采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN／GaN异质结的应变状态

利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN／GaN薄膜的晶体结构和应变状态。通过（002）和（105）面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN／GaN外延层的应变程度,并且计算了不同A1组分的AlxGa1-xN／GaN在倒易空间图上的弛豫方向;同时利用Vegard原理,推导了在双轴应变下A1组分的计算方程式,得出完全应变情况下A1组分为30％,与卢瑟福背散射实验结果比较符合。     

基于DEVS-SYSML-CPN的复杂武器体系建模方法研究

提出了一种基于DEVVSy-SysML-CPN的层次化武器体系建模与分析方法,该方法通过系统构件的逐层分解,以及系统静态模型、逻辑模型、可执行模型逐级映射的途径,能有力地应对集成复杂武器体系结构的分析问题,很好地支持了DoDAF的建模规范.重点阐述了DoDAF建模规范在复杂体系结构建模方面的不足,以及DEVS、SysML所做的改进.     

建筑边坡治理工程的施工技术探究

本文对于建筑边坡治理工程的施工技术进行了一些探究,希望能够为建筑行业提供一些良好地建议。     

LPS致大鼠肺泡Ⅱ型细胞凋亡及对Fas抗原表达的影响

探讨Ｆａｓ信号通路在肺泡Ⅱ型细胞损伤作用的可能机制及意义．建立大鼠肺泡Ⅱ型细胞体外培养，采用流式细胞术、原位杂交、逆转录、多聚酶链式反应等方法，观察大肠杆菌内毒素（ＬＰＳ）对肺泡Ⅱ型细胞ＦａｓｍＲＮＡ、蛋白质及细胞凋亡的影响．成功建立大鼠肺泡Ⅱ型细胞体外培养技术，ＬＰＳ刺激后，肺泡Ⅱ型细胞ＦａｓｍＲＮＡ、蛋白质表达均显著增加（Ｐ＜０．０１），ＬＰＳ可诱导肺泡Ⅱ型细胞凋亡，并在一定范围内呈量－效关系，表明ＬＰＳ对肺泡上皮的损伤效应，除直接损伤作用外，还可能通过诱导Ｆａｓ抗原表达增加，而致细胞凋亡的方式进行     

何不就称为SARS？

论及非典型肺炎 (atypicalpneumonias ,AP) ,必须先了解“典型肺炎 (typicalpneumo nia ,TP)”。通常临床上所说的肺炎是指由感染性病原体引起的肺组织炎症和实变。典型肺炎 (即大叶性肺炎 )是由细菌引起的 ,最常见的为肺炎链球菌 ,亦可由肺炎克雷伯菌、流感嗜血杆菌等细菌引起。据此 ,如果发生肺炎时没有寒战和迅速的发热 ,痰液中也找不到革兰阳性双球菌 ,就认为是“非典型”的改变。1938年 ,ReimannHA总结了一组 8例有相似肺部感染改变病人的特点 ,称之为“伴有严重全身症状的支气管肺炎 (tracheobron chopneumoniaandseveresymptoms)…     

高效径向结纳米线薄膜太阳能电池研究进展

探索新型径向结太阳能电池构架,已经成为开发新一代高效薄膜光伏技术的关键突破方向之一.基于现有成熟硅基薄膜工艺,构建纳米线薄膜径向结电池,将有利于进一步提升电池转换效率、降低成本和增强稳定性,并最终促进实现我国光伏入网电价与市场持平的目标.本文重点回顾利用基于低熔点金属诱导生长硅纳米线结构上实现的硅基薄膜径向结电池结构的进展和最新成果.     

弹道导弹突防信息对抗仿真系统设计研究

以弹道导弹突防信息对抗为仿真对象,即实现系统可扩充性、互操作性和提高大型复杂自适应对抗系统分析论证能力为目标,综合运用基于HLA和Agent的建模仿真技术,设计开发分布式的仿真联邦,重点研究了基于HLA的Agent通信控制、本体模型在Agent知识水平通信中的应用以及提高HLA仿真效率途径等问题.研究结果表明,交互行为本体的应用,可以提高集成HLA和Agent仿真环境中的仿真效率.     

双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器

设计了一种新型的存储器结构单元——锗／硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器．对存储器样品的C—V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能．数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年（约10^8S）．这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾,为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路．     

^31P（n,p）^31Si反应截面实验测量数据的分析和评价

本文较全面地收集了~(31)P(n,p)~(31)Si反应的实验测量数据,作了认真细致地分析.评价用三次B样条函数进行了拟合处理.对缺实验数据的能区,用理论计算数据作了补充.最后给出了从阈能(0.71Mev)到20Mev的反应截面推荐值.     

高压二极管中子,电子和γ辐照特征的研究

本文对加固P~ nn~ 高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流了寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明.由于采用了新工艺、新材料使器件具有良好的抗辐照性能,同时NTD材料亦显示出较好的耐辐照特性.三种不同辐照源的辐照结果反映了它们各自的损伤特征.