中队有个“抠神”班长

成都锦江区顺江社区的人们至今也不知道抠神姓啥名谁,何许人士,时间长了也就无人刨根问底探个究竟。倒是哪有危难哪有急,谁跳楼了谁落水,甭管开门或关气,只要一拨119,第一时间赶到现场救助的,没错儿,准是抠神。“抠神”!街坊近邻都这么喊,渐渐地抠神在辖区内声名鹊起。     

喷雾干燥法制备LiMn1．5Ni0．5O4及其电化学性能

采用喷雾干燥方法合成了高电压锂离子电池正极材料LiMn1.5Ni0.5O4，并研究了其电化学性能。研究发现，室温条件下，在3．20～4．95V的充放电电压范围，LiMn1.5Ni0.5O4的首次可逆容量为132mAh／g，并显示出良好的循环性能，在3．20～4．50V和4．50—4．95V两个电压区间内，首次可逆容量分别为25和100mAh／g。而在高温下，该电极材料的电化学性能发生了明显的改变。     

优莎娜的"萍踪侠影"

2004年9月10日，优莎娜身影出现在厦门“直销立法座谈会”会场。人们不由得注目这家平日低调的美国直销企业——因为她是与会者中惟一没有中国工厂或中国公司的企业。     

废旧电子线路板回收设备达到国际先进水平

国家重点高新技术企业浙江丰利粉碎设备有限公司研发的FXS废旧电子线路板回收处理设备被列入浙江省重点技术创新项目。FXS废旧电子线路板回收处理设备是我国首条年处理万吨级废旧线路板成套设备，采用先进的物理法回收工艺，所研制的强力破碎机、中碎机、精细粉碎机、超微分级机、高压静电分离等设备创新性强，其资源化的处理工艺路线先进合理。该设备能对各类废旧印刷线路板及加工废料、废旧电器等进行机械粉碎回收处理，其金属回收率高，回收金属的纯度高达97％。该机械处理工艺属国内首创，拥有4项自主知识产权，其技术处于国内领先水…     

野生稻材料中氨基酸、碳、氮含量分析及其在种质资源评价中的应用

 野生稻是宝贵的遗传资源库.云南有较丰富的野生稻资源,研究对云南及其它来源的野生稻和栽培稻茎、叶和稻米中氨基酸含量及碳、氮含量进行了分析.结果表明:所涉及的几种材料中茎叶内总氨基酸质量比差异较大,小粒野生稻最高56.8 mg/g,野生的元江普通野生稻最低22.8 mg/g.换算的C/N和蛋白质质量分数变化范围分别为12~38和6%~20%.对野生稻茎、叶和相应的稻米中氨基酸总量及氨基酸组成间的相关性进行了分析,发现两者具有显著相关性.并初步探讨了茎、叶中氨基酸含量在评价植物种质资源评价中的应用.     

不可约M-矩阵的最小特征值的估计

讨论了不可约M-矩阵A的最小特征值l(A)的估计问题。得到了,若A,B∈Rn×n是不可约M-矩阵。记B-1=[bij],A-1=[aij],则l(A oB-1)<2 m ax1 i nakkbkk,且存在正对角矩阵D1=d iag(d1,d2,∧,dn),与D2=d iag(d1,d2,∧,dn),使得m in1 i ndim in1 i ndi l(A)m ax1 i ndi1 m i a nxdi.     

圆坯连铸结晶器电磁搅拌数学模拟

用数学模拟对马钢一钢厂圆坯连铸结晶器(断面尺寸为φ450mm)电磁搅拌过程进行了研究,找出变化规律,确定合理的工艺参数,优化结晶器流场.电磁搅拌过程的计算结果表明:磁场强度随搅拌频率减小、搅拌电流增大而增大;电流强度不改变磁场分布;在结晶器高度方向上磁场分布呈现中间大两端小的特征,流场在搅拌力作用下更趋于合理.最佳搅拌工艺参数为:搅拌电流350A,频率2Hz.     

热辐射波在介质内的散射机理

从偶极子辐射理论出发导出了热辐射在介质内散射强度的一般表达式,确定了影响热辐射散射强度的主要因素.研究表明:入射辐射频率、阻尼振子的振幅等对介质的反射率、吸收率、透射率等热辐射特性具有决定性的影响.     

人类新基因ZNF322的研究进展

根据计算机克隆的ZNF322基因序列设计引物,从人类胚胎心脏文库中克隆了ZNF322基因.该基因位于染色体6p22.1,编码由402个氨基酸残基组成、含有9个连续排列的C2H2型锌指蛋白质.Northern杂交的结果表明该基因在成人所有被检测组织中表达。亚细胞定位研究证明ZNF322蛋白分布在胞核和胞质中.报告基因分析显示ZNF322是一种潜在的转录激活因子.     

氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga₂O₃/BN薄膜, 然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线. X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明, 制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现, 纳米线具有十分光滑且干净的表面, 其直径为40~160 nm左右, 典型的纳米线长达几十微米. 室温下以300 nm波长的光激发样品表面, 显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射. 另外, 简单讨论了GaN纳米线的生长机制.