空间电荷分布产生电场的数值模拟

该文利用辛普生算法数值求解场强迭加积分和利用有限差分算法数值求解二维泊松方程 ,求解等离子体截面上由于空间电荷分布所产生的电场 ,并对径向电场的分布情况进行研究 .通过有限差分算法的比较 ,表明数值求解场强迭加积分的可靠性 .在复杂区域的场强计算中 ,场强迭加法具有很大的优越性     

数字图象处理在纳米材料结构分析中的应用

介绍了一种应用数字图象处理分析纳米晶粒尺寸的方法．给出了实现这一方法的步骤．应用它对镶嵌在ＳｉＯ_２薄膜中的ＧａＡｓ纳米颗粒进行统计分析,结果具有较好的可信度,表明该方法具有一定的实用性．     

NT6578单片机存储系统的扩展

介绍把 NT6 5 78单片机存储系统从 6 4 k B扩展至 2 4 MB的原理 ,且提出具体实现方法 ;提供两种存储器模块切换方式 :程序寄存器模块切换法和直接存储器模块切换法 .并给出了相应的 GAL扩展电路和实现程序     

IP设计仿真平台控制软件开发及IP验证

在简要介绍基于PCI总线的IP（Intellectual Property）设计仿真验证平台的基本框架和硬件结构的基础上,论述了在Windows2000/XP下开发该平台的WDM（WindowsDriver Model）设备驱动程序和应用程序的基本方法,对其中的关键技术,如配置寄存器、内存和I/O读写、应用程序编写等作了分析,并以可编程直接存储器存取（PDMA）和图像二值化为IP验证实例.结果表明：所开发的仿真验证平台大大地提高了IP的仿真效率,优于现今测试时难以产生大批测试数据和难以获得数据处理结果的一般仿真验证平台.     

抗谐波锁定的延时锁相环

为了解决传统延时锁相环(DLL)结构在宽频率锁定范围中的无法锁定和谐波锁定问题,在传统DLL结构中加入启动控制电路,使DLL在上电阶段把环路滤波电容上的电压充电至电源电压,从而使压控延时线的初始延时在上电后达到最小,并且小于输入参考信号的1个周期.设计了带开关控制的鉴相器,将DLL的锁定过程分为粗调和微调两个阶段,压控延时线的延时在粗调阶段只能逐渐增大,在微调阶段微调,直到延时为输入参考信号的1个周期,从而克服了无法锁定以及谐波锁定的问题,而且减小了DLL的锁定时间.采用GSMC 0.13μm1P7MCMOS工艺设计、1.2 V的电源电压进行仿真,结果表明该DLL工作频率范围为300～500MHz,功耗小于3mW.     

基于差分图像定位法的集成电路光发射探测技术

在偏置电压较低的情况下,光发射信号较弱,容易被器件的噪声所干扰,造成成像效果不佳.为此,文中建立了光发射显微(PEM)图像的信号-噪声模型,设计了差分图像定位算法来提高光发射探测的精度.该算法首先通过调整偏置电压获取失效信号强度不同的两组图像,计算出两组图像的差分均值图像,再对其进行均值滤波器、图像二值化等处理,得到统计图像,最后根据统计图像确定集成电路失效点的位置.物理分析结果验证了基于差分图像定位法的集成电路光发射探测技术的准确性.     

通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响

基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成...     

氧化锌薄膜晶体管的光诱导不稳定性

为促进氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)在有源驱动平板显示领域中的实际应用,以高纯氧化锌(ZnO)为靶材,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜作为半导体活性层,制备出ZnO-TFT,研究了可见光诱导引起的器件特性的不稳定性.实验结果表明:在可见光照射下,该ZnO-TFT器件呈现出一定程度的不稳定性;随着光照强度的增加,迁移率稍有增大,阈值电压有微弱的减小;漏电流的相对变化量受栅电压控制,即在开态时相对变化量较小,对于2210 lx的照射强度,相对变化量的最小值为0.58,而在亚阈值区和关态时,漏电流受光照强度的影响较大,在相同强度的光照射下相对变化量的最大值为36.29.对可见光诱导不稳定性恢复过程的研究发现,光照关断后的恢复过程相对缓慢,且随时间呈现出先快后慢的现象.