氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga₂O₃/BN薄膜, 然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线. X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明, 制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现, 纳米线具有十分光滑且干净的表面, 其直径为40~160 nm左右, 典型的纳米线长达几十微米. 室温下以300 nm波长的光激发样品表面, 显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射. 另外, 简单讨论了GaN纳米线的生长机制.     

尺寸和空间分布对电沉积Co纳米线矫顽力的影响

研究了室温下不同直径的Co纳米线在不同取向下的磁化行为.实验结果表明:不同直径Co纳米线的矫顽力随着纳米线与外加磁场之间角度θ的增大而减小.理论上,应用蒙特卡罗模拟研究了纳米线矫顽力对角度θ的依赖关系.对比理论和实验的结果,得到如下结论:磁晶各向异性对Co纳米线磁特性起着重大的影响,Co纳米线的磁化反转过程不能简单地用球链模型中经典的一致转动模型来解释.     

水中近距声探测器研究

根据近感检测原理分析了近炸引信的近距声探测原理和系统组成;设计了工作可靠,方向性好,灵敏度高的声探测器针状式离散波束图;确定了适用于浅海近距探测的高频窄带发射脉冲的工作频率和多卜勒频移极限门限值;讨论了对较小目标的搜索范围和作用距离.采用蒙特卡罗法对这种声探测装置探测较小类目标进行了计算机模拟仿真,结果表明,检测概率随弹目交会速度的提高近似直线下降,多卜勒频移极限门限值取3时的检测概率在80%以上,满足近炸作用半径要求.     

基于相关性原理的多样图纹理合成方法

基于样图的纹理合成方法是继纹理映射、过程纹理合成等方法后发展起来的一种纹理拼贴方法.文中提出了一种新颖的基于多种纹理样图的纹理合成方法,通过调整参数可以控制各种纹理在合成结果中所占的比例,利用双向扫描来提高合成纹理的质量.进一步提出了一种目标约束的多样图纹理合成方法,可以根据用户需求生成新的图案.实验结果表明算法速度快,在PⅢ600/256M的PC机上,一幅600×600pixels的图片的计算可在20s内完成.     

广义最大流问题

将网络最大流问题作了推广，给出了推广后的网络最大流GMF的标号算法及初始可行流计算的办法，并用线性规划的对偶理论说明了有关的结论。     

福建省马尾松毛虫灾区区划及其应用

根据区划理论，应用现代数学方法和计算方法，将福建省马尾松毛虫灾区分为3个区和3个危险程度等级。并按照不同的危险程度等级区域，分别建立了发生面积预测预报模型。经检验。该模型具有较高的精度，可以推广应用。     

[(PbCl_2)_(0.55)(PbO)_(0.45)]_(1-x)(KCl)_x系的混合晶界效应

本文通过混合晶界效应模型,对[(PbCl_2)_(0.55)(PbO)_(0.45)]_(1-x)(KCL)_x体系中当O.05≤x≤0.22时为x≤0.03(主相为3PbCl_2·2PbO)和x≈0.25(主相为Pb(OH)Cl型物相)两个高导电相的混合相,且电导率低下的现象进行了说明,并通过解析阻抗谱做了验证.     

Banach空间一类常微分方程广义弱解的存在性

在弱完备的实Ｂａｎａｃｈ空间中，考虑如下的Ｃａｕｃｈｙ问题：ｘ′（ｔ）＝ｆｏ（ｔ，ｘ（ｔ）），ｘ（０）＝ｘｏ，（ｃｐ）其中ｆｏ＝ｆ＋ｇ，ｆ和ｇ满足不同的弱非紧型条件．证明一个满足不同弱非紧型条件的算子间的关系式和（ｃｐ）的广义弱解的存在定理．利用这些结果，得到一个定理，该定理的特例是［１］中定理５１１的推广     

光学式水蒸汽湿度测量仪的研制

介绍一种光学式水蒸汽湿度测量仪的工作原理、结构与性能特点．本仪器可用于测量水蒸汽的湿度和粒径；并可推广应用于悬浮介质中微粒直径和浓度的测量．