自主学习复合模式在信号与系统课程教学中的应用

近年来,自主学习模式被运用到不同层次的教学中,信号与系统具有知识点多、理论性强的特点,传统教师讲授模式难以获得理想效果,而单纯的学生为中心自主学习模式也很难达到理想效果,因而提出了信号与系统自主学习复合模式.该模式整合了传统讲授教学和学生自主学习的优势环节,整个教学过程分为"教师引导"、"师生交互"和"自主学习"三个阶段,对学生进行循序渐进的引导,一定程度上培养了学生发现问题、解决问题的能力.     

深圳低碳示范城及周边区域海水利用分析

海水利用是沿海地区解决水资源危机的重要战略选择之一。在阐述国内外海水开发与利用的现状的基础上,从深圳国际低碳城市海水利用的实际条件出发,分析了海水利用的原则、需要考虑的综合因素,并提出深圳海水利用的建议,包括:将海水利用纳入区域的整体规划;制定鼓励政策并进行政府补贴;加大科技投入,为探索海水的规模化应用提供技术支持和储备;先示范后推广,并逐步实施海水利用。     

高容量型锂离子电池硅基负极材料的研究进展

硅基负极材料由于其具有高容量而被广泛研究,该材料在充/放电过程中巨大的体积变化、低的循环寿命和初始库仑效率阻碍了其商业化应用. 本文分析了硅基负极材料的工作原理,回顾了其在脱/嵌锂过程中的晶体结构、表面/界面的变化以及提高其电化学性能的方法,讨论了锂离子电池硅基负极材料的前景.     

电压对TiO2纳米管阵列形貌及光电性能的影响

文章以电化学阳极氧化法在氟化铵、甘油电解液中制备了TiO2纳米管阵列,利用扫描电子显微镜观察了不同电压条件下制备样品的形貌。根据I-t曲线、I-V曲线及SEM图像讨论了TiO2纳米管阵列的生长进程和形成过程,并研究了样品的光电性能。结果表明:电压从25V升至55V时,管径、管长分别从40、2 000nm增至100、3 200nm;电压0.2V时,初始氧化层形成;电压升至1.4V,氧化层被击穿;氧化层的形成与场致溶解的相互影响导致在电压2～4V附近电流的起伏;电压大于5V时纳米管开始形成;25V与45V电压下制备的样品具有较好的光吸收和光电性能。     

新型导向立体喷射填料式塔板的流体力学及传质性能研究

设计了一种大通量、高效率的新型导向立体喷射填料式塔板(FJPT),以空气-水-氧气为物系,在直径为500 mm的有机玻璃塔内进行冷模实验,测定其流体力学性能和传质性能,包括干板压降、湿板压降、漏液、雾沫夹带、清液层高度和塔板效率等。由实验数据关联得到干板压降和湿板压降的经验关联式,与现有的新型垂直筛板相比,FJPT压降较低。通过改变板上矩形升气孔大小进行对比实验,得到的结果表明:矩形升气孔越大则塔板压降越低,但影响不明显;矩形升气孔越小,雾沫夹带和漏液率越小,气相负荷上限越高;开孔大小有一个最合适的值使塔板效率最高。     

液氨泄漏爆炸的模糊事故树分析研究

对可能引起液氨储罐发生泄漏爆炸的原因进行了分析,将事故树和模糊集理论相结合,计算事故发生的概率,分析事故发生的可能性,根据基本事件的模糊概率,运用与或门模糊算子,求得液氨储罐系统发生泄漏的概率在1.07×10-6~2.77×10-6,最大可能为2.77×10-6,发生爆炸的概率在7.11×10-6~3.00×10-5之间,最大可能为3.00×10-5,根据模糊事故树分析提出相应的事故防范措施,对类似企业的风险管理提供参考依据.     

基于分数阶微分算法与LSSVM的人脸识别研究

人类面相识别作为一种更自然的、非接触式的、更加准确和快速的安全认证和身份鉴别方法,受到越来越广泛的关注。本文通过预处理、特征提取和分类识别3个过程建立完整的人脸识别系统,并分析了基于整数阶微分方程的图像去噪模型的实现原理和缺陷。针对算法不足,提出加权自适应分数阶微分算法对图像进行预处理。最后,采用最小二乘支持向量机(LSSVM)进行人脸识别实验,发现改进后的去噪算法识别率更高。     

扩展的Jacobi椭圆函数展开法和非线性Klein-Gordon方程新的精确解

将Jacobi椭圆函数展开法作进一步推广,利用计算机代数系统Mathematica,求出了非线性Klein-Gordon方程一系列新的精确周期解,这些解包括Jacobi椭圆函数展开法所求得的解.当m→1或m→0时,这些解退化为相应的三角函数解或孤立波解和冲击波解.     

映射法与非线性波动方程新的精确解

本文运用映射法,结合辅助方程,利用计算机代数系统Mathematica求出了典型的非线性mKdV方程和Klein-Gordon方程的一系列新的精确周期解。该方法可以用来求解更多非线性方程。     

一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管

提出一种新型的工作于积累模式、具有混合晶向的圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管器件结构. 与目前其他报道的CMOS器件相比, NMOS和PMOS器件沟道具有不同的晶向, 且均有埋层氧化层将其与衬底隔离, 器件结构简单、紧凑, 集成度增加了一倍. 报道了积累型圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程. 与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比, 由于克服了不对称场的积聚, 如锐角效应导致的漏电, 器件沟道的电完整性得到很大改善. SOI圆柱体全包围栅场效应晶体管在积累工作模式下, 电流流过整个圆柱体, 具备高载流子迁移率, 低低频器件噪声, 并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应, 增大了器件的阈值电压. 亚10 nm尺寸下, 器件的开/关态电流比值大于10⁶, 表明器件具备良好的性能及进一步按比例缩小的能力. 另外还简单介绍了器件制作工艺流程, 提出的工艺流程具备简单且与常规CMOS工艺流程兼容的特点.