(VNi)_2O_3陶瓷的绝缘体-金属转变

(VNi)_2O_3陶瓷样品从液氮升温测量电阻率和正电子寿命谱。在-110℃附近出现绝缘体至金属转变。发现长寿命τ_2的I_2在低温下有12％的值,但在转变温度T_t上突增至26％,τ_2由388变至352ps;而短寿命τ_1却保持148ps不变。其结果可用Zeiger理论及对V_2O_3的绝缘体-金属转变二能带模型解释。τ_2可考虑为α_1能带上电子的贡献;τ_1的成份和晶体中e(π)能带有关。     

两种边界条件的氯化钠结构晶格振动

比较了自由和循环边界条件下氯化钠结构晶格振动计算结果．除平移模外２种条件下其余的模和频率均完全不同．当晶格中２种原子的质量比增大时,自由边界条件下的频谱分布出现２个禁区;不再能分为光学支和声学支     

立方ZnS的电子结构和压电常数

在有限数目的(Zn~(+2)S~(+6)+e)离子集团所組成的闪锌矿型晶体中,單个价电子的运动方程可以解出来,得到spdε四面体共价結构,形成共价ZnS晶体的格子常数理论值与实驗一致。將八个价电子的运动看成是連續分布的电子云,在組成分子轨道的原子轨道中心作多极展开,得出晶体能量的表示式。分析在形变中晶体能量的变化和内力平衡条件,得到压电常数e_(36)=-3.8×10~4,接近于实驗值-4.2×10~4。对于过去其他作者計算的理论值均与实驗相差数倍,甚至連ZnS的压电极性也难以正确給出的原因,作了簡單說明。     

铁电陶瓷中的弛豫效应

铁电陶瓷中的驻极体效应和空间电荷效应可以用冈崎清模型统一解释.理论预言的铁电陶瓷中存在电极化弛豫效应和压电弛豫效应得到实验证实.建立了定量的铁电弛豫理论,其结果与实验符合得很好.     

广义导纳圆

用广义导纳圆综合了Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ图、压电振子导纳圆、晶界层陶瓷复阻抗分析等各种方法，从而可以更正确地得出电介质测量中的许多有用信息。德拜弛豫规律一定程度上决定于测量方法，并非完全来源于微观运动规律。观察到陶瓷电感性传导的效应。     

铌酸锂的折射率奇异

在10至150℃温度范围内用不同波长的可见光测量了铌酸锂铁电单畴单晶的折射率n_o和N_e,发现在45、75、125℃附近出现异常变化。观察了弛豫效应和热释电效应对测量结果的影响。用椭偏光测出了晶体不同方向表面层的复折射率。实验支持125℃附近的异常与表面状态有关。     

用中子飞行时间分析氢同位素深度分布

论述了一种注入或者吸附在材料中的氚和氘的深度分布的测量方法.样品为氚(钛)靶和氘(钛)靶.用2MeV入射质子束,T(p,n)反应研究氚的深度分布;用1MeV入射氘束,D(d,n)反应研究氘的深度分布.用标准的飞行时间方法测量中子能谱。由中子能量确定起反应的质子或氘核的能量。进而得出氚或者氘在钛层中的深度分布.本方法的灵敏度可达0.1at.％.对氚(钛)靶,当靶厚为5mg/cm~2时,深度分辩好于0.5mg/cm~2.     

慢极化弛豫理论

提出了凝聚态电介质中的空间电荷扩散模型，用来解释慢极化效应．对自由弛豫过程中的扩散方程，用分离变数方法求出了精确的级数解．当时间ｔ甚小于响应时间τ时，精确解给出的衰减函数为ｅｘｐ（－ｔ／τ），与经验公式一致．但当ｔ较大时精确的衰减函数过渡到指数形式，近似的理论衰减函数可表示为ｅｘｐ（－ｔ／τ＋ａｔ２／τ２）；当ｔ＜２．５τ时它的近似程度很好．理论给出ａ＝３．６１３５２．在室温下对石蜡作了仔细测量，结果和理论完全一致．当ｔ≥２．５τ时，衰减函数已减小至不超过０．６７％；测量讯号微弱到超出一般仪器的精度范围而不必再计及     

电介质的偶极自相关函数

线性响应理论表明电介质在零外场或非零外电场中的偶极自相关函数应不同。用空间电荷激发的统计模型理论可得出上述函数的两种不同表示式。由偶极自相关函数可以定义表征物性的时域参数，它比频域参数更能说明宏观物性和微观结构的关系。理论结果解释了热释电、压电和电极化弛豫中的大量实验结果，时域参数的概念还可推广应用于非线性效应。     

化学键的密度函数理论

将密度函数理论发展用于化学键定理计算。这是一种既非矩阵力学亦非波动学的新的量子力学第一原理方法;可适用于分子,晶体,和具有近程有序的非晶态,其中用多极展开处理了库仑作用,故特别适用于计算电介质的极化和铁电性。