MnS夹杂长度取向与氢渗透方向平行时,氢在钢中的表观扩散系数随MnS含量的增加而增加;当MnS夹杂长度取向与氢渗透方向垂直时,氢在钢中的表观扩散系数随MnS含量的增加而降低. 对于具有扩散通道效应和陷阱效应的第二相,它对氢扩散的影响取决于扩散通道效应和陷阱效应的强弱以及第二相的形状、数量和取向. 相似文献
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形状退磁因子对层状磁电复合材料的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
传统层状磁电复合材料理论模型认为层状磁电复合材料的磁电性能只与压电和压磁原材料以及层厚比有关, 而与其面内尺寸(长度和宽度)无关. 研究了面内尺寸对层状磁电复合材料的磁电性能的影响. 结果表明, 层状磁电复合材料的磁电性能强烈依赖于其面内尺寸, 根本原因是由于尺寸的变化导致了形状退磁因子的变化, 从而引起磁电性能的变化. 从理论和实验上证明了随着面内尺寸的变化, 磁电性能将明显变化. 随着面内尺寸的增加, 层状磁电复合材料的磁电性能将逐渐增加. 这可为磁电器件的合理设计提供依据并推动磁电器件的发展. 相似文献
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通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理. 随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω·cm,介于半导体和绝缘体之间. 随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体. 第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体. 相似文献
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使用单边缺口拉伸试样在恒载荷下动态充氢, 对PZT-5铁电(压电)陶瓷的氢致滞后断裂(HIC)的各向异性进行了研究. 结果表明, 极化方向平行裂纹面和垂直裂纹面的试样均能发生氢致滞后断裂, 但氢致滞后断裂门槛应力强度因子KIH却显示各向异性, 即极化方向平行于裂纹面的门槛值大于垂直面的门槛值. 但是, 对断裂韧性KIC归一化后就不再显示各向异性, 即 因此, 氢致滞后断裂的各向异性与断裂韧性一样, 归因于应力诱发90°畴变的各向异性. , , 和均随氢浓度的对数lnC0升高而线性下降, 例如= 0.4-0.155 lnC0. 相似文献
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对超高强钢和铝合金的研究表明,在压—压交变载荷下缺口前端能引发疲劳裂纹,但其门槛值比拉应力高三倍。压应力下缺口裂纹长到一定尺寸(如0.2~0.5mm)后就将停止扩展。如果压应力的最小载荷(绝对值)接近零,则裂纹容易形成(门栏值和拉应力相近),且能扩展较长的距离。 相似文献