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采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Si-SiO2薄膜,并在各种温度下进行了退火处理.XRD分析表明Si-SiO2薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在,它是富硅或缺氧的结构.在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象,探测到样品的峰位分别在370m、410m、470m和510nm.结合激发谱对相应的激发与发光中心进行了讨论.另外,还研究了退火温度对其峰位与峰强的影响. 相似文献
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采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与薄膜中Ge晶粒尺寸的关系.结果表明通过溅射时控制基片温度能有效地对锗晶粒尺寸进行调制. 相似文献
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多孔硅具有很强的室温发光,介绍了多孔硅在分离多孔层后的发光情况,用传统的电化学法腐蚀样品,待多孔层分离后,通过SEM(表面电子显微镜)和PL(光致发光谱)观察多孔层分离后表面的形貌和光致发光特性,观察到样品有很强的蓝紫发光峰,在高温氧气气氛下退火后,发光强度增加,峰位不变,在大气中保存三个月后,发光峰又有所加强,证明样品具有很好的发光特性;FTIR(红外吸收谱)表明多孔层分离后样品表面主要由Si—O、Si—H键组成;利用量子限域—发光中心模型解释了发光机制,认为蓝紫光来自表面SiOx线中的发光中心。 相似文献
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采用从头计算方法 ,在HF 6 31G 水平上 ,计算了一系列首尾带推拉取代基的 1,3,5 己三烯的偶极矩 μ和二阶非线性光学系数 β .研究了取代基数目及取代基位置对非线性光学效应的影响 .并设计了具有较大二阶极化率 β的新型非线性光学材料分子 相似文献
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金属有机配合物在分析化学中有着广泛的应用,近年来作为电致发光材料已引起广泛注意.采用量子化学半经验方法RHF/PM3船,对4种金属有机配合物分子进行构型优化,对优化后的构型作振动分析,均末出现虚频率,在此基础上用RHF/CIS方法分别计算了它们的荧光激发光谱,所得结果与实验值基本符合. 相似文献
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超级电容器作为一种新型的储能装置,而电极是决定超级电容器电化学性能的核心部件.在研究工作中,利用D-无水葡萄糖为碳源、三聚氰胺为氮源和NaHCO3为致孔剂成功合成了 一种氮/氧共掺杂碳纳米材料用于高性能超级电容器.在电流密度为1 Ag-1时,电极材料的比电容可达165Fg-1(6MKOH电解液).采用合成方法可以成功实... 相似文献
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温度对非晶SiOx薄膜的光致发光特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用双离子束共溅射法制备的SiOx薄膜为非晶结构,在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象,探测到样品有四个PL峰,它们的峰位分别为-320nm,-410nm,-560nm和-630nm,且峰位和峰强随温度(基片温度Ts和退火温度Ta)的变化而发生变化,并对实验结果进行了讨论。 相似文献
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采用射频磁控溅射制备了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜.以X射线衍射、扫描电镜等对薄膜的结构和形貌进行了表征,XRD和SEM测试结果显示Cu掺杂量为5.0at.%时,Zno9,Cu0.05O薄膜呈纳米柱状结构.同时也对薄膜的光致发光(PL)进行了研究.结果表明,406nm的发光峰源于带边自由激子电子的复合,440nm的发光峰则和薄膜中的锌间隙Zni缺陷有关. 相似文献