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51.
提出了一种有效的快速k近邻分类文本分类算法,即PSOKNN算法,该算法利用粒子群优化方法的随机搜索能力在训练文档集中进行有指导的全局随机搜索. 在搜索k近邻的过程中,粒子群跳跃式移动,掠过大量不可能成为k近邻的文档向量,从而可以快速找到测试样本的k个近邻. 以Reuters 21578文档集分类为例验证算法的有效性,结果表明,保持k近邻法分类精度,新算法比KNN算法降低分类时间70%. 相似文献
52.
JKS-110小型多功能计算机由西安工业自动化仪表研究所。西北大学、西安仪表厂“7·21”工人大学联合设计,于1975年9月至1976年4月设计并试制出样机。并与陕西第一棉织厂,西安市纺织科学研究所一起将该计算机应用于提花棉织机的群控。在1976年一机部举办的全国工业自动化仪器仪表展览会上展出,受到了有关方面的重视与好评。目前正在陕棉一厂作进一步的群控试验和改进工作。最近,西安仪表厂又对样机作了进一步的改进。现将JKS-110机(样机)的总体概况及其群控系统作一筒单介绍。 相似文献
53.
对几种不同灭菌方法处理的饲料用于小鼠表观消化率试睑,初步结果表明:经γ射线灭菌的小鼠饲料,其干物质、粗蛋白、粗脂肪、粗纤维的表观消化率与正常鼠料(未经灭菌处理)相比,无显著差异(P>0.05);经高压蒸汽灭菌的鼠料,其粗脂肪、粗纤维的表现消化率,与正常料相比,无显著差异(P>0.05),但粗蛋白及干物质的表观消化率则显著低于正常料(P<0.01)。三种不同高压蒸汽灭菌方法中,抽真空126℃10分钟灭菌的鼠料,其粗蛋白的表观消化率最高,不抽真空121℃、30分钟灭菌的鼠料,其粗蛋白的表观消化率最低,二者有显著性差异(0.01
相似文献
54.
用大流量总悬浮颗粒物(TSP)采样器采集济南市环境空气中的颗粒物,分析了济南市大气颗粒物上的有机物的种类及含量;用索氏提取器提取其中的有机物,用自制的硅胶柱分离纯化,将分离纯化后的各组分用气相色谱一质谱(GC-MS)联用技术做定性定量分析.结果表明,从大气总悬浮颗粒物中共分离出62种有机物,GC—MS定性了53种,占色谱总流出成分的85.2%. 相似文献
55.
添加微量Y、La对Zr基非晶合金耐蚀性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
通过计算机编程建立Zr2Cu晶体相中以Cu原子为中心的原子团簇模拟Zr基非晶中二十面体原子团簇模型,应用实空间的递推方法计算了Zr2Cu晶体相中的费米能级及团簇中Cu与近邻合金元素Y、La、Zr的键级积分.结论分析表明:Y、La易于占据Zr-Cu晶体相中Zr原子,使非晶形成能力上升,同时可提高耐腐蚀性,因此,通过加入少量的Y、La元素可制备出具有较高耐腐蚀性能的Zr基大块非晶材料. 相似文献
56.
提出了一种基于Boosting的特征筛选算法.根据Boosting分类训练时的训练错误率、训练过程中错误率的收敛速度以及测试错误率确定特征影响因子;利用这些影响因子对待识别目标的特征进行排序,去除冗余特征,以降低特征空间的维数.对于筛选后保留的特征,根据其影响因子进行加权,以提高目标识别的准确率.用该方法可避免其它分类学习器训练时的过学习现象,生成的分类器模型小,识别速度快,适用于对特征不易确定的目标识别. 相似文献
57.
采用格林函数(GF)方法和多重耦合自洽相干势近似(CPA)方法,研究了氢在Au Ag多层偏析无序二元合金表面的化学吸附,详细地讨论了DBA表面的多层偏析和化学吸附间的相互影响·结果表明,化学吸附引起的表面偏析能够在很大程度上改变合金表面成分和化学吸附能·对于H/Au Ag系统,可以看到随着计入的原子层数的增加,化学吸附能值表现出波动的特征· 相似文献
58.
通过计算机编程建立钛的→b=-1/3〈1 1 -2 0〉刃位错模型,用实空间的连分数方法计算合金元素以及稀土元素在完整晶体及位错区引起的总结构能、环境敏感镶嵌能以及各合金元素与钛的键级积分,讨论合金元素在位错区的偏聚及交互作用.计算结果表明,Al和Sn在位错扩张区偏聚,Mo,W等合金元素以及稀土元素易于在位错芯区偏聚,这些偏聚为第二相粒子析出提供了条件,从而阻碍位错运动,提高了Ti合金蠕变性能.Al与Ti的作用最强,固溶强化效果最好.稀土主要是通过细化晶粒,提高钛合金蠕变性能的. 相似文献
59.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了氢化及层间O修饰对石墨烯/BN(Gr/BN)异质结结构稳定性和电子性质的影响.建立了上下表面氢化及层间存在O修饰的石墨烯/氮化硼异质结结构模型,计算了氢化及层间O修饰的异质结的能带结构、态密度及荷转移.研究发现,Gr/BN异质结的性质与石墨烯类似,带隙非常小,无法应用于电子器件... 相似文献
60.
通过在石墨烯纳米带(graphene nanoribbon, GNR)中引入一对跳跃参数相等的零模(即一对零模态的C–C键)构建金属石墨烯纳米带模型,在金属GNR模型的基础上建立单空位缺陷浓度为1.429%和2.857%的石墨烯纳米带模型,并基于密度泛函理论探究缺陷位置对其金属度的影响.研究表明:零模C–C键引入后, GNR表现出比未引入之前宽得多的金属带,其金属带宽由91.49 me V增加为452.92 meV.在金属GNR中,缺陷所处位置对引入单空位缺陷的难易程度影响较大.在GNR超晶胞中引入一个单空位缺陷时,缺陷对距离较近的零模C–C键产生的影响远强于较远的零模,这导致GNR几何结构对称性被破坏,局域的电荷转移加剧.当缺陷位置接近纳米带边缘时, GNR的电子特性容易发生改变,部分GNR带隙被打开,缺陷模型完成从金属向半导体的转变.在缺陷浓度为2.857%的GNR中,由于缺陷位置的对称设置, GNR在几何构型和电荷转移情况方面保留了其原始对称性,最大程度地保证了两零模间的跳跃幅度,使GNR保持金属性不变.石墨烯纳米带缺陷模型的金属带宽均低于仅引入零模C–C键的GNR模型金属带宽,... 相似文献