CuZnAl形状记忆合金平衡状态内耗分析

用真空葛氏摆研究了ＣｕＺｎＡｌ形状记忆合金平衡状态下的内耗。在室温至５００℃ 温度范围内，观测到两个弛豫型内耗峰，峰温分别为２４０℃和３４０℃（Ｊ≈１，７Ｈｚ）． 通过改变频率测得２４０℃峰的弛豫激活能为１１３ｋＪ／ｍｏｌ，３４５℃峰的弛豫激活能 为１７６ｋＪ／ｍｏｌ．计算了两个峰的τ０值，确定３４５℃峰为α相中Ｚｅｎｅｒ弛豫 峰，２４０℃峰则是由β有序相内反向畴界处某种点缺陷运动所产生。     

Hf、Zr添加对TiNi合金Ms点影响的电子结构分析

通过构建TiNi合金的团簇模型，利用离散变分法从电子层次研究了Hf、Zr添加对TiNi合金马氏体转变温度的影响．计算结果表明：少量Hf、Zr原子引入提高了母相单胞最强键的键级，并且随着Hf、Zr添加量的增加，其母相最强键的键级增大．同时，母相单胞(110)面的电荷密度也示出了其键的变化情况．少量Hf、Zr添加对TiNi合金马氏体转变温度的影响还可通过(110)面费米能级处的态密度大小来反映．     

Cu-Zn-Al形状记忆合金的熔炼与加工

简述了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ记忆合金的熔炼工艺，提出了采用适宜的熔剂、在高频或中频感应炉中熔炼、熔化温度不超过１１５０℃，浇注温度在１０５０～１１５０℃之间．可以获得成分稳定均质的记忆合金。分析了电子浓度为１．４２左右时．最易获得有记忆效应的合金的原因。讨论了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ记忆合金的加工、退火特点。     

微量元素对CuZnAl形状记忆合金晶粒细化和晶粒生长的影响

研究了添加 Ｚｒ，Ｔｉ，Ｂ和 Ｆｅ元素，对 ＣｕＡｎＡｌ形状记忆合金晶粒细化和 晶粒生长的影响；探讨了合金晶粒细化与晶粒生长的机制。试验结果表明：合 金中添加Ｚｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｆｅ元素，晶粒得到显著细化，晶粒生长受到抑制；晶粒 生长受到抑制最大的添加元素为 Ｚｒ，其余顺序为 Ｂ，Ｔｉ，Ｆｅ；添加 Ｚｒ，Ｔｉ的 合金，在９００℃上发生异常晶粒长大现象，这是由于晶界结构的变化，固溶 Ｚｒ，Ｔｉ原子对晶界的作用在高温时削弱及第二相粒子的溶解。添加 Ｂ的合 金，当ＣＢ＜０．０１（ｗｔ％）时，晶粒尺寸随含Ｂ量增多急剧减小；当ｃＢ＞０．０１ （Ｗｔ％）时，晶粒尺寸变化不大，该合金晶粒细化主要是固溶于基体中的硼的 作用。     

时效处理对Ti50Ni25Cu25合金阻尼行为的影响

采用内耗测试和Ｘ－射线衍射研究了时效处理对Ｔｉ５０Ｎｉ２５Ｃｕ２５合金阻尼特性的影响,发现随时效温度升高,相变内耗峰降低,并且出现Ｂ１９’马氏体,低温时效合金背底内耗随振动频率增大而降低,高温时效合金背底内耗与振动频率无关。     

深冷用低碳高锰双相铸钢低温性能的研究

在本项研究工作中设计了用于深冷条件的高锰铸钢的化学成分，研究了钢的金相组织和在 常温及不同的低温（低至－１９６℃）条件下的机械性能。试验结果表明，低的含碳量和较高的 锰碳比对于提高钢的低温韧性具有显著的作用。试验中还发现，在低含碳量条件下，具有由奥 氏体和ε马氏体构成的双相组织的铸钢具有良好的低温机械性能。     

GaN生长工艺流程实时监控系统

分析了在ECR-MOCVD装置上外延长生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素，在此基础上，设计了一套由80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统，用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控，并提出了一种合适的工艺流程监控策略，阐述了如何从软件上确保工艺流程的连续可靠运行。实践证明，轮硬件系统设计合理、抗干扰措施完善，很好地保证了工艺流程的连续可靠运行，实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高，并以类似系统的工艺过程自动化设计具有一定的指导借鉴意义。     

聚氨酯/ 羧甲基壳聚糖/壳聚糖) n 复合涂层血液相容性

在心血管支架表面构建仿生细胞外基质结构的涂层是提高支架生物相容性的有效方法.结合静电纺丝及静电自组装技术,在316L医用不锈钢基底上制备出网状聚氨酯/(羧甲基壳聚糖/壳聚糖)n复合涂层.血小板黏附实验表明,对于网状聚氨酯涂层,血小板较易黏附在直径小于1μm的纤维上,在直径大于1μm的纤维上几乎无血小板黏附;而聚氨酯/(羧甲基壳聚糖/壳聚糖)n复合涂层的血小板黏附数量明显下降,血液相容性得到改善.