关于《斜映射矩阵和Householder变换的推广》兼论变换函数φ——与谭领同志商榷

对谭文提出不同的分析方法和理论结果。引入了形角系数e,推导出变换函数φ及φ与Householder变换的关系式.当e=1,φ=φ,则U=V,关系式呈勾股定理形式:x~2+y~2=U~2。给出了几何解释和例题。     

铈掺杂ATO（Ce-ATO）纳米粉体的制备及表征

采用自蔓延燃烧法制备出Ce掺杂的ATO (Ce-ATO)纳米粉体.利用XRD、SEM对粉体的结构及粒径进行了表征.研究了Ce掺杂量、滴定终点pH值、煅烧温度与煅烧时间对粉体晶型结构与粉体粒度及性能的影响,发现当Ce掺杂量为4%,滴定终点pH为7,在600℃下煅烧2h得到的粉体性能最好.此条件下制备的Ce-ATO粉体晶粒尺寸分布为18~22nm,且Ce-ATO粉体的电阻率为9.72?cm     

有理函数变换法求扩展(3+1)维Jimbo-Miwa方程丰富的精确解（英文）

利用扩展的有理函数变换法对两个扩展的(3+1)维Jimbo-Miwa方程进行了研究,得到了丰富的精确解,特别是共振孤波解,复合解及三角函数、双曲函数和指数函数结合形式的解.除此之外,对所得解的结构作了详细的图像展示和性质分析.     

长寿花组培快繁技术

以长寿花叶片为外植体,探讨不同激素浓度配比对长寿花快繁体系建立的影响.结果表明:长寿花愈伤组织最适诱导培养基为MS+2 mg/L 2,4-D+0. 5 mg/L 6-BA,诱导率达95. 8%;丛生芽诱导与增殖培养基为MS+0. 1mg/L IBA+2 mg/L 6-BA,诱导率为283. 3%;最适生根培养基为1/2 MS+0. 1 mg/L IBA,生根率为94%.     

VB.NET中调用Surfer绘制等值线及消除空白区域的方法

介绍了Surfer软件在气象领域的广泛应用,并指出了已普遍运用Surfer进行二次开发绘制等值线的方法存在的不足,阐述了在VB.NET环境下调用Surfer新的语法,通过对相应函数参数的设置,有效地解决了白边问题.     

基于因子分析法的上海市高技术服务业发展评价体系研究

高技术服务业对经济增长和产业结构升级具有重要推动作用.通过构建高技术服务业发展评价体系,并采用因子分析法对上海和中国其他16个省份的高技术服务业发展水平进行评价,研究表明上海高技术服务业发展水平综合排名第3,同时指出上海高技术服务业存在的问题,对于上海市高技术服务业具有较强的现实指导作用.     

复杂网络视角下中国国际贸易地位的探究

从复杂网络新视角下,运用复杂网络的概念、工具和方法,探究中国在国际贸易系统中的归属和影响力.结果表明,采用复杂网络的研究范式能定量刻画中国在国际贸易系统中的地位,并拓展我们对中国国际地位的认识.     

基于小波优化LSTM-ARMA模型的岩土工程非线性时间序列预测

为了更精确地预测岩土工程应力、变形等的非线性时间序列,提出了基于小波优化的长短时记忆神经网络?自回归滑动平均模型（LSTM-ARMA）预测模型。首先使用小波分析将监测序列分解成趋势项和噪声项,采用LSTM网络滚动预测趋势项、ARMA模型预测噪声项,并将趋势项预测值与噪声项预测值之和作为总的时间序列预测值。在此基础上,以上海云岭超深基坑工程为案例进行了基坑地表沉降分析,结果表明组合模型的预测精度要高于单一LSTM模型且更加稳定;进一步采用弹塑性有限元对基坑开挖诱发的地表沉降进行了预测,并与人工智能预测结果进行对比,验证了人工智预测模型的合理性。分析表明,当后续工况与前置工况所诱发的变形机理突变时,人工智能预测误差增大,但伴随后续工况的推进,人工智能预测误差将逐渐减小。     

一种超高频RFID读写器基带发射机的设计与实现

设计了一个超高频射频识别读写器的基带发射机, 该读写器基带芯片工作在840~960 MHz频段, 支持ISO 18000-6B&6C 协议。为了增强安全性同时保证与协议的兼容, 采用2-bits类PIE编码和PIE编码方式, 前者相对后者安全性提高了6倍。针对单边带调制中由于两路正交信号幅度不相等而产生的双频带对标签接收信号产生干扰的问题, 在基带发射机中增加了幅度匹配模块, 尽量消除幅度差异。还在基带部分增加了功率放大模块, 使得到达 PA 的输入信号幅度增强, 从而得到更高的输出功率。整个读写器芯片在0.18μm CMOS工艺下, 电路规模为209461个门, 功耗为102.609 mW, 其中发射机部分占面积的22%。与当前的一些设计相比, 该设计并没有带来较大的面积和功耗损失。     

空位缺陷掺杂单层MoTe2的研究

采用基于密度泛函理论的电子结构计算软件包Atomistix Tool Kit(ATK),研究了缺陷掺杂的单层MoTe_2,计算了五种单空位缺陷的原子结构和3%～12.5%浓度范围内的形成能,分析了空位浓度对单层MoTe_2相变的影响.研究结果表明Te空位的形成能比Mo空位的低,调节Te空位的浓度能实现单层MoTe_2的1H和1T′相之间的相互转变.